VJ係列:Vishay推出無磁性電容器用於MRI(磁力共振影像)設備
發布時間:2011-08-15 來源:Vishay Intertechnology, Inc.
產品特性:
- 無磁性材料製造
- 濕法製造工藝和可靠的貴金屬電極(NME)係統
- 多種外形尺寸、額定電壓和電容值器件
應用範圍:
- 用於MRI(磁力共振影像)設備
近日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用於MRI(磁力共振影像)設備的新係列無磁性表麵貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ。VJ係列無磁性電容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R電介質,提供多種外形尺寸、額定電壓和電容值器件。
近年在超高電磁場技術發展下MRI的最新技術可以大大提高影像的清晰度。用於MRI或周邊設備中的電子元器件要求采用不會幹擾磁場的無磁性元器件。為滿足這種需求,Vishay的VJ係列MLCC采用無磁性材料製造,在最後封裝之前針對磁特性進行了100%的安全篩選。
Vishay的VJ係列器件采用濕法製造工藝和可靠的貴金屬電極(NME)係統。Vishay的新款無磁係列電容器可以在使用導電環氧樹脂粘合或紅外回流焊的SMT工序中進行組裝。這電容器比含有磁性材料的標準電容器的幹擾較少。器件一般用在MRI設備、植入式醫療設備、對強磁性敏感的設備、電子測試係統和高端音頻放大器的濾波電路中。
VJ係列具有0402至3640共11種外形尺寸,可承受6.3VDC~3000VDC的額定電壓。器件的電容值範圍為0.5pF~56nF(采用C0G電介質)和100pF~6.8μF(采用X7R/X5R電介質),工作溫度範圍-55℃~+125℃。電容器的容值溫度係數(TCC)在-55℃~+125℃(C0G)條件下為±30ppm/℃,在-55℃~+85℃(X5R)條件下為±15%,-55℃~+125℃ (X7R)條件下為±15%。
器件符合RoHS指令2002/95/EC及符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定。
VJ係列無磁性電容器現可提供樣品,並已實現量產,標準訂貨的供貨周期為九周到十四周。
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