新品特性：

• 僅占用0.6平方毫米的PCB麵積
• 其結點至環境熱阻(ROJA)為256ºC/W

應用範圍：

• 超薄便攜式消費電子產品

Diodes公司推出一係列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB麵積，較同類SOT723封裝器件節省一半以上的占板空間，其結點至環境熱阻 (ROJA) 為256ºC/W，在連續條件下功耗高達1.3W
，而同類產品的功耗則多出一倍。

因此
，該MOSFET的運行溫度更低，並可節省空間，加上離板高度僅為0.4毫米，尤其適用於超薄便攜式消費電子產品，包括平板電腦及智能手機。Diodes 率先提供額定電壓為20V、30V及60V的N溝道和P溝道器件，這些器件可用於多種高可靠性的負載開關 (load switching)
、信號轉換 (signal switching) 及升壓轉換 (boost conversion) 應用。

例如，額定電壓為20V的DMN2300UFB4 N溝道MOSFET的導通電阻僅為150mΩ
，比同類解決方案低一半以上

，有助於大幅減少傳導損耗和功耗。而P溝道、20V 的DMN2300UFB4可提供類似的同類領先性能。這兩款MOSFET同時具備較高的靜電放電額定值 (ESD Rating)，分別為2kV和3kV。