新聞事件：

• 恩智浦在“2010年國際微波研討會”上展示其適用更高效基站的高性能射頻產品

行業影響：

• 簡化了更緊湊和更高效解決方案的設計過程
• 恩智浦填補了行業內的各項空白

恩智浦半導體（NXP Semiconductors）最近宣布

，在加利福尼亞州阿納海姆舉行的“2010年IEEE MTT-S國際微波研討會”上，展示了其用於新一代基站的最新高性能射頻和混合信號產品。特色產品包括恩智浦新型高速數據轉換器組合——全球首個支持JEDEC JESD204A串行接口的數據轉換器——現已批量發售。恩智浦還展示了其基於SiGe:C技術的廣泛的射頻和中頻放大器產品組合
，包括低噪聲放大器（LNAs），以及固定和可變增益放大器，能夠實現無線基礎設施TRx無線電設計上的更高集成度。此外

，恩智浦也展示了其第七代 LDMOS功率晶體管，以及一個Doherty功率放大器的綜合產品組合

，其中包括業界首個三路900MHz Doherty放大器
，和一個高達600W的單封裝Doherty，這是一個可在大功率範圍保持高效率的緊湊型器件。

恩智浦半導體高級副總裁兼高性能射頻和照明業務總經理John Croteau表示，“隨(sui)著(zhe)無(wu)線(xian)數(shu)據(ju)流(liu)量(liang)的(de)巨(ju)幅(fu)增(zeng)長(chang)
，移(yi)動(dong)基(ji)礎(chu)設(she)施(shi)供(gong)應(ying)商(shang)正(zheng)在(zai)承(cheng)受(shou)著(zhe)將(jiang)高(gao)性(xing)價(jia)比(bi)和(he)低(di)功(gong)耗(hao)的(de)基(ji)站(zhan)快(kuai)速(su)推(tui)向(xiang)市(shi)場(chang)的(de)巨(ju)大(da)壓(ya)力(li)。從(cong)分(fen)立(li)器(qi)件(jian)到(dao)模(mo)塊(kuai)構(gou)件(jian)和(he)專(zhuan)用(yong)標(biao)準(zhun)產(chan)品(pin)(ASSP)
，恩智浦提供一係列的高性能射頻產品組合，簡化了更緊湊和更高效解決方案的設計過程”。“通過我們在JESD204A、SiGe:C和LDMOS等(deng)技(ji)術(shu)領(ling)域(yu)的(de)領(ling)導(dao)地(di)位(wei)
，以(yi)及(ji)我(wo)們(men)對(dui)係(xi)統(tong)層(ceng)麵(mian)架(jia)構(gou)創(chuang)新(xin)的(de)關(guan)注(zhu)，恩(en)智(zhi)浦(pu)填(tian)補(bu)了(le)行(xing)業(ye)內(nei)的(de)各(ge)項(xiang)空(kong)白(bai)，從(cong)低(di)功(gong)耗(hao)電(dian)網(wang)和(he)射(she)頻(pin)拉(la)遠(yuan)的(de)部(bu)署(shu)，到(dao)相(xiang)控(kong)陣(zhen)天(tian)線(xian)，以(yi)及(ji)很(hen)多(duo)其(qi)他(ta)的(de)特(te)別(bie)創(chuang)新(xin)。”

特色產品包括：

• 高速數據轉換器。恩智浦新型高速CGVTM ADCs和DACs在行業內首次運用JEDEC JESD204A串行接口，除大幅減少數據轉換器與VLSI邏輯器件之間的互聯信號數量外，還能夠支持多數據轉換器通道的同步結合。JEDEC JESD204A接口解決了棘手的係統設計難題
  ，提高了係統的可靠性，並減少了開發時間和材料用量（BOM）成本。恩智浦JESD204A接口CGV轉換器與來自Altera, Lattice及 Xilinx基於SERDES的FPGA實現互通操作。恩智浦ADC提供卓越的85dBc SFDR線性性能；比目前可用的典型高速數據轉換器高出5dB，且實現低功耗優化。高達16位，125 Msps 采樣率的恩智浦ADC支持很高的頻率輸入範圍，它把“射頻轉換器” 這一新的產品類別引入業界，並已得到了認可。
   
• 先進的小信號射頻器件。恩智浦將展示其射頻小信號的完整產品組合，其中包括基於SiGe:C工藝的突破性低噪聲放大器係列產品
  ，它滿足無線基礎設施非常苛刻的要求，即 NF小於0.7dB，20dB增益和33dBm IP3，實現了更高的集成度。其他重點包括通過恩智浦全麵射頻測試的基於矽工藝的固定和可變增益高線性度放大器產品係列，適用於IF和RF頻段，可實現P1dB最高達33dBm
  
  ，增益控製範圍超過30dB，模擬和數字SPI控製接口，OIP3達45dBm以上。
   
• 最佳射頻功率產品。恩智浦將展示其第七代 LDMOS大功率晶體管組合
  ，其功效表現出色，單端封裝200W，推挽（雙路）封裝250W和300W。如同所有的恩智浦LDMOS功率晶體管，第七代LDMOS高功率晶體管保障了基站可靠運行所需的耐用性。此外，恩智浦提供了全麵的最佳Doherty功率放大器
  ，覆蓋了無線基礎設施的整個頻率範圍，從 400到3500MHz 
  ，這在業界是最廣的。通過均在900兆赫環境下運行的業界首個三路Doherty放大器和基於恩智浦50V LDMOS處理技術的第一個單封裝600W Doherty功率放大器，恩智浦為射頻設計工程師提供了最佳選擇，並使非常緊湊的基站成為可能。三路Doherty電路可達52.7dBm峰值（平均功率44.1dBm），並具有49.2%的高效率。目前
  ，600W（57.8dbBm）單封裝電路在帶內49.2dBm輸出功率狀態下
  ，可實現超過43%的效率。此外，恩智浦將展示其獨有的專為緊湊型射頻拉遠和天線陣列設計的完全集成Doherty放大器。