中心議題：

• RF射頻係統級封裝

解決方案：

• SMD電容的焊盤和互連線效應
• 互連線容差的阻抗特性和引線鍵合電感
• BBIC和RFIC主時鍾線之間的串擾

RF係統(如蜂窩電話)中通常包含多個集成電路(如基帶ASIC
，即BBIC以及RFIC收發機等)
，同時還包括大量電感
、電容及電阻。以前單個IC是以單芯片的形式進行封裝的，而RCL(電阻電容電感)元件都是分立的，采用表麵安裝器件(SMD)的形式進行封裝，然後把所有這些部件組裝在PCB或小型電路板上。

如果所要求的投放市場的時間較短
，這種方法會有一定的優勢。此外，由於組裝前可以對各單個部件(IC或SMD元件)進行測試，我們對板級組裝產品能夠實現正常功能具有足夠的信心。另外，在RF係統中，各類元件采用不同的技術製作而成，例如BBIC采用CMOS技術、收發機采用SiGe和BiCMOS技術
、RF開關采用GaAs技術等。係統芯片(SOC)的優勢是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術的限製

，因此不能有效利用上述各項技術的優勢。係統級封裝(SiP)可以對各種不同技術的不同電、熱和機械性能要求進行權衡，最終獲得最佳的性能。

由於成本和性能方麵的原因

，在管芯中使用大量電感和電容是不實際的。使用片外SMD電感通常能夠獲得更好的Q因數，並且片外SMD電(dian)感(gan)覆(fu)蓋(gai)了(le)較(jiao)寬(kuan)的(de)電(dian)感(gan)範(fan)圍(wei)，與(yu)典(dian)型(xing)要(yao)求(qiu)相(xiang)匹(pi)配(pei)。由(you)於(yu)大(da)去(qu)耦(ou)電(dian)容(rong)所(suo)占(zhan)麵(mian)積(ji)過(guo)大(da)

，把(ba)它(ta)製(zhi)作(zuo)在(zai)管(guan)芯(xin)裏(li)將(jiang)增(zeng)加(jia)成(cheng)本(ben)壓(ya)力(li)。我(wo)們(men)製(zhi)作(zuo)出(chu)一(yi)種(zhong)有(you)效(xiao)的(de)RF係統/子係統

，並證實把一定量的無源元件按照SMD形式進行封裝的方法在未來幾年中仍是最具吸引力的方法。

板級封裝方法已在業界廣泛應用，還有一種發展趨勢是把整體RF係統製作在很小的外形尺寸中。IC尺寸的縮小在技術方麵嚴格遵守摩爾定律(每18個月尺寸縮小一半)的發展規律，但在經濟方麵，為使IC尺寸不斷減小，卻把大量資金投入到新型IC產品的設計和製作中。此外
，芯片尺寸的下降對係統麵積來說並不十分重要，因為通常情況下，大多數SiP產品中的有源器件(IC封裝)都不會在電路板中占據過多的麵積。

在典型的RF設計中，60%-70%的係統麵積都被無源元件(如RCL
、濾波器
、平衡-非平衡混頻器)所占據。為了降低產品的整體尺寸
，迫切需要縮小這些無源元件的尺寸。在過去的幾年中
，SMD電感和電容的密度得到了明顯改進。目前市場上購買的大都是01005(250μm×125μm本征區域)SMD電感和電容元件
，這種產品對於RF應用來說已經足夠了。

那麼對於板級設計方法來說，下一階段的發展方向是什麼
？可不可以使用這種方法製作出更小外形因數的SiP產品

？使用更小尺寸的SMD無源元件無疑是降低係統整體尺寸的好方法
，但是必須以保證成本效益為前提。此時的問題是，01005SMD的組裝成本仍然居高不下(4倍於0201部件)
，而01005部件所使用的元件價格也相當高(4倍於0201部件)。

以矽技術為基礎的集成無源器件(IPD)成為另一種可能的解決方案。由於可實現電容和電感的高密度排列

，IPD基本上可以提供與較小SMD元件相同的外形因數，並且價格頗具吸引力。然而，如果隻集成幾個SMD，使用IPD技術就不具備什麼優勢了。但是如果集成到IPD係統中的SMD元件數超過10個
，或者如果RFSiP產品中還要使用其它無源功能電路(濾波器/平衡-非平衡混頻器)
，IPD解決方案就顯得頗具優勢了。總之，對於濾波器件來說
，采用矽IPD方案可使產品縮小2-3倍
，而對於平衡-非平衡轉換器件來說，采用矽IPD方案可使器件縮小3-4倍，且具有相同的功能特性。

為了尋求01005元件的低成本解決方案
，人們把先前板級解決方案中使用的所有部件都集成到單個封裝中(如圖1所示)。這種方法通過把芯片直接連接到襯底上，減少了單個封裝的冗餘麵積。這種方法的重要作用是縮短了芯片-芯片和芯片-無源元件(RCL/濾波器/平衡-非平衡轉換器)之間的互連長度，從而實現了良好的電特性。

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SiP設計比板級方法的互連長度更短。互連線的縮短一方麵可使電路性能得到改善(降低互連損耗、減少延遲和寄生效應)

；另一方麵可能增大互連線-互連線、元件-元件以及任何“相鄰”元件之間的耦合/串擾。對於板級應用來說這些相互作用不存在問題，因為板級封裝中部件/元件排列的相對較遠。

在通過芯片疊層結構實現數個IC垂直安裝的3D封裝中，RFSiP應用還要考慮不同芯片之間的串擾。帶有電磁屏蔽(EMI)功能的功率放大器通常進行單獨封裝以保證良好的隔離性。一般情況下不把它們集成在SiP中，本文對此不做討論。在後文中
，我們將著重討論SiP產品中常見的問題。

SMD電容的焊盤和互連線效應

雖然01005SMD電容已麵市一段時間，但是因為元件價格和組裝成本較高，並沒有成為RFSiP的普遍選擇。我們對帶有焊盤分布和互連線的0201SMD電容進行了研究。

我們可以從不同SMD銷售商那裏獲得0201電容的S參數，RFSiP設計師可以從銷售商的產品目錄中選擇所需的SMD電容(例如10pF)。此外，供應商還提供SMD元件的低頻(接近DC)電容值。由於存在寄生效應，不同頻率下獲得的等效電容與接近DC頻率下獲得的電容不同。因此RFSiP設計師必須對電容能否滿足其應用頻段(如2.4GHz)進行檢測。最好的檢測方式是把銷售商提供的S參數值用於係統級模擬過程，從而對其進行鑒定。

電路原理圖和與其相對應的實際電路之間的主要差異在於，實際電路/布線中表示出了連接和支撐SMD的互連和焊盤(附加部分)。在RF頻率下(如2.5GHz)，這些附加部分可能對電容產生“失調”作用
，這種作用不容忽視。圖2給出了這種現象的實例。0201元件的焊盤位於頂層(M1)
，它比本征0201占用麵積稍大，從而保證較高的組裝成品率。第二層(M2)通常為固體接地平麵層，M1和M2之間是介質層

，其厚度值具有一定的範圍要求。當介質層厚度從150.0μm向100.0μm和60.0μm轉變時，焊盤電容從77.8fF向90.6fF和113.0fF轉變。如果把這些焊盤用於1.0pFSMD電容
，包括焊盤電容在內的整體電容值將增大11.3%(使用60.0μm介質)，這個增大後的電容足以對RF電路的功能起到微調作用。


互連線的長度對BBIC封裝或大多數低頻應用來說不會產生明顯的影響，但對RF應用影響較大，在RFSiP設計中需要對此重點加以考慮。在電磁(EM)模擬過程中應關注互連線(長度和寬度)的電效應。但是對於SiP產(chan)品(pin)來(lai)說(shuo)，由(you)於(yu)使(shi)用(yong)了(le)大(da)量(liang)的(de)焊(han)盤(pan)和(he)互(hu)連(lian)線(xian)
，在(zai)進(jin)行(xing)整(zheng)體(ti)封(feng)裝(zhuang)模(mo)擬(ni)時(shi)，所(suo)有(you)焊(han)盤(pan)都(dou)被(bei)當(dang)作(zuo)總(zong)端(duan)口(kou)。這(zhe)種(zhong)多(duo)端(duan)口(kou)模(mo)擬(ni)通(tong)常(chang)需(xu)要(yao)大(da)量(liang)內(nei)存(cun)，並(bing)需(xu)要(yao)長(chang)時(shi)間(jian)才(cai)能(neng)完(wan)成(cheng)。

圖3是RF頻段下單個SMD焊盤的互連線長度對電容影響的簡單實例。在這種情況下，3.0pFSMD電容的一個電極連接在M2層上，形成接地電容。100.0μm寬的互連線與另一個電極連接在一起。在2.5GHz頻段下，1.0mm長的互連線可使SMD電容器的等效電容增長到4.9pF(增大了63%)。當然，互連線越短
，等效電容與本征電容(3.0pF)的值就越接近。然而，通常使用長互連線連接SMD元件是不可避免的。在這種情況下
，考慮互連線對電容的影響就顯得異常重要(有時把這種方法稱為對電容的微調)，否則SiP將無法正常工作。

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除互連線長度之外，互連線的寬度也會對RF電容產生影響。在襯底的製作過程中
，線寬通常會發生變化(舉例來說，與設計寬度相比，實際線寬的變化範圍為±10.0μm～±15.0μm)。如圖4所示，如果設計的互連線為1.0mm長，60.0μm寬，實際卻達到40.0μm寬，在2.5GHz下等效電容變化將達到5.3%(以3.0pF接地SMD電容為例)。如果把這種SMD電容用於濾波器中，對於RF應用來說，電容值5.3%的變化將導致約2.7%的頻移。我們必須對RF應用中含有SMD電容的RFSiP模塊的襯底製造容差進行細致研究。


具有互連線容差的阻抗特性和引線鍵合電感

在RFSiP中，RF溝道中通常要使用差分方式。大多數收發機和LNA采用差分輸入/輸出信號模式，從而獲得更好的噪聲抑製特性。由於需要額外的空間
，以保證特定互連線的寬度和間隔，並保持互連線與接地屏蔽/平麵之間的距離，因此在封裝產品中這些平行互連線的排列技術極具挑戰性。線寬/間(jian)隔(ge)容(rong)差(cha)對(dui)差(cha)分(fen)對(dui)的(de)阻(zu)抗(kang)特(te)性(xing)具(ju)有(you)極(ji)大(da)的(de)影(ying)響(xiang)。如(ru)果(guo)不(bu)能(neng)很(hen)好(hao)地(di)控(kong)製(zhi)這(zhe)一(yi)容(rong)差(cha)，結(jie)果(guo)仍(reng)將(jiang)顯(xian)示(shi)出(chu)差(cha)分(fen)信(xin)號(hao)特(te)性(xing)
，但(dan)回(hui)程(cheng)損(sun)耗(hao)和(he)插(cha)入(ru)損(sun)耗(hao)將(jiang)極(ji)大(da)地(di)增(zeng)大(da)，從(cong)而(er)不(bu)再(zai)具(ju)有(you)良(liang)好(hao)的(de)匹(pi)配(pei)特(te)性(xing)。

圖5顯示了鍵合引線電感是如何影響差分對連線的插入損耗的。在實例中
，100.0Ω差分對的長度為2.0mm。假設差分對的一端使用引線鍵合方式與RFIC連接，並把直接與引線長度相關的電感(L)設為可變值。正像回程損耗曲線圖表示的那樣，加上引線鍵合電感可使差分對偏離100.0Ω這一匹配條件，結果使插入損耗增大。在5.0GHz下
，0.5nH、1.0nH和1.5nH引線電感的插入損耗分別為0.2dB、0.5dB和1.2dB。即使達到極高的頻率
，疊層上的差分對本身仍具有良好的阻抗匹配特性。

這一點也在圖5(L=0nH的情況下)中表示出來，回程損耗在頻率高達10.0GHz時保持良好，這表明100.0Ω差分對本身具有良好的匹配和低損耗特性。顯然
，在高頻RFIC應用中，引線鍵合損耗成為顯著的問題。為了克服這一阻抗失配問題，RFIChefengzhuangshejishiyingxietonggongzuo，xunzhaoyutedingxinpianzukangxiangpipeidefengzhuangxingshi。zheyangkenengchuxianfeibiaozhunchafenduisheji，danshigaishejijiangyuyinxianjianhexinpianfeichangpipei。


對於高頻RF封裝來說，倒裝芯片解決方案可實現最小的互連電感，從而獲得期望的優良性能(低損耗、良好匹配)。但是用於引線鍵合結構中的RFIC設計不能直接用於倒裝芯片產品，即使使用了RDL(重新分布層)也是如此，主要是因為RFIC中的電感在倒裝芯片結構中所處的環境條件與引線鍵合結構中截然不同。

BBIC和RFIC主時鍾線之間的串擾

把BBIC和RFIC封裝在單個封裝係統（SiP）中時
，BBIC和RFIC信號可能出現相互幹擾。根據傅立葉分析法，BBIC（假如在20.0MHz或40.0MHz時鍾速度下）中的主時鍾信號線將產生高頻信號作用。以40.0MHz時鍾速率為例，其傅立葉級數到第60位時的頻率為60×40=2400MHz
，符合WiFiRFIC（2.4GHz-2.5GHz）通帶的範圍。由於主時鍾線路通常與BBIC中幾個電路元件相連接以獲得功能性
，因此靠近RF電路的可能性很大。在這種情況下，RF電路可能成為主時鍾信號的受害者，而產生於時鍾線的耦合信號將變成噪聲
，不僅可能增大RF電路的噪聲係數，還可能降低RF電路的選擇性。

為了對主時鍾線和RF元件之間的相互作用進行分析
，把壓控振蕩器(VCO)中使用的RF電感(6.0nH)放置在穿通多層襯底的時鍾互連線附近（圖6）。我們在這個研究中使用的互連線長為2.0mm。當VCO電感和互連線之間的橫向距離(d)大於0.5mm時
，產生的耦合信號將小於-80.0dB。耦合信號的實際要求由SiP係統級電設計決定。

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3D疊層芯片解決方案中主時鍾線與RFIC之間的串擾

使用疊層芯片法可以縮小封裝的整體麵積
，這種方法已廣泛應用於幾種複合器件封裝中：存儲器與控製器、存儲器與DSP以及其它數字應用。這種方法可以用於RFSiP封裝中嗎？在回答這個問題之前，我們應先了解RFIC的特殊性。

RF電路對任何鄰近的東西都非常敏感。正如我們了解的那樣
，附近的接地麵或互連線都會影響RF電感值
，從而影響RFIC的特性。在某種程度上，RF電路通常成為其它鄰近元件的受害者。

舉例來說，在疊層芯片結構中如果隻使用BBIC和RFIC，它們之間的垂直距離隻是BBIC或RFIC的de厚hou度du。正zheng如ru我wo們men了le解jie的de那na樣yang，在zai大da多duo數shu應ying用yong中zhong扁bian平ping封feng裝zhuang外wai形xing通tong常chang都dou是shi優you良liang的de品pin質zhi因yin數shu。因yin此ci，芯xin片pian的de厚hou度du受shou到dao限xian製zhi。在zai這zhe種zhong扁bian平ping外wai形xing封feng裝zhuang中zhong，使shiBBIC和RFIC之間保持良好的隔離並不是件容易的事。

為了在BBIC和RFIC器件之間實現最佳隔離特性，可以在它們之間使用一個金屬屏蔽層。但是這種方法將帶來意想不到的問題。首先，金屬屏蔽可能影響RFIC的性能，對我們所期待的響應產生潛在的“失調”作用。RFIC設計過程中應對金屬屏蔽效應產生足夠的重視

，使之在後續的SiP疊層芯片結構設計中不再出現問題。因此IC設計師和封裝設計師在IC設she計ji之zhi前qian就jiu應ying多duo方fang溝gou通tong。第di二er，增zeng加jia金jin屬shu屏ping蔽bi層ceng可ke能neng增zeng加jia組zu裝zhuang成cheng本ben，從cong而er增zeng加jia產chan品pin的de最zui終zhong成cheng本ben。在zai今jin天tian這zhe種zhong成cheng本ben導dao向xiang市shi場chang的de時shi代dai，隻zhi有you降jiang低di成cheng本ben才cai能neng獲huo得de高gao優you先xian權quan。

圖7給出了BBIC和RFIC采用SiP(為簡單起見，實例中未表示SMD元件)疊層芯片結構的實例。在這個實例中未使用金屬屏蔽層，使用環氧芯片粘接材料把BBIC直接堆疊在RFIC上。就像前文提到的那樣
，BBIC中的主時鍾信號(20.0MHz或40.0MHz)包含一些高頻成分，落在RF芯片通帶的範圍內。如果BBIC中時鍾互連線和RF芯片之間沒有保持足夠的隔離
，特別是在VCO電感中，主時鍾信號可能使RF電路產生噪聲，降低RF芯片的選擇性。


圖8表示了BBIC和RFIC電感之間的耦合強度(未使用隔離層)。假設BBIC和RFIC的厚度為250.0μm時
，對VCO電路中的3nH電感進行了研究。BBIC中主時鍾的互連線設置為1.2mm長。根據模擬結果
，當橫向距離(S)為100.0μm時
，2.5GHz下的隔離為-35dB。這一隔離值對大多數RF應用來說是不夠的。當橫向距離為700.0μm時，隔離值提高為-50dB，這個值對大多數RF應用來說仍然不夠。為保證VCO電感的性能，位於BBIC電感上方的主時鍾不能使用長互連線。根據以上分析，我們還應對RFSiP使用的疊層芯片法做進一步研究，從而判斷BBIC和RFIC器件之間出現嚴重相互幹擾的可能性。

RFSiP技術為更小外形因數RF產品的發展鋪平了道路。除了板級封裝和SiP方法存在的共性問題(互連線長度和寬度、SMD焊盤寄生效應、阻抗匹配等)以外


，SiP產品還存在一些特殊問題或擔憂，在成功實現這種產品之前必須解決這些問題。在板級封裝中
，一旦每塊電路/元件的功能正常，整個係統就可以正常工作
，因為單個部件在係統中與它們單獨工作時的狀況基本相同。

對於SiP來說，當所有的部件被擠進狹小的區域

，並且在疊層中采用致密布線時，肯定會出現更多的串擾
，從而使RF電路響應出現“失調”。因為涉及到多種不同的技術，需要建立通用模擬平台
，從而進行係統級鑒定。芯片電路設計(引腳排列等)和SiP設計技術應並行發展，特別是在早期設計階段
，這樣才能在芯片和SiP要求之間進行權衡，避免在後序形成係統時出現電衝突問題。