降低輸出噪聲的方法:使用前饋電容(CFF)
發布時間:2019-01-18 來源:德州儀器 責任編輯:lina
【導讀】本文為德州儀器公司Aaron Paxton的原創文章。如何減少輸出噪聲和控製壓擺率,可以為參考電壓(CNR/SS)並聯一個電容器。本文介紹另外一種降低輸出噪聲的方法:使用前饋電容(CFF)。
什麼是前饋電容?
前饋電容是一個可選的頂容器,與電阻分壓器的上半部電阻並聯,如圖 1 所示。

圖 1:使用前饋電容的NMOS低壓差穩壓器(LDO)
與降噪電容(CNR/SS)相似,添加前饋電容具有多種效果。最主要的是降噪,還包括改進穩定性、負荷響應和電源抑製比(PSRR)。(應用報告“使用前饋電容的低壓差穩壓器的優缺點,”詳盡討論了這些益處。)值得注意的是隻有使用可調節LDO時才能使用前饋電容,因為此時電阻網絡在外部。
降噪
LDO進行調節時會使用誤差放大器,而誤差放大器會使用電阻網絡(R1和R2)來提高參考電壓的增益,從而驅動FETdezhaji,zheyutongxiangfangdaqifeichangxiangsi。cankaodezhiliudianyajiangzengjia???bei。buguo,kaolvdaowuchafangdaqidedaikuan,ninhaikeyijiwangyucankaodianyamouxiejiaoliuyuanjiandefangdagongneng。
tongguoweidianzufenyaqishangbanbufendianzubingliandianrongqi,ninjiuzhenduitedingpinlvfanweiyinruleyigefenliuqi。huanyanzhi,ninshigaipinlvfanweineidejiaoliuyuanjiangongxianyudanweizengyi,cishiR1模擬短路的情況。(請牢記所用電容器的阻抗屬性,以便確定該頻率範圍。)
如圖 2 所示,您可以看到使用不同CFF值時,TPS7A91的噪聲下降效果。

圖 2:TPS7A91噪聲 vs. 頻率和CFF值
通過為電阻分壓器上半部分電阻並聯一個100nF電容器,可將噪聲從9μVRMS降至4.9μVRMS。
改進穩定性和瞬態響應
添加一個CFF還為LDO反饋環路引入了零點(ZFF)和極點(PFF),它們的計算見等式 1 和 2:
在達到發生單位增益的頻率之前就形成零點,可以改善相位裕度,如圖 3 所示。

圖 3:僅使用前饋補償的典型LDO的增益/相位圖
您可以看到如果沒有ZFF,單位增益的發生大約將提前約200kHz。通過添加零點,單位增益頻率向右移動了一點(~300kHz),但是相位裕度也增加了。由於PFF位於單位增益頻率的右側,所以它對於相位裕度的影響也最小。
在改進LDO的負荷瞬態響應後,將看到相位裕度的明顯增加。在相位裕度增加後,LDO輸出將減少振鈴並更快速穩定。
改善PSRR
取決於零點和極點的設置,您還可以巧妙減少增益漂移。圖 3 顯示了零點對從100kHz開始的增益下降的影響。通過提高頻段內的增益,您還將改進該頻段的環路響應。這會改善該特定頻率範圍的PSRR。參見圖4。

圖 4:TPS7A8300 PSRR vs. 頻率和CFF值
如圖所示,增加CFF電容值,會將零點推向左側。催生較低頻率範圍內產生更佳的環路響應和相應PSRR。
當然,您必須選擇CFF值和適當添加零點ZFF和極點PFF,這樣才不會造成不穩定。遵守上麵這個數據表給出的CFF限值,即可防止不穩定情況的出現。大電容值CFF會造成前述應用報告介紹的其他問題。
表 1 列出了有關CNR和CFF如何影響噪聲的經驗法則。

表 1:CNR和CFF vs 頻率
結論
正如本文論述的那樣,添加一個前饋電容可降噪,改進穩定性、負荷響應和PSRR。當(dang)然(ran),您(nin)必(bi)須(xu)仔(zai)細(xi)選(xuan)擇(ze)電(dian)容(rong)器(qi)才(cai)能(neng)維(wei)持(chi)穩(wen)定(ding)性(xing)。如(ru)果(guo)采(cai)用(yong)降(jiang)噪(zao)電(dian)容(rong)器(qi),交(jiao)流(liu)性(xing)能(neng)將(jiang)獲(huo)得(de)大(da)幅(fu)改(gai)善(shan)。這(zhe)些(xie)是(shi)您(nin)需(xu)要(yao)牢(lao)記(ji)以(yi)便(bian)優(you)化(hua)電(dian)源(yuan)的(de)幾(ji)個(ge)方(fang)法(fa)。
(作者:德州儀器Aaron Paxton)
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