然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術創造了空間和需求。這就是氮化镓（GaN）引人注目的地方。

 

作為一種寬帶隙晶體管技術
，GaN正在創造一個令人興奮的機會，以實現電力電子係統達到新的性能和效率。GaN的de固gu有you優you勢shi為wei工gong程cheng師shi開kai啟qi了le重zhong新xin考kao慮lv功gong率lv密mi度du的de方fang法fa，這zhe些xie方fang法fa在zai以yi前qian並bing不bu可ke能neng實shi現xian，如ru今jin能neng滿man足zu世shi界jie日ri益yi增zeng長chang的de電dian力li需xu求qiu。在zai這zhe篇pian文wen章zhang中zhong
，我wo將jiang探tan討tao如ru何he實shi現xian。

 

 

當涉及功率密度時，GaN為矽MOSFET提供了幾個主要優點和優勢，包括：

 

• 較低的RDS（on）：如表1所示

，GaN的MOSFET麵積為RDS（on）的一半。這直接使電路中傳導損耗降低了50％。因此，您可以在設計中使用較小的散熱器和更簡單的熱管理。

 

 

• 較低的柵極和輸出電荷：GaN提供較低的柵極電荷。與MOSFET的4nC相比
，典型的中壓器件具有大約1nC的柵極電荷（表2）。較低的柵極電荷使設計具有更快的導通時間和轉換速率
，同時減少損耗。

 

類似地，GaN具有顯著較低的輸出電荷（表2），這為每個設計帶來雙重優勢。首先，開關損耗下降多達80％，結合較低的傳導損耗
，對功率密度有重大和積極的影響。第二，根據拓撲和應用，設計可在更高的開關頻率運行高達10倍。這大大減少了磁性材料的尺寸以及設計的尺寸和占用空間，同時將整體效率提高了15%。

 

 

• 零反向恢複：矽MOSFET在50至60 nC範圍內具有典型的反向恢複電荷，具體取決於其尺寸和特性。當MOSFET關斷時，體二極管中的反向恢複電荷（Qrr）產生損失，從而增加了總的係統開關損耗。這些損耗與開關頻率成正比。如圖1所示，較高頻率下的Qrr損耗使得MOSFET在許多應用中變得不切實際。

 

 

1.相比GaN替代品，MOSFET的反向恢複電荷（Qrr）損耗在較高頻率下要大得多。

 

相比之下，GaN具有零反向恢複和零Qrr損耗，使GaN FET成為硬切換應用的理想選擇
，如稍後的示例所示。

 

 

不管所用的GaN類lei型xing如ru何he，柵zha極ji驅qu動dong設she計ji對dui於yu實shi現xian最zui佳jia的de整zheng體ti性xing能neng至zhi關guan重zhong要yao。一yi個ge糟zao糕gao的de柵zha極ji驅qu動dong設she計ji的de一yi個ge很hen好hao的de類lei比bi是shi在zai一yi級ji方fang程cheng式shi賽sai車che上shang使shi用yong街jie胎tai。

 

在設計柵級驅動器時，請注意以下幾個關鍵參數：

 

• 偏置電壓：重要的是將柵極偏置為最佳電壓以獲得最佳的開關性能，同時保護柵極免受潛在的過壓狀況。偏置電平隨類型和GaN製造工藝而異
，需要相應設置。具有鉗位或過壓保護電路也極其關鍵。

 

• 環路電感：由於GaN的高壓擺率和開關頻率，設計中的任何寄生電感都會在係統中引入損耗和振鈴。許多電感源存在於GaN FET和驅動器封裝中的引線和內部接合線以及印刷電路板（PCB）跡線的設計中。雖然可將其減少，但很難消除它們。諸如LMG3410的GaN功率級解決方案將驅動器和GaN FET集成到單個封裝中
，顯著降低了總體電感。

 

• 傳播延遲：短傳播延遲和良好匹配（針對半橋拓撲）對於高頻操作非常重要。25 ns的傳播延遲和1到2 ns的匹配是高頻（1 MHz或更高）設計的一個很好的起點。

 

 

2.如通過優化的驅動器設計的GaN開關波形所證明的
，GaN可以非常高速的轉換速率工作，並且使交換節點上的振鈴最小。

 

通過最佳的柵極驅動設計和PCB布局
，您可以非常高的轉換速率（》 100 V / ns）運行GaN

，使交換節點上的振鈴最小。圖2所示為這種設計的開關波形的示例。

 

 

由於其獨特的特性
，GaN幫助電源設計人員克服了不同係統和應用中功率密度方麵最困難的挑戰。這些好處不是來自於在現有設計中簡單地將MOSFET替換為等效GaN。GaN使得以前不可能使用矽MOSFET實現的新電路拓撲結構和/或工作模式變為現實。顯著的優勢導致新一代的產品尺寸更小、效率更高。我們來看一個這樣的示例。

 

功耗因數校正（PFC）在消耗大於75W的每個電氣或電子產品中是強製性的。PFC是shi位wei於yu電dian源yuan和he係xi統tong其qi餘yu部bu分fen之zhi間jian的de第di一yi個ge電dian源yuan轉zhuan換huan模mo塊kuai，並bing在zai任ren何he給gei定ding的de工gong作zuo點dian承cheng載zai整zheng個ge負fu載zai。因yin此ci，它ta直zhi接jie影ying響xiang整zheng個ge係xi統tong的de大da小xiao和he效xiao率lv。

 

已設計出不同拓撲的一代產品，旨在減小尺寸，同時滿足行業標準的效率。例如，在80 Plus中定義的效率水平對於鈦級電源需要96％的效率。

 

 

3.雙橋PFC拓撲通常用於許多大功率設計。

 

許多大功率係統（> 1 kW）采用雙橋拓撲結構（圖3）。隨著碳化矽（SiC）二極管和最新一代的超結MOSFET晶體管的引入，我們已經看到過去十年中功率密度方麵的改進。然而，這些改進已達到效率和功率密度的停滯期。

 

功率密度的顯著增加需要一種替代方法：

 

• 電源開關的數量

 

• 濾波電感的數量

 

• 電感器的尺寸

 

• 散熱片和冷卻元件的尺寸

 

一種替代方案是連續導通模式圖騰柱拓撲。這種拓撲結構充分利用了GaN的所有關鍵特性，最終導致尺寸更小、工作頻率更高的設計（圖4）。GaN的零反向恢複對於實現該拓撲特別重要。

 

 

4.圖騰柱PFC拓撲結構在降低工作頻率的同時降低設計尺寸，充分利用了GaN的零反向恢複。

 

表3總結了這種無橋PFC設計的幾個主要優點
，並做了進一步闡述：

 

• 電源開關：與雙橋拓撲相比，圖騰柱PFC替代了兩個超結MOSFET和兩個僅具有兩個GaN器件的SiC二極管。

 

• 濾波電感器：該拓撲結構消除了功率級中的一個龐大的濾波電感。電感器的去除及功率開關數量的減少也提高了整體係統的可靠性。

 

• 尺寸：由於GaN在高得多的開關頻率（通常為40至60 kHz條件下的MOSFET的四倍）條件下工作，您可使用較小的濾波電感。此外，GaN的較低開關損耗使得設計人員能夠在功率級中顯著縮小散熱片的尺寸。

 

• 效率：精心設計的圖騰柱PFC的高效率達99％以上。為了說明這一點
，在整個PFC階段
，1 kW的功耗消耗不到10W。

 

• 成本：由於其現有製造成本
，GaN器件的溢價將更高。然而
，鑒於此處節省的成本，係統總成本應與現有的MOSFET設計相當。

 

 

現代圖騰柱設計還利用數字功率控製器進一步提高效率，總諧波失真和其他關鍵設計參數。數字控製器（如C2000和UCD3138）可以智能地控製功率級操作
，實時優化效率，並響應線路和負載條件。

 

 

我們見證了需要更高功率的諸如雲計算、5G電信基礎設施、風電和太陽能電站及電動和混合動力汽車等行業的日益增長的需求。隨著矽MOSFET達到停滯期，設計人員正在探索寬帶隙技術，如GaN的下一個設計。

 

如PFC示例所示，GaN不僅提高了效率，而且將電源的尺寸大大降低了30%至50%。你可以在隔離或非隔離的dc-dc轉換器、逆變器和其它電源轉換子係統中使用GaN
，以顯著降低功耗、部件數量、重量和尺寸。