SMR3DZ: Vishay超高精度Z箔模塑表麵貼裝電阻
發布時間:2009-02-11
器件特性:
這些器件在 0°C~+60°(參考值為 +25°C)範圍內提供了±0.05 ppm/°C的低典型 TCR,在 55°C~+125°C(參考值為 +25°C)範圍內提供了±0.2 ppm/°C的TCR,在額定功率時提供了±5 ppm 的出色 PCR(∆R,由於自加熱),低至±0.01% 的容差,在±70°C、額定功率時具有2000 小時的0.005% (50 ppm) 負載壽命穩定性,以及低於0.1% 的報廢容差。這種出色的性能內置於每個設備中,並且不依賴剔除或其他人工方式便可實現統一的卓越性。
SMRxDZ 係列基於由Vishay 提出的新電阻理念,即利用該公司創建的專有 Bulk Metal 箔及最新的細光刻技術,這樣可將導體視為扁平線。由於使用的金屬在生產過程中不能以任何方式拉伸、纏繞或其它錯誤處理,因此 SMRxDZ 係列保留了其所有設計、物理及電氣特性。在生產之前、過程中及之後,這些因素都是可測量和可預測的。
SMR1DZ 與SMR3DZ 提供了符合MIL-PRF-55182 的屏蔽選擇。增強的電阻具有靈活的接頭,可確保最大程度地減小因熱膨脹係數 (CTE) 差異導致的 PCB 應力轉移。這些器件提供了5Ω~80kΩ 的廣泛電阻範圍,如同所有 Vishay 箔電阻一樣,它們不受限於標準值。Vishay 可 “按照需求”的值(例如 7kΩ 及 7.5678kΩ)提供器件,且無額外費用或交貨時間。
憑借Vishay Bulk Metal 箔bo電dian阻zu,在zai其qi整zheng個ge生sheng命ming周zhou期qi內nei隻zhi會hui出chu現xian最zui小xiao的de電dian阻zu值zhi改gai變bian。這zhe種zhong改gai變bian大da部bu分fen是shi在zai最zui初chu幾ji百bai小xiao時shi的de運yun行xing過guo程cheng中zhong發fa生sheng的de,此ci後hou幾ji乎hu沒mei有you明ming顯xian改gai變bian。SMR1DZ 在 +70°C 時額定功率為 250mW,而 SMR3DZ 在 +70°C 時額定功率為 600mW。這兩個器件均具有 ±0.005% 的負載壽命穩定性(+70°C 時使用壽命為 2000 小時);不足 0.1 ppm/V 的低電壓係數;低於 -40dB 的電流噪聲;0.1 µv/ºC 的低熱 EMF。它們均具有 1.0ns 的快速上升時間,高效且無振鈴,並且采用了無電感 (<0.08 μH)、無熱點的設計。
電子放電 (ESD) 中產生的電壓電平以及靜電取決於眾多因素(例如兩個主體之間的相似性及空氣濕度),並且可達到 25 kV 以上的電壓。SMR1DZ 與 SMR3DZ 電阻具有極高的ESD抗擾性,可經受住高達25 kV的靜電放電,因此具有更高的可靠性。
與模擬電路相關的穩定性問題非常普遍,但在關鍵位置明智地選擇一些高質量電阻、網絡或微調電位器kejidatigaodianluxingnengheyuyingyongxiangguandechangqixingneng,bingqiekeshishejirenyuangaozhenwuyou。ciwai,dangmingzhideshejirenyuanjiangchengbenjizhongyuyixiejiqiwendingdeyuanjianshitongchangkejiangdizhengtixitongchengben,erpingjiezhexieyuanjianyejingyanzhengdezuixiaopianyifuzaijihuanjingwendingxing,tongchangwuxushiyongewaibuchangdianluhuowenkongxitong。caiyong Z 箔技術的 SMRxDZ 係列是這一原則的良好典範。
目前,這些新型 Z 箔電阻的樣品及量產批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 5 周。
- 具有不足1秒的幾乎瞬時的熱穩定時間
- 0°C~+60°範圍內±0.05 ppm/°C的低典型TCR
- 在額定功率時提供了±5 ppm 的出色PCR,低至±0.01% 的容差
- 在±70°C、額定功率時具有2000 小時的0.005% (50 ppm) 負載壽命穩定性,以及低於0.1% 的報廢容差
- 消費電子
- 通信設備
這些器件在 0°C~+60°(參考值為 +25°C)範圍內提供了±0.05 ppm/°C的低典型 TCR,在 55°C~+125°C(參考值為 +25°C)範圍內提供了±0.2 ppm/°C的TCR,在額定功率時提供了±5 ppm 的出色 PCR(∆R,由於自加熱),低至±0.01% 的容差,在±70°C、額定功率時具有2000 小時的0.005% (50 ppm) 負載壽命穩定性,以及低於0.1% 的報廢容差。這種出色的性能內置於每個設備中,並且不依賴剔除或其他人工方式便可實現統一的卓越性。
SMRxDZ 係列基於由Vishay 提出的新電阻理念,即利用該公司創建的專有 Bulk Metal 箔及最新的細光刻技術,這樣可將導體視為扁平線。由於使用的金屬在生產過程中不能以任何方式拉伸、纏繞或其它錯誤處理,因此 SMRxDZ 係列保留了其所有設計、物理及電氣特性。在生產之前、過程中及之後,這些因素都是可測量和可預測的。
SMR1DZ 與SMR3DZ 提供了符合MIL-PRF-55182 的屏蔽選擇。增強的電阻具有靈活的接頭,可確保最大程度地減小因熱膨脹係數 (CTE) 差異導致的 PCB 應力轉移。這些器件提供了5Ω~80kΩ 的廣泛電阻範圍,如同所有 Vishay 箔電阻一樣,它們不受限於標準值。Vishay 可 “按照需求”的值(例如 7kΩ 及 7.5678kΩ)提供器件,且無額外費用或交貨時間。
憑借Vishay Bulk Metal 箔bo電dian阻zu,在zai其qi整zheng個ge生sheng命ming周zhou期qi內nei隻zhi會hui出chu現xian最zui小xiao的de電dian阻zu值zhi改gai變bian。這zhe種zhong改gai變bian大da部bu分fen是shi在zai最zui初chu幾ji百bai小xiao時shi的de運yun行xing過guo程cheng中zhong發fa生sheng的de,此ci後hou幾ji乎hu沒mei有you明ming顯xian改gai變bian。SMR1DZ 在 +70°C 時額定功率為 250mW,而 SMR3DZ 在 +70°C 時額定功率為 600mW。這兩個器件均具有 ±0.005% 的負載壽命穩定性(+70°C 時使用壽命為 2000 小時);不足 0.1 ppm/V 的低電壓係數;低於 -40dB 的電流噪聲;0.1 µv/ºC 的低熱 EMF。它們均具有 1.0ns 的快速上升時間,高效且無振鈴,並且采用了無電感 (<0.08 μH)、無熱點的設計。
電子放電 (ESD) 中產生的電壓電平以及靜電取決於眾多因素(例如兩個主體之間的相似性及空氣濕度),並且可達到 25 kV 以上的電壓。SMR1DZ 與 SMR3DZ 電阻具有極高的ESD抗擾性,可經受住高達25 kV的靜電放電,因此具有更高的可靠性。
與模擬電路相關的穩定性問題非常普遍,但在關鍵位置明智地選擇一些高質量電阻、網絡或微調電位器kejidatigaodianluxingnengheyuyingyongxiangguandechangqixingneng,bingqiekeshishejirenyuangaozhenwuyou。ciwai,dangmingzhideshejirenyuanjiangchengbenjizhongyuyixiejiqiwendingdeyuanjianshitongchangkejiangdizhengtixitongchengben,erpingjiezhexieyuanjianyejingyanzhengdezuixiaopianyifuzaijihuanjingwendingxing,tongchangwuxushiyongewaibuchangdianluhuowenkongxitong。caiyong Z 箔技術的 SMRxDZ 係列是這一原則的良好典範。
目前,這些新型 Z 箔電阻的樣品及量產批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 5 周。
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