熱插拔電路的過熱保護方案性能比較
發布時間:2010-08-19
中心議題:
在分布式電源係統、高可用性服務器、cipanzhenlieyijidaidianchakadengyingyongshangxuyaocaiyongrechababaohudianlu。zhexiedianlutigongxianzhilangyongdianliubingfangzhiduanludegongneng,yixiaochuzaijiangkacharudibanshiyinzongxianguzhang、過載或短路而造成停止工作的損失。沒有可靠的熱插拔電路,像電信服務器這種高可用性服務器將不能工作。
熱(re)插(cha)拔(ba)保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)需(xu)要(yao)結(jie)合(he)控(kong)製(zhi)電(dian)路(lu)和(he)電(dian)源(yuan)組(zu)件(jian)。將(jiang)這(zhe)些(xie)功(gong)能(neng)集(ji)成(cheng)在(zai)一(yi)塊(kuai)單(dan)芯(xin)片(pian)電(dian)路(lu)上(shang),可(ke)以(yi)節(jie)省(sheng)成(cheng)本(ben)並(bing)增(zeng)加(jia)諸(zhu)如(ru)電(dian)流(liu)限(xian)製(zhi)以(yi)及(ji)過(guo)熱(re)保(bao)護(hu)等(deng)分(fen)離(li)器(qi)件(jian)方(fang)案(an)所(suo)不(bu)可(ke)能(neng)具(ju)備(bei)的(de)重(zhong)要(yao)功(gong)能(neng)。
斷路器解決方案
采用斷路器為分離式熱插拔電路提供過熱保護,是一種常用的方案。分離式熱插拔電路通常由一顆控製器、一顆單獨的功率FET、一顆功率感應電阻以及一些零散的偏壓器件構成。圖1weiyigecaiyongduanluqilaitigongguorebaohudedianxingfenlishirechabadianludedianlutu。zhezhongrechabadianluhenfuza,qishixianchengbenhengao,bingyouyixieguyoudewenti。

圖1:采用斷路器提供過熱保護的典型離散過熱保護電路。
非集成熱插拔電路的一個主要問題就是在短路和過載情況下的過熱保護問題。當發生短路時,該熱插拔電路必須承受不能超過功率FET的節溫。采用斷路器的做法這一點很難達到,因為功率FET的結溫是估計而不是測量得到的。
圖1所示的電路中,斷路器結合了限流的功能。它采用線性工作模式對FET進行偏置,使電流在一定的周期或時間內保持不變。也就是說,斷路器隻有在500μs限流被啟動後才動作。每當感應電阻的壓降大於500mV時,限流就被啟動。因此,功率FET的電流被限製在500mV/Rsense。
如果我們采用一個32mΩ的NTB52N10T4、100V的FET及一個5mΩ的感應電阻,在短路時FET的電流將被限製在10A,超過500μs斷路器就會關閉FET。圖2顯示-48V應用中的短路波形。
在該功率FET初始溫度為85℃的情況下,如果采用圖2中的電流和電壓,該FET在短路時的結溫可以用公式1來計算:

這裏Tj為結溫,TC為外殼溫度,PD為FET功率消耗RθJC(t)為瞬態熱阻,結麵到外殼間有500μs的脈衝。


圖2:斷路器短路波形。
計算出的結溫非常接近功率FET(NTB52N10T4)的額定溫度上限Tj(150℃),如果外殼溫度發生一個很小的變化,很容易便超過了它。
這正是為什麼斷路器解決方案通常需要進行過設計(over-designed)的主要原因。這對於在短路時使用較大的FET或並行的FETpeizhilaibimianguorehenzhongyao,zhehuidadazengjiarechabadianluzhengtidexitongchengben。ciwai,zhouweiwenduheqiliuwufakongzhidehenhao,yijizaiduanshijianneicunzaiduogeshunshimaichongdeyingyong,yehennanzhunquegujigonglvFET的結溫。
NTC熱敏電阻解決方案
一(yi)些(xie)提(ti)供(gong)商(shang)建(jian)議(yi)采(cai)用(yong)熱(re)敏(min)電(dian)阻(zu)作(zuo)為(wei)給(gei)熱(re)插(cha)拔(ba)電(dian)路(lu)提(ti)供(gong)過(guo)熱(re)保(bao)護(hu)的(de)另(ling)一(yi)種(zhong)方(fang)案(an)。熱(re)敏(min)電(dian)阻(zu)是(shi)一(yi)種(zhong)電(dian)阻(zu)隨(sui)其(qi)自(zi)身(shen)溫(wen)度(du)的(de)變(bian)化(hua)而(er)變(bian)化(hua)的(de)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian),這(zhe)些(xie)器(qi)件(jian)不(bu)是(shi)具(ju)有(you)正(zheng)電(dian)阻(zu)溫(wen)度(du)係(xi)數(shu)(PTC器件),就是具有負電阻溫度係數(NTC器件)。
[page]
一些提供商建議在熱插拔電路中使用的NTC熱敏電阻,由金屬氧化物構成,最常用的氧化物為錳、鎳、鈷、鐵、銅和鈦氧化物。製造商用的NTC熱敏電阻采用基本的陶瓷技術,與幾十年前的沒多大差別。

圖3:采用NTC熱敏電阻進行過熱保護的典型離散熱插拔電路。
圖3為一種典型的分離式熱插拔電路的原理圖,它采用NTC熱敏電阻來進行過熱保護。NTC熱敏電阻應當放置於離功率FET盡可能近(例如放在板的背麵)。圖3所示的電路熱保護的基本工作原理是,控製器ON引腳的電壓與NTC熱敏電阻上的溫度成反比,即隨著NTC熱敏電阻溫度的增加,ON引腳的電壓降低。熱敏電阻上的溫度與功率FET外殼的溫度直接成正比。
這種方法看起來很簡單,但它在采用NTC熱敏電阻來提供過熱保護時具有幾個固有的問題。其中一個問題就是,在NTC熱敏電阻上出現足夠高溫度(85℃)而需要降低控製器ON引腳的電壓到臨界值(0.6V)以下前,功率FET結的最大溫度很容易被超過。這是因為NTC熱敏電阻上的溫度完全取決於功率FET外殼溫度(TC)所傳遞的熱量,而FET的結溫不僅取決於外殼溫度和功耗,還取決於係統溫度的升高,這由周圍溫度、銅線麵積、氣流和其它許多因素決定。
容錯性問題也影響到NTC熱敏電阻和ON信號啟動電壓,這些錯誤可以導致係統關閉溫度發生顯著的變化。
如果我們采用和圖3電路相同的FETNTB52N10T4,對於一個12V、電流上限為10A的係統,可以計算出功率FET在超過結最大溫度150℃前,發生短路時外殼的最大溫度:


那麼


圖4:集成智能型熱插拔技術中NIS5101器件的功能框圖。
這表明該功率FET所允許的最大外殼溫度為66℃。因此,不可能采用圖3所示的電路來提供功率FET的過熱保護,因為圖3的溫度臨界值為85℃。
盡管可以采用一些方法來改變圖3中電路的溫度臨界值,但即使有可能,也很難對功率FET進行可靠的過熱保護。這不僅在於影響熱傳輸到NTC熱敏電阻的所有因素和條件,還因為這種做法在達到限流的一段時間後,並沒有定時電路來關閉功率FET。
集成智能熱插拔技術
智能型熱插拔(SMARTHotPlug)集成電路技術將控製功能和功率SENSEFET集成到單芯片上,從而節省設計時間並降低整個熱插拔應用中所需要的器件數目。其設計允許在一個48V底板上對電子設備進行安全的插入和拔出。該芯片的特點是既使用簡單,又是集成的解決方案。圖4為NIS5101組件的電路方塊圖。
該gai集ji成cheng器qi件jian包bao括kuo用yong戶hu可ke選xuan擇ze的de欠qian壓ya和he過guo壓ya保bao護hu級ji,以yi及ji一yi個ge可ke調tiao的de啟qi動dong限xian流liu,利li用yong一yi個ge電dian阻zu就jiu可ke將jiang電dian流liu從cong最zui大da值zhi向xiang下xia調tiao。它ta還hai集ji成cheng了le一yi個ge內nei部bu過guo熱re保bao護hu電dian路lu,從cong而er大da大da增zeng加jia了le短duan路lu和he過guo載zai情qing況kuang下xia該gai器qi件jian的de可ke靠kao性xing。
NIS5101器件的過熱保護電路提供了獨一無二的熱功能,它可以在短路和過載情況下保護功率SENSEFET。該電路通過內部感應二極管來感應SENSEFET的結溫,這些二極管特意地放置在功率SENSEFET的活躍區域。

圖5:SENSEFET與熱關斷電路。
如果超過了最大結溫,該過熱保護電路會從SENSEFET將柵極驅動移除,此做法將使器件因關斷而受到保護。圖5表示過熱保護電路的簡單原理圖。當結溫增加,感應二極管的正向電壓下降,從而觸發比較器,因此功率SENSEFET的柵極驅動關斷。
過熱保護電路在結溫達到135℃時便會動作,確保功率SENSEFET不會超過最大結溫,並且引腳溫度(105℃左右)不會損壞PCB。集成智能插拔技術具有兩種可選的過熱保護:自動重試和閉鎖(latch-off)類型。
自動重試類型存在一個額定的40℃的(de)遲(chi)滯(zhi)現(xian)象(xiang)。因(yin)此(ci),在(zai)一(yi)次(ci)過(guo)熱(re)保(bao)護(hu)後(hou),當(dang)溫(wen)度(du)降(jiang)致(zhi)由(you)遲(chi)滯(zhi)現(xian)象(xiang)所(suo)決(jue)定(ding)的(de)安(an)全(quan)級(ji)時(shi)將(jiang)自(zi)動(dong)重(zhong)啟(qi)。至(zhi)於(yu)閉(bi)鎖(suo)類(lei)型(xing),一(yi)旦(dan)器(qi)件(jian)達(da)到(dao)了(le)結(jie)溫(wen)極(ji)限(xian)135℃,它將一直保持關斷直到輸入電源再次被使用為止。
此新型過熱保護電路的關鍵之處就是功率SENSEFET的結溫是通過實際測量而不是估計的。由於該電路所提供的過熱保護不受其它次要因素,如瞬時脈衝、周圍溫度、係統氣流以及銅線麵積的影響,使其非常可靠及穩固。
盡jin管guan所suo有you的de解jie決jue方fang案an都dou對dui熱re插cha拔ba電dian路lu提ti供gong了le過guo熱re保bao護hu,每mei種zhong方fang案an在zai可ke靠kao性xing和he穩wen固gu性xing程cheng度du方fang麵mian都dou有you相xiang當dang大da的de差cha別bie。短duan路lu和he過guo載zai會hui對dui係xi統tong總zong線xian電dian壓ya產chan生sheng顯xian著zhu的de影ying響xiang,如ru果guo熱re插cha拔ba電dian路lu對dui這zhe些xie情qing況kuang不bu能neng適shi當dang控kong製zhi,可ke能neng在zai某mou些xie情qing況kuang下xia導dao致zhi係xi統tong崩beng潰kui。在zai短duan路lu和he過guo載zai條tiao件jian下xia不bu超chao過guo熱re插cha拔ba電dian路lu中zhong功gong率lvFET額定的結溫,讓係統總線電壓上產生問題的可能性降到最小,這是最關鍵的一點。
- 斷路器解決方案
- NTC熱敏電阻解決方案
- 集成智能熱插拔技術
- 保護電路需要結合控製電路和電源組件
- 使用較大的FET或並行的FET
- 采用NTC熱敏電阻來進行過熱保護
在分布式電源係統、高可用性服務器、cipanzhenlieyijidaidianchakadengyingyongshangxuyaocaiyongrechababaohudianlu。zhexiedianlutigongxianzhilangyongdianliubingfangzhiduanludegongneng,yixiaochuzaijiangkacharudibanshiyinzongxianguzhang、過載或短路而造成停止工作的損失。沒有可靠的熱插拔電路,像電信服務器這種高可用性服務器將不能工作。
熱(re)插(cha)拔(ba)保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)需(xu)要(yao)結(jie)合(he)控(kong)製(zhi)電(dian)路(lu)和(he)電(dian)源(yuan)組(zu)件(jian)。將(jiang)這(zhe)些(xie)功(gong)能(neng)集(ji)成(cheng)在(zai)一(yi)塊(kuai)單(dan)芯(xin)片(pian)電(dian)路(lu)上(shang),可(ke)以(yi)節(jie)省(sheng)成(cheng)本(ben)並(bing)增(zeng)加(jia)諸(zhu)如(ru)電(dian)流(liu)限(xian)製(zhi)以(yi)及(ji)過(guo)熱(re)保(bao)護(hu)等(deng)分(fen)離(li)器(qi)件(jian)方(fang)案(an)所(suo)不(bu)可(ke)能(neng)具(ju)備(bei)的(de)重(zhong)要(yao)功(gong)能(neng)。
斷路器解決方案
采用斷路器為分離式熱插拔電路提供過熱保護,是一種常用的方案。分離式熱插拔電路通常由一顆控製器、一顆單獨的功率FET、一顆功率感應電阻以及一些零散的偏壓器件構成。圖1weiyigecaiyongduanluqilaitigongguorebaohudedianxingfenlishirechabadianludedianlutu。zhezhongrechabadianluhenfuza,qishixianchengbenhengao,bingyouyixieguyoudewenti。

圖1:采用斷路器提供過熱保護的典型離散過熱保護電路。
非集成熱插拔電路的一個主要問題就是在短路和過載情況下的過熱保護問題。當發生短路時,該熱插拔電路必須承受不能超過功率FET的節溫。采用斷路器的做法這一點很難達到,因為功率FET的結溫是估計而不是測量得到的。
圖1所示的電路中,斷路器結合了限流的功能。它采用線性工作模式對FET進行偏置,使電流在一定的周期或時間內保持不變。也就是說,斷路器隻有在500μs限流被啟動後才動作。每當感應電阻的壓降大於500mV時,限流就被啟動。因此,功率FET的電流被限製在500mV/Rsense。
如果我們采用一個32mΩ的NTB52N10T4、100V的FET及一個5mΩ的感應電阻,在短路時FET的電流將被限製在10A,超過500μs斷路器就會關閉FET。圖2顯示-48V應用中的短路波形。
在該功率FET初始溫度為85℃的情況下,如果采用圖2中的電流和電壓,該FET在短路時的結溫可以用公式1來計算:
這裏Tj為結溫,TC為外殼溫度,PD為FET功率消耗RθJC(t)為瞬態熱阻,結麵到外殼間有500μs的脈衝。


圖2:斷路器短路波形。
計算出的結溫非常接近功率FET(NTB52N10T4)的額定溫度上限Tj(150℃),如果外殼溫度發生一個很小的變化,很容易便超過了它。
這正是為什麼斷路器解決方案通常需要進行過設計(over-designed)的主要原因。這對於在短路時使用較大的FET或並行的FETpeizhilaibimianguorehenzhongyao,zhehuidadazengjiarechabadianluzhengtidexitongchengben。ciwai,zhouweiwenduheqiliuwufakongzhidehenhao,yijizaiduanshijianneicunzaiduogeshunshimaichongdeyingyong,yehennanzhunquegujigonglvFET的結溫。
NTC熱敏電阻解決方案
一(yi)些(xie)提(ti)供(gong)商(shang)建(jian)議(yi)采(cai)用(yong)熱(re)敏(min)電(dian)阻(zu)作(zuo)為(wei)給(gei)熱(re)插(cha)拔(ba)電(dian)路(lu)提(ti)供(gong)過(guo)熱(re)保(bao)護(hu)的(de)另(ling)一(yi)種(zhong)方(fang)案(an)。熱(re)敏(min)電(dian)阻(zu)是(shi)一(yi)種(zhong)電(dian)阻(zu)隨(sui)其(qi)自(zi)身(shen)溫(wen)度(du)的(de)變(bian)化(hua)而(er)變(bian)化(hua)的(de)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian),這(zhe)些(xie)器(qi)件(jian)不(bu)是(shi)具(ju)有(you)正(zheng)電(dian)阻(zu)溫(wen)度(du)係(xi)數(shu)(PTC器件),就是具有負電阻溫度係數(NTC器件)。
[page]
一些提供商建議在熱插拔電路中使用的NTC熱敏電阻,由金屬氧化物構成,最常用的氧化物為錳、鎳、鈷、鐵、銅和鈦氧化物。製造商用的NTC熱敏電阻采用基本的陶瓷技術,與幾十年前的沒多大差別。

圖3:采用NTC熱敏電阻進行過熱保護的典型離散熱插拔電路。
圖3為一種典型的分離式熱插拔電路的原理圖,它采用NTC熱敏電阻來進行過熱保護。NTC熱敏電阻應當放置於離功率FET盡可能近(例如放在板的背麵)。圖3所示的電路熱保護的基本工作原理是,控製器ON引腳的電壓與NTC熱敏電阻上的溫度成反比,即隨著NTC熱敏電阻溫度的增加,ON引腳的電壓降低。熱敏電阻上的溫度與功率FET外殼的溫度直接成正比。
這種方法看起來很簡單,但它在采用NTC熱敏電阻來提供過熱保護時具有幾個固有的問題。其中一個問題就是,在NTC熱敏電阻上出現足夠高溫度(85℃)而需要降低控製器ON引腳的電壓到臨界值(0.6V)以下前,功率FET結的最大溫度很容易被超過。這是因為NTC熱敏電阻上的溫度完全取決於功率FET外殼溫度(TC)所傳遞的熱量,而FET的結溫不僅取決於外殼溫度和功耗,還取決於係統溫度的升高,這由周圍溫度、銅線麵積、氣流和其它許多因素決定。
容錯性問題也影響到NTC熱敏電阻和ON信號啟動電壓,這些錯誤可以導致係統關閉溫度發生顯著的變化。
如果我們采用和圖3電路相同的FETNTB52N10T4,對於一個12V、電流上限為10A的係統,可以計算出功率FET在超過結最大溫度150℃前,發生短路時外殼的最大溫度:


那麼


圖4:集成智能型熱插拔技術中NIS5101器件的功能框圖。
這表明該功率FET所允許的最大外殼溫度為66℃。因此,不可能采用圖3所示的電路來提供功率FET的過熱保護,因為圖3的溫度臨界值為85℃。
盡管可以采用一些方法來改變圖3中電路的溫度臨界值,但即使有可能,也很難對功率FET進行可靠的過熱保護。這不僅在於影響熱傳輸到NTC熱敏電阻的所有因素和條件,還因為這種做法在達到限流的一段時間後,並沒有定時電路來關閉功率FET。
集成智能熱插拔技術
智能型熱插拔(SMARTHotPlug)集成電路技術將控製功能和功率SENSEFET集成到單芯片上,從而節省設計時間並降低整個熱插拔應用中所需要的器件數目。其設計允許在一個48V底板上對電子設備進行安全的插入和拔出。該芯片的特點是既使用簡單,又是集成的解決方案。圖4為NIS5101組件的電路方塊圖。
該gai集ji成cheng器qi件jian包bao括kuo用yong戶hu可ke選xuan擇ze的de欠qian壓ya和he過guo壓ya保bao護hu級ji,以yi及ji一yi個ge可ke調tiao的de啟qi動dong限xian流liu,利li用yong一yi個ge電dian阻zu就jiu可ke將jiang電dian流liu從cong最zui大da值zhi向xiang下xia調tiao。它ta還hai集ji成cheng了le一yi個ge內nei部bu過guo熱re保bao護hu電dian路lu,從cong而er大da大da增zeng加jia了le短duan路lu和he過guo載zai情qing況kuang下xia該gai器qi件jian的de可ke靠kao性xing。
NIS5101器件的過熱保護電路提供了獨一無二的熱功能,它可以在短路和過載情況下保護功率SENSEFET。該電路通過內部感應二極管來感應SENSEFET的結溫,這些二極管特意地放置在功率SENSEFET的活躍區域。

圖5:SENSEFET與熱關斷電路。
如果超過了最大結溫,該過熱保護電路會從SENSEFET將柵極驅動移除,此做法將使器件因關斷而受到保護。圖5表示過熱保護電路的簡單原理圖。當結溫增加,感應二極管的正向電壓下降,從而觸發比較器,因此功率SENSEFET的柵極驅動關斷。
過熱保護電路在結溫達到135℃時便會動作,確保功率SENSEFET不會超過最大結溫,並且引腳溫度(105℃左右)不會損壞PCB。集成智能插拔技術具有兩種可選的過熱保護:自動重試和閉鎖(latch-off)類型。
自動重試類型存在一個額定的40℃的(de)遲(chi)滯(zhi)現(xian)象(xiang)。因(yin)此(ci),在(zai)一(yi)次(ci)過(guo)熱(re)保(bao)護(hu)後(hou),當(dang)溫(wen)度(du)降(jiang)致(zhi)由(you)遲(chi)滯(zhi)現(xian)象(xiang)所(suo)決(jue)定(ding)的(de)安(an)全(quan)級(ji)時(shi)將(jiang)自(zi)動(dong)重(zhong)啟(qi)。至(zhi)於(yu)閉(bi)鎖(suo)類(lei)型(xing),一(yi)旦(dan)器(qi)件(jian)達(da)到(dao)了(le)結(jie)溫(wen)極(ji)限(xian)135℃,它將一直保持關斷直到輸入電源再次被使用為止。
此新型過熱保護電路的關鍵之處就是功率SENSEFET的結溫是通過實際測量而不是估計的。由於該電路所提供的過熱保護不受其它次要因素,如瞬時脈衝、周圍溫度、係統氣流以及銅線麵積的影響,使其非常可靠及穩固。
盡jin管guan所suo有you的de解jie決jue方fang案an都dou對dui熱re插cha拔ba電dian路lu提ti供gong了le過guo熱re保bao護hu,每mei種zhong方fang案an在zai可ke靠kao性xing和he穩wen固gu性xing程cheng度du方fang麵mian都dou有you相xiang當dang大da的de差cha別bie。短duan路lu和he過guo載zai會hui對dui係xi統tong總zong線xian電dian壓ya產chan生sheng顯xian著zhu的de影ying響xiang,如ru果guo熱re插cha拔ba電dian路lu對dui這zhe些xie情qing況kuang不bu能neng適shi當dang控kong製zhi,可ke能neng在zai某mou些xie情qing況kuang下xia導dao致zhi係xi統tong崩beng潰kui。在zai短duan路lu和he過guo載zai條tiao件jian下xia不bu超chao過guo熱re插cha拔ba電dian路lu中zhong功gong率lvFET額定的結溫,讓係統總線電壓上產生問題的可能性降到最小,這是最關鍵的一點。
特別推薦
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電!聖邦微電子發布雙輸出電源芯片,簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端:金升陽推出1200W可編程電源,賦能高端裝備製造
技術文章更多>>
- 大聯大世平集團首度亮相北京國際汽車展 攜手全球芯片夥伴打造智能車整合應用新典範
- 2026北京車展即將啟幕,高通攜手汽車生態“朋友圈”推動智能化體驗再升級
- 邊緣重構智慧城市:FPGA SoM 如何破解視頻係統 “重而慢”
- 如何使用工業級串行數字輸入來設計具有並行接口的數字輸入模塊
- 意法半導體將舉辦投資者會議探討低地球軌道(LEO)發展機遇
技術白皮書下載更多>>
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
接口IC
介質電容
介質諧振器
金屬膜電阻
晶體濾波器
晶體諧振器
晶體振蕩器
晶閘管
精密電阻
精密工具
景佑能源
聚合物電容
君耀電子
開發工具
開關
開關電源
開關電源電路
開關二極管
開關三極管
科通
可變電容
可調電感
可控矽
空心線圈
控製變壓器
控製模塊
藍牙
藍牙4.0
藍牙模塊
浪湧保護器




