芯片散熱的熱傳導計算
發布時間:2010-11-03
中心議題:
討論了表征熱傳導過程的各個物理量,並且通過實例,介紹了通過散熱過程的熱傳導計算來求得芯片實際工作溫度的方法
隨著微電子技術的飛速發展,芯片的尺寸越來越小,同時運算速度越來越快,發熱量也就越來越大,如英特爾處理器3.6G奔騰4終極版運行時產生的熱量最大可達115W,zhejiuduixinpiandesanretichugenggaodeyaoqiu。shejirenyuanjiubixucaiyongxianjindesanregongyihexingnengyouyidesanrecailiaolaiyouxiaodedaizoureliang,baozhengxinpianzaisuonengchengshoudezuigaowenduyineizhengchanggongzuo。
如圖1所示,目前比較常用的一種散熱方式是使用散熱器,用導熱材料和工具將散熱器安裝於芯片上麵,從而將芯片產生的熱量迅速排除。本文介紹了根據散熱器規格、芯片功率、環境溫度等數據,通過熱傳導計算來求得芯片工作溫度的方法。

圖1散熱器在芯片散熱中的應用
芯片的散熱過程
由you於yu散san熱re器qi底di麵mian與yu芯xin片pian表biao麵mian之zhi間jian會hui存cun在zai很hen多duo溝gou壑he或huo空kong隙xi,其qi中zhong都dou是shi空kong氣qi。由you於yu空kong氣qi是shi熱re的de不bu良liang導dao體ti,所suo以yi空kong氣qi間jian隙xi會hui嚴yan重zhong影ying響xiang散san熱re效xiao率lv,使shi散san熱re器qi的de性xing能neng大da打da折zhe扣kou,甚shen至zhi無wu法fa發fa揮hui作zuo用yong。為wei了le減jian小xiao芯xin片pian和he散san熱re器qi之zhi間jian的de空kong隙xi,增zeng大da接jie觸chu麵mian積ji,必bi須xu使shi用yong導dao熱re性xing能neng好hao的de導dao熱re材cai料liao來lai填tian充chong,如ru導dao熱re膠jiao帶dai、導熱墊片、導熱矽酯、導熱黏合劑、相轉變材料等。如圖2所示,芯片發出的熱量通過導熱材料傳遞給散熱器,再通過風扇的高速轉動將絕大部分熱量通過對流(強製對流和自然對流)的方式帶走到周圍的空氣中,強製將熱量排除,這樣就形成了從芯片,然後通過散熱器和導熱材料,到周圍空氣的散熱通路。

圖2芯片的散熱
表征熱傳導過程的物理量

圖3一維熱傳導模型
在圖3的導熱模型中,達到熱平衡後,熱傳導遵循傅立葉傳熱定律:
Q=K•A•(T1-T2)/L(1)
式中:Q為傳導熱量(W);K為導熱係數(W/m℃);A為傳熱麵積(m2);L為導熱長度(m)。(T1-T2)為溫度差。
熱阻R表示單位麵積、單位厚度的材料阻止熱量流動的能力,表示為:
R=(T1-T2)/Q=L/K•A(2)
對於單一均質材料,材料的熱阻與材料的厚度成正比;對於非單一材料,總的趨勢是材料的熱阻隨材料的厚度增加而增大,但不是純粹的線形關係。
對dui於yu界jie麵mian材cai料liao,用yong特te定ding裝zhuang配pei條tiao件jian下xia的de熱re阻zu抗kang來lai表biao征zheng界jie麵mian材cai料liao導dao熱re性xing能neng的de好hao壞huai更geng合he適shi,熱re阻zu抗kang定ding義yi為wei其qi導dao熱re麵mian積ji與yu接jie觸chu表biao麵mian間jian的de接jie觸chu熱re阻zu的de乘cheng積ji,表biao示shi如ru下xia:
Z=(T1-T2)/(Q/A)=R•A(3)
表麵平整度、緊固壓力、cailiaohouduheyasuomoliangjiangduijiechurezuchanshengyingxiang,erzhexieyinsuyouyushijiyingyongtiaojianyouguan,suoyijiemiancailiaoderezukangyejiangqujueyushijizhuangpeitiaojian。daorexishuzhiwutizaidanweichangdushangchansheng1℃dewenduchashisuoxuyaoderegonglv,shihenglianggutirechuandaoxiaolvdeguyoucanshu,yucailiaodewaizaixingtaiherechuandaoguochengwuguan,errezuherezukangshihengliangguochengchuanrenenglidewuliliang。

圖4芯片的工作溫度
芯片工作溫度的計算
如圖4的熱傳導過程中,總熱阻R為:
R=R1+R2+R3(4)
式中:R1為芯片的熱阻;R2為導熱材料的熱阻;R3為散熱器的熱阻。導熱材料的熱阻R2為:
R2=Z/A(5)
式中:Z為導熱材料的熱阻抗,A為傳熱麵積。芯片的工作溫度T2為:
T2=T1+P×R(6)
式中:T1為空氣溫度;P為芯片的發熱功率;Rweirechuandaoguochengdezongrezu。xinpianderezuhegonglvkeyicongxinpianhesanreqidejishuguigezhonghuode,sanreqiderezukeyicongsanreqidejishuguigezhongdedao,congerkeyijisuanchuxinpiandegongzuowenduT2。
實例列舉
下麵通過一個實例來計算芯片的工作溫度。芯片的熱阻為1.75℃/W,功率為5W,最高工作溫度為90℃,散熱器熱阻為1.5℃/W,導熱材料的熱阻抗Z為5.8℃cm2/W,導熱材料的傳熱麵積為5cm2,周圍環境溫度為50℃。導熱材料理論熱阻R4為:
R4=Z/A=5.8(℃•cm2/W)/5(cm2)=1.16℃/W(7)
由於導熱材料同芯片和散熱器之間不可能達到100%的結合,會存在一些空氣間隙,因此導熱材料的實際熱阻要大於理論熱阻。假定導熱材料同芯片和散熱器之間的結合麵積為總麵積的60%,則實際熱阻R3為:
R3=R4/60%=1.93℃/W(8)
總熱阻R為:
R=R1+R2+R3=5.18℃/W(9)
芯片的工作溫度T2為:
T2=T1+P×R=50℃+(5W×5.18℃/W)=75.9℃(10)
可見,芯片的實際工作溫度75.9℃小於芯片的最高工作溫度90℃,處於安全工作狀態。
如(ru)果(guo)芯(xin)片(pian)的(de)實(shi)際(ji)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(du)大(da)於(yu)最(zui)高(gao)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(du),那(na)就(jiu)需(xu)要(yao)重(zhong)新(xin)選(xuan)擇(ze)散(san)熱(re)性(xing)能(neng)更(geng)好(hao)的(de)散(san)熱(re)器(qi),增(zeng)加(jia)散(san)熱(re)麵(mian)積(ji),或(huo)者(zhe)選(xuan)擇(ze)導(dao)熱(re)效(xiao)果(guo)更(geng)優(you)異(yi)的(de)導(dao)熱(re)材(cai)料(liao),提(ti)高(gao)整(zheng)體(ti)散(san)熱(re)效(xiao)果(guo),從(cong)而(er)保(bao)持(chi)芯(xin)片(pian)的(de)實(shi)際(ji)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(du)在(zai)允(yun)許(xu)範(fan)圍(wei)以(yi)內(nei)。
- 芯片散熱的熱傳導設計
- 芯片的散熱過程
- 芯片工作溫度的計算
- 設計實例列舉
討論了表征熱傳導過程的各個物理量,並且通過實例,介紹了通過散熱過程的熱傳導計算來求得芯片實際工作溫度的方法
隨著微電子技術的飛速發展,芯片的尺寸越來越小,同時運算速度越來越快,發熱量也就越來越大,如英特爾處理器3.6G奔騰4終極版運行時產生的熱量最大可達115W,zhejiuduixinpiandesanretichugenggaodeyaoqiu。shejirenyuanjiubixucaiyongxianjindesanregongyihexingnengyouyidesanrecailiaolaiyouxiaodedaizoureliang,baozhengxinpianzaisuonengchengshoudezuigaowenduyineizhengchanggongzuo。
如圖1所示,目前比較常用的一種散熱方式是使用散熱器,用導熱材料和工具將散熱器安裝於芯片上麵,從而將芯片產生的熱量迅速排除。本文介紹了根據散熱器規格、芯片功率、環境溫度等數據,通過熱傳導計算來求得芯片工作溫度的方法。

圖1散熱器在芯片散熱中的應用
芯片的散熱過程
由you於yu散san熱re器qi底di麵mian與yu芯xin片pian表biao麵mian之zhi間jian會hui存cun在zai很hen多duo溝gou壑he或huo空kong隙xi,其qi中zhong都dou是shi空kong氣qi。由you於yu空kong氣qi是shi熱re的de不bu良liang導dao體ti,所suo以yi空kong氣qi間jian隙xi會hui嚴yan重zhong影ying響xiang散san熱re效xiao率lv,使shi散san熱re器qi的de性xing能neng大da打da折zhe扣kou,甚shen至zhi無wu法fa發fa揮hui作zuo用yong。為wei了le減jian小xiao芯xin片pian和he散san熱re器qi之zhi間jian的de空kong隙xi,增zeng大da接jie觸chu麵mian積ji,必bi須xu使shi用yong導dao熱re性xing能neng好hao的de導dao熱re材cai料liao來lai填tian充chong,如ru導dao熱re膠jiao帶dai、導熱墊片、導熱矽酯、導熱黏合劑、相轉變材料等。如圖2所示,芯片發出的熱量通過導熱材料傳遞給散熱器,再通過風扇的高速轉動將絕大部分熱量通過對流(強製對流和自然對流)的方式帶走到周圍的空氣中,強製將熱量排除,這樣就形成了從芯片,然後通過散熱器和導熱材料,到周圍空氣的散熱通路。

圖2芯片的散熱
表征熱傳導過程的物理量

圖3一維熱傳導模型
在圖3的導熱模型中,達到熱平衡後,熱傳導遵循傅立葉傳熱定律:
Q=K•A•(T1-T2)/L(1)
式中:Q為傳導熱量(W);K為導熱係數(W/m℃);A為傳熱麵積(m2);L為導熱長度(m)。(T1-T2)為溫度差。
熱阻R表示單位麵積、單位厚度的材料阻止熱量流動的能力,表示為:
R=(T1-T2)/Q=L/K•A(2)
對於單一均質材料,材料的熱阻與材料的厚度成正比;對於非單一材料,總的趨勢是材料的熱阻隨材料的厚度增加而增大,但不是純粹的線形關係。
對dui於yu界jie麵mian材cai料liao,用yong特te定ding裝zhuang配pei條tiao件jian下xia的de熱re阻zu抗kang來lai表biao征zheng界jie麵mian材cai料liao導dao熱re性xing能neng的de好hao壞huai更geng合he適shi,熱re阻zu抗kang定ding義yi為wei其qi導dao熱re麵mian積ji與yu接jie觸chu表biao麵mian間jian的de接jie觸chu熱re阻zu的de乘cheng積ji,表biao示shi如ru下xia:
Z=(T1-T2)/(Q/A)=R•A(3)
表麵平整度、緊固壓力、cailiaohouduheyasuomoliangjiangduijiechurezuchanshengyingxiang,erzhexieyinsuyouyushijiyingyongtiaojianyouguan,suoyijiemiancailiaoderezukangyejiangqujueyushijizhuangpeitiaojian。daorexishuzhiwutizaidanweichangdushangchansheng1℃dewenduchashisuoxuyaoderegonglv,shihenglianggutirechuandaoxiaolvdeguyoucanshu,yucailiaodewaizaixingtaiherechuandaoguochengwuguan,errezuherezukangshihengliangguochengchuanrenenglidewuliliang。

圖4芯片的工作溫度
芯片工作溫度的計算
如圖4的熱傳導過程中,總熱阻R為:
R=R1+R2+R3(4)
式中:R1為芯片的熱阻;R2為導熱材料的熱阻;R3為散熱器的熱阻。導熱材料的熱阻R2為:
R2=Z/A(5)
式中:Z為導熱材料的熱阻抗,A為傳熱麵積。芯片的工作溫度T2為:
T2=T1+P×R(6)
式中:T1為空氣溫度;P為芯片的發熱功率;Rweirechuandaoguochengdezongrezu。xinpianderezuhegonglvkeyicongxinpianhesanreqidejishuguigezhonghuode,sanreqiderezukeyicongsanreqidejishuguigezhongdedao,congerkeyijisuanchuxinpiandegongzuowenduT2。
實例列舉
下麵通過一個實例來計算芯片的工作溫度。芯片的熱阻為1.75℃/W,功率為5W,最高工作溫度為90℃,散熱器熱阻為1.5℃/W,導熱材料的熱阻抗Z為5.8℃cm2/W,導熱材料的傳熱麵積為5cm2,周圍環境溫度為50℃。導熱材料理論熱阻R4為:
R4=Z/A=5.8(℃•cm2/W)/5(cm2)=1.16℃/W(7)
由於導熱材料同芯片和散熱器之間不可能達到100%的結合,會存在一些空氣間隙,因此導熱材料的實際熱阻要大於理論熱阻。假定導熱材料同芯片和散熱器之間的結合麵積為總麵積的60%,則實際熱阻R3為:
R3=R4/60%=1.93℃/W(8)
總熱阻R為:
R=R1+R2+R3=5.18℃/W(9)
芯片的工作溫度T2為:
T2=T1+P×R=50℃+(5W×5.18℃/W)=75.9℃(10)
可見,芯片的實際工作溫度75.9℃小於芯片的最高工作溫度90℃,處於安全工作狀態。
如(ru)果(guo)芯(xin)片(pian)的(de)實(shi)際(ji)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(du)大(da)於(yu)最(zui)高(gao)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(du),那(na)就(jiu)需(xu)要(yao)重(zhong)新(xin)選(xuan)擇(ze)散(san)熱(re)性(xing)能(neng)更(geng)好(hao)的(de)散(san)熱(re)器(qi),增(zeng)加(jia)散(san)熱(re)麵(mian)積(ji),或(huo)者(zhe)選(xuan)擇(ze)導(dao)熱(re)效(xiao)果(guo)更(geng)優(you)異(yi)的(de)導(dao)熱(re)材(cai)料(liao),提(ti)高(gao)整(zheng)體(ti)散(san)熱(re)效(xiao)果(guo),從(cong)而(er)保(bao)持(chi)芯(xin)片(pian)的(de)實(shi)際(ji)工(gong)作(zuo)溫(wen)度(du)在(zai)允(yun)許(xu)範(fan)圍(wei)以(yi)內(nei)。
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