當按下按鍵開關時
，C1通過低阻值電阻R2快速地充電到二極管D1的齊納電壓，而P溝道MOSFET Q1立即導通。當鬆開按鍵開關時，C1通過大阻值電阻R1緩慢地放電
，時間常數為R1C1秒。
在此期間， C 1失去了其初始電壓的63%—在延遲後從9V來到3V。Vishay SiliconixSi4435 的導通電阻與柵源電壓關係。一旦柵源電壓大於約3V，器件的導通電阻保持在小於0.1Ω
，因此對於高達1A的負載電流，獲得的壓降小於0.1V。
9.1V的齊納二極管D1使關斷時間延遲與電池電壓無關

，確保了柵源電壓不超過Q1的20V標稱最大電壓。因此，可以將此電路用於各種電池電壓，唯一限製選擇的因素是晶體管Q1的最大漏源電壓。對於3.6V至9V的電池
，D1和R1沒有用處(去掉D1並短路R2)，必須采用經典方程T =-R1C1loge(3/VBAT)來計算時間延遲，如表所示。當電池電壓低至1.5V時
，就要換用低飽和電壓的雙極晶體管
，並修改電路結構。

由於沒有快速關斷的反饋
，當C1緩慢放電到低於3V時，Q1要經過一個導通電阻逐漸升高的周期，這會臨時性地增加在關斷期間的功耗和發熱。一定考慮到這個效應

，Q1要適應於負載電流，並采用恰當的散熱片。