過去幾年，使用電池供電的無繩工具和室外電力設備迅猛發展。推動這種趨勢的關鍵因素之一是使用壽命持久的 10 芯 36 V 鋰(li)離(li)子(zi)電(dian)池(chi)組(zu)的(de)問(wen)世(shi)。這(zhe)些(xie)電(dian)池(chi)具(ju)有(you)高(gao)能(neng)量(liang)密(mi)度(du)，非(fei)常(chang)適(shi)合(he)專(zhuan)業(ye)工(gong)具(ju)，也(ye)適(shi)合(he)傳(chuan)統(tong)有(you)繩(sheng)設(she)備(bei)
，甚(shen)至(zhi)是(shi)發(fa)動(dong)機(ji)驅(qu)動(dong)的(de)室(shi)外(wai)電(dian)力(li)設(she)備(bei)，例(li)如(ru)電(dian)鋸(ju)和(he)割(ge)草(cao)機(ji)。但(dan)是(shi)
，由(you)於(yu)能(neng)量(liang)密(mi)度(du)升(sheng)高(gao)，它(ta)們(men)更(geng)加(jia)需(xu)要(yao)高(gao)效(xiao)的(de)電(dian)池(chi)隔(ge)離(li)。

 

為了確保任何大量放電都以受控的方式進行，直至電池安全隔離和係統關閉電源
，我們需要非常穩定的高熱效率 MOSFET。按照標準 MOSFET 電壓額定值，對於 36 V 電池，設計人員會使用 60 V MOSFET。但是，對於 36 V 的標稱額定值，使用 50 V 或 55 V 的 MOSFET 比較理想。減小 MOSFET 電壓額定值，可為優化 SOA、ID 額定值和雪崩能力提供機會
，從而提高整體安全性和效率。

 

維持安全工作區至關重要

 

出現故障的情況下，當故障導致深度放電時，由於在高電流下電路電感兩端產生的電壓
，電池隔離 MOSFET 通常會進入線性模式。因此，維持穩定的安全工作區至關重要。Nexperia的 MOSFET 技術提供了出色的安全工作區功能，利用 50/55 V ASFET，我們優化了 1 ms 至 10 ms的放電性能。例如，這意味著，PSMN1R5-50YLH 能夠在 40 V 電壓下處理高達 5 A 的放電，持續 1 ms。

 

優化雪崩能力

 

電池隔離 MOSFET 通常放置在遠離負載的位置
，可能遭受非鉗位電感尖峰（UIS）。通過優化VDS電壓（50 V）
，使其更接近電池電壓（36 V）
，可幫助將耗散電能減少至少 20%（與 60 VDS 器件相比），並且可以避免潛在的故障。鑒於典型應用經常在惡劣環境下運行，雪崩事件可能很常見。Nexperia（安世半導體）的 PSMN1R5-50YLH 具有 2000 mJ（在 25 A 電流下）的單相雪崩額定值（EAS），能夠反複耐受此類事件。

 

擴展已經成熟的產品組合

 

隨著這些專用 50/55 V ASFET 的發布，Nexperia 成為率先專門針對 36 V 電池係統提供 50 V 額定值 MOSFET 的公司之一。該產品在 SOA、ID 額e定ding值zhi和he雪xue崩beng能neng力li方fang麵mian進jin行xing了le優you化hua
，同tong時shi保bao持chi良liang好hao的de導dao通tong電dian阻zu
，為wei設she計ji人ren員yuan提ti供gong了le非fei常chang穩wen定ding的de電dian池chi隔ge離li解jie決jue方fang案an。它ta提ti供gong業ye界jie領ling先xian的de性xing能neng，直zhi流liu電dian池chi額e定ding值zhi為wei 200 A
，計算的矽限製為 312 A
，外形尺寸為 5*6 mm，並基於 Nexperia 的成熟電池隔離 ASFET 產品組合構建。

 

 

 

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在於傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請聯係小編進行處理。

 

推薦閱讀：