br /> 常規的負載電容20pF，負載電容就是32pF比較匹配。晶振的負載電容公式=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C，式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，Cic（集成電路內部電容）+△C（PCB上電容）經驗值為3至5pf。因此
，晶振的數據表中規定12pF的有效負載電容要求在每個引腳XIN與XOUT上具有22pF（2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生電容）。兩邊電容為Cg,Cd，負載電容為Cl，cl=cg*cd/(cg+cd)+a。就是說負載電容15pf的話，兩邊兩個接27pf的差不多了，

gezhongluojixinpiandejingzhenyinjiaokeyidengxiaoweidianrongsandianshizhendangqi。jingzhenyinjiaodeneibutongchangshiyigefanxiangqi
，huozheshiqishugefanxiangqichuanlian。zaijingzhenshuchuyinjiaoXO和晶振輸入引腳XI之間用一個電阻連接，對於CMOS芯片通常是數M到數十M歐之間。很多芯片的引腳內部已經包含了這個電阻,，yinjiaowaibujiubuyongjiele。zhegedianzushiweileshifanxiangqizaizhendangchushishichuyuxianxingzhuangtai，fanxiangqijiurutongyigeyouhendazengyidefangdaqi，yibianyuqizhen
，shiyingjingtiyelianjiezaijingzhenyinjiaodeshuruheshuchuzhijian，dengxiaoweiyigebinglianxiezhenhuilu，zhendangpinlvyinggaishishiyingjingtidebinglianxiezhenpinlv。jingtipangbiandelianggedianrongjiedi，shijishangjiushidianrongsandianshidianludefenyadianrong，jiedidianjiushifenyadian。yijiedidianjifenyadianweicankaodian
，zhendangyinjiaodeshuruheshuchushifanxiangde，dancongbinglianxiezhenhuilujishiyingjingtiliangduanlaikan，xingchengyigezhengfankuiyibaozhengdianluchixuzhendang。zaixinpianshejishi，zhelianggedianrongjiuyijingxingchengle，yibanshilianggederongliangxiangdeng。rongliangdaxiaoyigongyihebantuerbutong，danzhongguishibijiaoxiao
，buyidingshihehenkuandepinlvfanwei。waijieshidayueshishuPF到數十PF
，依頻率和石英晶體的特性而定。需要注意的是：這兩個電容串聯的值是並聯在諧振回路上的
，會影響振蕩頻率。當兩個電容量相等時，反饋係數是 0.5，一yi般ban是shi可ke以yi滿man足zu振zhen蕩dang條tiao件jian的de
，但dan如ru果guo不bu易yi起qi振zhen或huo振zhen蕩dang不bu穩wen定ding可ke以yi減jian小xiao輸shu入ru端duan對dui地di電dian容rong量liang，而er增zeng加jia輸shu出chu端duan的de值zhi以yi提ti高gao反fan饋kui量liang
，一yi般ban芯xin片pian的de Data sheet 上會有說明。

 

圖1：晶振

1.匹配電容-----負載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等於或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣並聯起來就接近負載電容了。

2．負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他(ta)是(shi)一(yi)個(ge)測(ce)試(shi)條(tiao)件(jian)，也(ye)是(shi)一(yi)個(ge)使(shi)用(yong)條(tiao)件(jian)。應(ying)用(yong)時(shi)一(yi)般(ban)在(zai)給(gei)出(chu)負(fu)載(zai)電(dian)容(rong)值(zhi)附(fu)近(jin)調(tiao)整(zheng)可(ke)以(yi)得(de)到(dao)精(jing)確(que)頻(pin)率(lv)。此(ci)電(dian)容(rong)的(de)大(da)小(xiao)主(zhu)要(yao)影(ying)響(xiang)負(fu)載(zai)諧(xie)振(zhen)頻(pin)率(lv)和(he)等(deng)效(xiao)負(fu)載(zai)諧(xie)振(zhen)電(dian)阻(zu)。

3．一般情況下，增大負載電容會使振蕩頻率下降，而減小負載電容會使振蕩頻率升高。

4．負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負fu載zai頻pin率lv不bu同tong決jue定ding振zhen蕩dang器qi的de振zhen蕩dang頻pin率lv不bu同tong。標biao稱cheng頻pin率lv相xiang同tong的de晶jing振zhen，負fu載zai電dian容rong不bu一yi定ding相xiang同tong。因yin為wei石shi英ying晶jing體ti振zhen蕩dang器qi有you兩liang個ge諧xie振zhen頻pin率lv，一yi個ge是shi串chuan聯lian揩kai振zhen晶jing振zhen的de低di負fu載zai電dian容rong晶jing振zhen：另(ling)一(yi)個(ge)為(wei)並(bing)聯(lian)揩(kai)振(zhen)晶(jing)振(zhen)的(de)高(gao)負(fu)載(zai)電(dian)容(rong)晶(jing)振(zhen)。所(suo)以(yi)，標(biao)稱(cheng)頻(pin)率(lv)相(xiang)同(tong)的(de)晶(jing)振(zhen)互(hu)換(huan)時(shi)還(hai)必(bi)須(xu)要(yao)求(qiu)負(fu)載(zai)電(dian)容(rong)一(yi)至(zhi)

，不(bu)能(neng)冒(mao)然(ran)互(hu)換(huan)，否(fou)則(ze)會(hui)造(zao)成(cheng)電(dian)器(qi)工(gong)作(zuo)不(bu)正(zheng)常(chang)。