麵向高功率密度應用的I類陶瓷技術
發布時間:2023-01-28 來源:基美電子 責任編輯:lina
【導讀】無論是對通信、為(wei)大(da)量(liang)數(shu)據(ju)提(ti)供(gong)安(an)全(quan)可(ke)靠(kao)的(de)存(cun)儲(chu),還(hai)是(shi)對(dui)電(dian)動(dong)和(he)混(hun)合(he)動(dong)力(li)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)運(yun)輸(shu)來(lai)說(shuo),我(wo)們(men)的(de)社(she)會(hui)都(dou)越(yue)來(lai)越(yue)依(yi)賴(lai)於(yu)電(dian)力(li)。因(yin)此(ci),供(gong)電(dian)保(bao)障(zhang)對(dui)於(yu)享(xiang)受(shou)現(xian)代(dai)生(sheng)活(huo)至(zhi)關(guan)重(zhong)要(yao)。其(qi)中(zhong)一(yi)個(ge)最(zui)緊(jin)迫(po)的(de)議(yi)題(ti)就(jiu)是(shi)能(neng)源(yuan)效(xiao)率(lv)——部分原因在於電力成本不斷上升,以及我們希望保護發電用的自然資源。當轉用太陽能、風能等新能源,或考慮電子電路的冷卻要求時,效率是最重要的一個考慮因素。
無論是對通信、為(wei)大(da)量(liang)數(shu)據(ju)提(ti)供(gong)安(an)全(quan)可(ke)靠(kao)的(de)存(cun)儲(chu),還(hai)是(shi)對(dui)電(dian)動(dong)和(he)混(hun)合(he)動(dong)力(li)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)運(yun)輸(shu)來(lai)說(shuo),我(wo)們(men)的(de)社(she)會(hui)都(dou)越(yue)來(lai)越(yue)依(yi)賴(lai)於(yu)電(dian)力(li)。因(yin)此(ci),供(gong)電(dian)保(bao)障(zhang)對(dui)於(yu)享(xiang)受(shou)現(xian)代(dai)生(sheng)活(huo)至(zhi)關(guan)重(zhong)要(yao)。其(qi)中(zhong)一(yi)個(ge)最(zui)緊(jin)迫(po)的(de)議(yi)題(ti)就(jiu)是(shi)能(neng)源(yuan)效(xiao)率(lv)——部分原因在於電力成本不斷上升,以及我們希望保護發電用的自然資源。當轉用太陽能、風能等新能源,或考慮電子電路的冷卻要求時,效率是最重要的一個考慮因素。
全世界的工程師都在不斷尋求提高設備效率的方法,這些方法包括高級電路拓撲結構,例如諧振轉換器、智能電源管理和新材料的采用。在功率半導體領域,寬帶隙(WBG)器件正開始受到歡迎,它可以讓電源轉換器件在更高頻率、更(geng)高(gao)溫(wen)度(du)和(he)更(geng)高(gao)電(dian)壓(ya)下(xia)工(gong)作(zuo)。隨(sui)著(zhe)開(kai)關(guan)速(su)度(du)的(de)增(zeng)加(jia),電(dian)容(rong)器(qi)和(he)磁(ci)性(xing)器(qi)件(jian)等(deng)關(guan)鍵(jian)元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)尺(chi)寸(cun)可(ke)以(yi)減(jian)小(xiao),從(cong)而(er)可(ke)在(zai)更(geng)高(gao)的(de)電(dian)源(yuan)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)下(xia)提(ti)供(gong)更(geng)大(da)的(de)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)。
對(dui)提(ti)高(gao)效(xiao)率(lv)和(he)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)來(lai)說(shuo),由(you)於(yu)開(kai)關(guan)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)對(dui)任(ren)何(he)電(dian)源(yuan)係(xi)統(tong)中(zhong)的(de)靜(jing)態(tai)和(he)動(dong)態(tai)損(sun)耗(hao)都(dou)大(da)有(you)裨(bi)益(yi),因(yin)此(ci)人(ren)們(men)把(ba)大(da)部(bu)分(fen)眼(yan)光(guang)都(dou)集(ji)中(zhong)在(zai)了(le)這(zhe)類(lei)器(qi)件(jian)上(shang)。然(ran)而(er),在(zai)現(xian)有(you)基(ji)礎(chu)上(shang)要(yao)想(xiang)實(shi)現(xian)小(xiao)小(xiao)改(gai)進(jin)卻(que)越(yue)來(lai)越(yue)困(kun)難(nan)並(bing)且(qie)成(cheng)本(ben)也(ye)越(yue)來(lai)越(yue)高(gao),因(yin)此(ci)工(gong)程(cheng)師(shi)們(men)正(zheng)在(zai)尋(xun)找(zhao)其(qi)他(ta)方(fang)法(fa)來(lai)提(ti)高(gao)效(xiao)率(lv)。
suiranxuduogongchengshidourenweidianrongqiduiyudianyuanshejilaishuozhishizhichixingqijian,danyuelaiyueduoderenquerenshidaobixuyaotigaotamendexiaolv,jinertigaogonglvmidu。zaidianyuanshejizhong,dianrongqizaisangefangmianhuiduixitongxiaolvchanshengjijiyingxiang,meigefangmianduidianrongqideyaoqiulveyoubutong。
首先,緩衝器可能需要高dV/dT、高紋波電流、高電壓、高溫以及低電感。其次,直流鏈路需要高紋波電流、電壓、溫度和頻率。第三,諧振轉換器需要高紋波電流、寬工作電壓範圍,以及隨溫度和交直流電壓變化的電容穩定性。考慮到上述應用的綜合要求,電容器應具有極低的損耗、高紋波電流處理能力、能夠承受高電壓並接受更高的工作溫度,同時具有穩定的電容和高機械穩定性。為了使用寬帶隙半導體實現高密度、高效率的電源,必須使采用這些封裝的電容器具有高溫度和機械穩定性。
I類與II類多層陶瓷電容器(MLCC)
在市場上眾多類型的電容器中,陶瓷電容器(特別是多層MLCC)可以提供緩衝器、直流鏈路和諧振應用所需的關鍵特性。MLCC是shi通tong過guo對dui金jin屬shu電dian極ji層ceng和he陶tao瓷ci電dian介jie質zhi層ceng進jin行xing交jiao替ti而er形xing成cheng。每mei層ceng代dai表biao一yi個ge單dan獨du的de電dian容rong器qi,由you於yu它ta們men是shi並bing聯lian排pai列lie,因yin此ci增zeng加jia層ceng數shu可ke以yi提ti供gong更geng多duo的de電dian容rong。目mu前qian生sheng產chan的de絕jue大da多duo數shuMLCC是用賤金屬電極(BME)——具有鎳金屬電極——以及CaZrO3電介質(I類)或BaTiO3電介質(II類)來製作。

圖1:賤金屬電極MLCC的分解圖
穩定性
電介質是根據其在溫度下的電容穩定性而進行分類。I類包含的電介質(C0G、NPO、U2J)對溫度來說最為穩定,但它們的介電常數(K)最低,為了實現與更傳統類型的MLCC相同的電容,就需要更大的體積。II類包括的介電材料(X7R、X5R),溫度穩定性和K值居中。因此,與I類MLCC相比,II類提供的每單位體積電容更高。盡管II類MLCC具有更高的整體電容,但工程師必須要了解一些關鍵的設計考慮因素,從而避免在將它們用於電源應用時造成極大影響。
由於II類MLCC使用的是BaTiO3電介質,實際電容會受到工作溫度、所加直流偏置和上次加熱(老化)後所過時間的影響。電容對溫度的穩定性稱為溫度電容係數(TCC),它可以通過電子工業聯盟(EIA)的電介質分類(例如“X7R”)來確定。EIA對X7R的定義是工作溫度範圍為-55℃至125℃,最大電容限值為±15%。X5R具有相同的±15%電容限值,但工作溫度範圍為-55℃至85℃。電容對電壓(VCC)的穩定性也是一個重要考慮因素,但EIA未對其進行正式定義。但是,對於更高電容的II類MLCC來說,其電容在額定電壓下可能會降低多達80%,這會對應用產生相當大的影響。這種VCC特性也可能因供應商而異。除了溫度和電壓之外,電容也會因上次加熱後所過時間而減少。這稱為老化,通常在最後一次130℃以上加熱(通常是在製造過程中焊接零件時)過後每隔十個小時會降低2-5%。
然而,I類電介質與II類相比更加穩定。C0G等電介質的電容漂移僅為30ppm/℃或在125℃時僅為0.3%,可以忽略不計,而U2J是750ppm/℃或在125℃時為7.5%,但卻是線性並可以預測。C0G和U2J相對直流偏置的電容變化均可忽略不計,並且相對於時間(老化)也幾乎沒有變化。這些特性使得I類電介質非常適用於諧振應用,例如LLC諧振轉換器和無線充電電路——在這些應用中將電容保持在狹窄的公差範圍內非常重要。
等效串聯電阻
在電源應用中,除了電容穩定性之外,由於i2R損耗,等效串聯電阻(ESR)也是電容器的一項重要特性。圖2對II類X7R與I類C0G/U2J MLCC在從100Hz到100MHz時的ESR進行了對比。由於BaTiO3是種鐵電材料,因此與I類電介質相比,其會在電介質內產生疇區的特性,也會引起疇壁加熱和ESR增加。因此,II類MLCC與I類相比,通常其ESR會高出一到兩個數量級。

圖2:II類X7R和I類C0G/U2J之間的ESR比較
由於電源應用中的交流電流較大,因此MLCC ESR較大會直接導致過熱。圖3給出了X7R、C0G和U2J MLCC的溫度與交流電流的關係。數據顯示,C0G和U2J在10A時的自溫升約為15℃,而X7R僅在5A時溫升就達到了40℃。

圖3:II類X7R和I類C0G/U2J之間的紋波電流比較

圖4:II類X7R和I類C0G/U2J之間的關鍵特性比較
I類技術進展
由於采用I類BME電介質的MLCC具有高溫穩定性、低損耗和高紋波電流能力,因此其顯然是高功率密度應用的理想選擇。基美電子(KEMET)已使用獲得專利的I類BME CaZrO3電介質技術創建了產品組合,這進一步提高了針對緩衝器、直流鏈路和諧振應用的功率處理能力。
這類產品包括C0G高壓商用和汽車等級係列,可提供500到10,000VDC的寬電壓範圍,並采用0603至4540的EIA外殼尺寸。BME C0G CaZrO3電介質可實現極低的ESR、低ESL、高紋波電流處理能力和高dV/dT。
此電子元器件專家還推出了表麵貼裝KC-LINK 3640 220nF 500V陶瓷電容器,它采用CaZrO3介電材料製作,從而獲得了極低損耗的解決方案——ESR值從40kHz到1MHz皆低於4mΩ,在50kHz左右則低至2mΩ。因此,在105℃環境溫度和0VDC偏置下,其從50kHz到300kHz的典型紋波電流約為20A,如圖5所示。

圖5:KC-LINK阻抗、ESR和紋波電流
KONNEKT技術
即使應用使用高性能I類lei電dian介jie質zhi電dian容rong器qi設she計ji,通tong常chang其qi也ye需xu要yao提ti供gong更geng高gao等deng級ji的de電dian容rong,這zhe需xu要yao靠kao增zeng加jia電dian路lu板ban麵mian積ji來lai實shi現xian。但dan是shi,傳chuan統tong上shang,增zeng加jia電dian路lu板ban麵mian積ji會hui降jiang低di解jie決jue方fang案an的de功gong率lv密mi度du。因yin此ci,基ji美mei電dian子zi開kai發fa了leKONNEKT技術,這是一種麵向高效率、高密度電源應用的無引線多層片式解決方案,可以解決這一問題。KONNEKT使用瞬態液相燒結(TLPS)工藝來對I類MLCC進行組合,可以使用標準回流焊方法進行安裝。附錄中提供了一個例子,用來說明這項技術如何能夠提供高功率處理能力。
總結
qicheheshujuzhongxindengyingyongshejidaliangdianlishiyong,weilejiangdiqiyunyingchengben,tigaonengyuanxiaolvjiuchengweixiandaishijiedeyigezhongyaokaolvyinsu。suiranqijinweizhidabufenkaifagongzuodoujizhongzaidianlutuopuhebandaotixingnengshang,dandianrongqidengwuyuanyuanjianyehuiduidianyuanxiaolvchanshengzhongdayingxiang。
在電源應用中,包括C0G和U2J在內的I類材料具有極佳的穩定性,並且由於MLCC性能可以預測,因此設計人員可以實現精確公差。KONNEKT技術等新技術可以以較小的占位麵積提供大容量電容,因此可以顯著提高功率密度。
附錄
Box Out
KONNEKT——麵向高效率、高密度電源應用
圖6提供了一個具體示例,它說明可以使用KONNEKT技術對三個U2J 0.47mF F50V1812 MLCC進行連接,而以相同的占位麵積提供1.4mF的電容。以側麵方式(即“低損耗方向”)放置該組件還可以實現其他好處——這樣就可以實現更低的ESR、更低的熱阻和電感(ESL),並最終實現更高的功率處理能力。
在使用基於U2J電介質的1.4mF三MLCC模塊時,若以標準方向進行安裝,ESL為1.6nH,而若以低損耗方向安裝則可下降至僅0.4nH。同樣,在低損耗方向上,ESR也可以下降(從1.3mW減少到0.35mW),這樣就可減少係統損耗並限製元件的溫升。如圖7所示,在20A的紋波電流測試期間,紅外熱成像顯示標準方向安裝的溫度為65℃,而低損耗方向的溫度僅為35℃。因此,在標準方向上,電流處理降低到11.0A,而低損耗方向則可實現34.0A。KONNEKT U2J電容器具有極低的ESR和極高的紋波電流,因此對專為數據中心、無線充電和汽車應用所設計的LLC諧振轉換器來說非常適用。以低損耗方向安裝可以讓較少的電能轉換為熱量,從而提高能量效率。

圖6:(上)KONNEKT技術可在相同的占位麵積下增加電容,(下)標準方向與低損耗方向對比

圖7:(左)在20A紋波電流期間標準/傳統方向與低損耗方向KONNEKT U2J的熱成像對比,(右)電氣特性
(來源:基美電子(KEMET),作者:Mark Laps)
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