如(ru)果(guo)激(ji)光(guang)筆(bi)發(fa)射(she)出(chu)的(de)光(guang)線(xian)超(chao)過(guo)一(yi)定(ding)級(ji)別(bie)，無(wu)論(lun)是(shi)直(zhi)接(jie)或(huo)者(zhe)經(jing)過(guo)光(guang)亮(liang)物(wu)體(ti)反(fan)射(she)後(hou)進(jin)入(ru)人(ren)眼(yan)
，即(ji)使(shi)是(shi)很(hen)短(duan)的(de)時(shi)間(jian)
，也(ye)會(hui)對(dui)人(ren)眼(yan)造(zao)成(cheng)傷(shang)害(hai)。所(suo)以(yi)，多(duo)數(shu)國(guo)家(jia)都(dou)製(zhi)定(ding)有(you)激(ji)光(guang)安(an)全(quan)要(yao)求(qiu)，限(xian)定(ding)了(le)最(zui)大(da)發(fa)射(she)水(shui)平(ping)。本(ben)設(she)計(ji)實(shi)例(li)描(miao)述(shu)了(le)一(yi)種(zhong)激(ji)光(guang)驅(qu)動(dong)器(qi)
，它(ta)甚(shen)至(zhi)在(zai)一(yi)隻(zhi)1.5V電池放電到1V時也能工作
，用兩隻電流控製晶體管改善了在電量不足情況下的可靠性，並且允許過強的激光電流與發光。

如圖所示，晶體管Q1、Q2和Q3組成一個負阻抗，該阻抗大致可以表示為Z≈-β(VDD-VBE)/RF。假設所有晶體管的電流增益(β)相同，VBE是所有晶體管的基射電壓。通過RF提供反饋，R1用於偏置控製Q1集電極電流。電感器L1和寄生電容形成一個諧振電路
，該電路由於負阻抗而產生振蕩，因此在電池為1V時，會在Q1集電極產生大約3.5V的峰峰值。肖特基二極管D1和C1組成一個半波整流器
，為激光器陰極提供3V電壓
；VDD為1V，因此提供了4V的工作範圍，從而超過了激光器的閾值。

 

Q5和Q6控製激光器電流。激光組件內置的光電二極管用於監控激光亮度，並通過Q4發出負反饋，將Q5和Q6偏置在適當的集電極電流，保證所需激光亮度的穩定。Q5與Q6對(dui)為(wei)串(chuan)接(jie)
，所(suo)以(yi)，如(ru)其(qi)中(zhong)一(yi)個(ge)發(fa)生(sheng)故(gu)障(zhang)而(er)短(duan)路(lu)，另(ling)一(yi)個(ge)仍(reng)舊(jiu)能(neng)夠(gou)將(jiang)激(ji)光(guang)電(dian)流(liu)維(wei)持(chi)在(zai)安(an)全(quan)的(de)水(shui)平(ping)。兩(liang)個(ge)晶(jing)體(ti)管(guan)同(tong)時(shi)發(fa)生(sheng)故(gu)障(zhang)的(de)可(ke)能(neng)性(xing)要(yao)遠(yuan)低(di)於(yu)單(dan)隻(zhi)晶(jing)體(ti)管(guan)發(fa)生(sheng)故(gu)障(zhang)的(de)可(ke)能(neng)性(xing)。

 

編者按：由於激光和光電二極管效率的變動，可能要對R7進行調整
，以確保激光的輸出處於安全規範限製之內。