DS4M-XO係列:Maxim超高頻晶體振蕩器
發布時間:2008-05-05
產品特性:
- 工作頻率:100MHz至300MHz
- ±5%級別頻率容限調節
- 5mm x 3.2mm 10引腳LCCC表貼封裝
- 集成SiGe工藝的低噪聲、基於PLL的振蕩器
應用範圍:
- PCI、PCI Express II
- InfiniBand以及Ethernet等應用
Maxim推出DS4M-XO係列晶體振蕩器,支持100MHz至300MHz工作頻率,並提供頻率容限調節功能,封裝尺寸為5.0mm x 3.2mm。DS4M-XO係列產品是首款提供±5%級(ji)別(bie)頻(pin)率(lv)容(rong)限(xian)調(tiao)節(jie)的(de)晶(jing)體(ti)振(zhen)蕩(dang)器(qi),通(tong)過(guo)簡(jian)單(dan)的(de)邏(luo)輯(ji)控(kong)製(zhi)即(ji)可(ke)實(shi)現(xian)產(chan)品(pin)的(de)頻(pin)率(lv)容(rong)限(xian)測(ce)試(shi),從(cong)而(er)省(sheng)去(qu)了(le)信(xin)號(hao)發(fa)生(sheng)器(qi)和(he)非(fei)標(biao)準(zhun)頻(pin)率(lv)振(zhen)蕩(dang)器(qi)。該(gai)係(xi)列(lie)晶(jing)體(ti)振(zhen)蕩(dang)器(qi)尺(chi)寸(cun)小(xiao)、性能高並且易於使用,可理想用於Ethernet、InfiniBand、PCI和PCI Express II等空間受限的場合。
DS4M-XO器件提供5mm x 3.2mm陶瓷封裝,內部集成了晶體,與同類產品相比可節省55%的空間。這些XO采用無泛音的AT切割基頻模式晶體製作,集成了采用Maxim專有的SiGe工藝設計的低噪聲、基於PLL的振蕩器。這種設計保證了在-40°C至+85°C擴展級溫度範圍內,其抖動低於1psRMS (12kHz至20MHz)。
該係列晶體振蕩器比基於SAW和三次泛音設計的晶體振蕩器更具競爭力。DS4M-XO器件提供極佳的長期老化性能(< ±7ppm)、在整個溫度範圍內具有良好的穩定性(< ±50ppm)、並且具有低相位抖動性能(< 1psRMS)以及提供更小的封裝(5mm x 3.2mm對比於5mm x 7mm)。另外,這些XO還具有頻率容限調節功能,而目前基於SAW和三次泛音振蕩器的設計均不具備該項功能。
DS4M-XO係列容限可調的XO能夠提供125MHz (DS4M125)、133MHz (DS4M133)和200MHz (DS4M200)的標準頻率。用戶如果需要使用其它頻率,需聯係工廠確定貨源和供貨周期。DS4M-XO器件提供節省空間的5.0mm x 3.2mm x 1.49mm、10引腳LCCC表貼封裝。芯片起價為$7.39 (1000片起,美國離岸價)。現備有樣品,以加速設計進程。
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