防輻射矽仍然是空間電子領域的標杆
發布時間:2021-07-04 責任編輯:wenwei
【導讀】性能、可靠性和飛行傳統通常是空間應用電子產品的主要關注點。根據任務壽命和輪廓,設計人員在某些情況下可能會考慮使用商用現貨 (COTS) 部件。但是 COTS 電子設備與抗輻射(rad-hard)設備有很大不同。Si MOSFET等抗輻射組件經過設計、測試和驗證,可在最惡劣的工作條件下運行,例如長時間暴露在太空輻射中。
從設計的角度來看,重要的是在高可靠性空間應用中權衡使用抗輻射Si MOSFET與基於替代材料(例如GaN HEMT功率器件)的COTS器件的獨特考慮因素。在本文中,我們將著眼於電路設計的不同方麵,以更好地了解選擇其中一個的權衡。
隨著當今航天工業商業化程度的提高,設計人員在平衡性能、項目成本、任務概況和風險方麵麵臨更多挑戰。即使對於傳統的太空和公共部門參與者來說也是如此。數百家初創公司、大學研究人員,甚至普通群眾現在都在建造和發射廉價衛星,例如流行的 CubeSat 設計。通常以低地球軌道 (LEO) 為目標,任務長度為數月而不是數年,這些新的太空任務傾向於使用耐輻射或符合汽車標準的 COTS 電子設備來節省成本或研究新技術。
汽車級和COTS電子產品的成本要低得多,滿足工業應用的可靠性標準和性能基準,但在設計時並未考慮輻射穩健性。雖然一些COTS部件可能顯示出固有的輻射耐受性,但它們的設計可能會或可能不會達到與抗輻射組件相同程度的輻射。
使用COTSdianzishebeihuiyinruxuduoweizhiyinsu,lirujingyuanpicizhijiandebufentongzhixingheyizhixingyijibufenkezhuisuxing。weiletigaokongjianyingyongdezhixindu,cileishebeikenenghuizaishiyongqianyiewaifeiyongjieshoujinyibuceshi,chengweishengjishaixuan。zheyekuozhandaokuandaixiqijiandeshiyong,lirutanhuagui (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶體管。但是,即使進行了篩選,也不能保證。即使來自同一製造商,測試結果也可能有所不同。或者 COTS 部件可能無法按需要運行並在輻射條件下存活。所有這些都給項目增加了更多風險。
抗輻射電子提供對單個晶圓批次的可追溯性,因此在進行破壞性物理分析或其他篩選時,空間設計人員可以對部件的均勻性和長期性能(包括空間輻射和可靠性)充滿信心。更短、高冗餘、次年的任務和探索新技術的LEO衛星肯定會從COTS組件中受益。然而,對於“重大故障風險”是不可接受的長期任務,高可靠性電子設備的基準仍然是抗輻射矽。

太空輻射挑戰
輻(fu)射(she)在(zai)太(tai)空(kong)中(zhong)無(wu)處(chu)不(bu)在(zai),會(hui)對(dui)沒(mei)有(you)采(cai)取(qu)緩(huan)解(jie)措(cuo)施(shi)的(de)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)產(chan)生(sheng)負(fu)麵(mian)影(ying)響(xiang)。空(kong)間(jian)輻(fu)射(she)可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)兩(liang)種(zhong)主(zhu)要(yao)方(fang)式(shi)影(ying)響(xiang)功(gong)能(neng)。與(yu)管(guan)芯(xin)氧(yang)化(hua)層(ceng)相(xiang)互(hu)作(zuo)用(yong)的(de)輻(fu)射(she)會(hui)導(dao)致(zhi)長(chang)期(qi)累(lei)積(ji)損(sun)傷(shang),指(zhi)定(ding)為(wei)總(zong)電(dian)離(li)劑(ji)量(liang)。第(di)二(er)個(ge)影(ying)響(xiang)是(shi)單(dan)事(shi)件(jian)效(xiao)應(ying),可(ke)導(dao)致(zhi)可(ke)恢(hui)複(fu)的(de)單(dan)事(shi)件(jian)瞬(shun)態(tai)和(he)災(zai)難(nan)性(xing)故(gu)障(zhang)。當(dang)施(shi)加(jia)高(gao)電(dian)壓(ya)時(shi),快(kuai)速(su)而(er)重(zhong)的(de)粒(li)子(zi)撞(zhuang)擊(ji)柵(zha)極(ji)區(qu)域(yu)會(hui)導(dao)致(zhi)柵(zha)極(ji)氧(yang)化(hua)物(wu)上(shang)產(chan)生(sheng)高(gao)瞬(shun)態(tai)電(dian)場(chang),從(cong)而(er)導(dao)致(zhi)其(qi)破(po)裂(lie)。這(zhe)被(bei)稱(cheng)為(wei)單(dan)事(shi)件(jian)門(men)破(po)裂(lie)。漂(piao)移(yi)區(qu)中(zhong)的(de)類(lei)似(si)事(shi)件(jian)也(ye)可(ke)能(neng)導(dao)致(zhi)源(yuan)極(ji)和(he)漏(lou)極(ji)之(zhi)間(jian)的(de)短(duan)路(lu)。最(zui)好(hao)的(de)情(qing)況(kuang)是(shi)它(ta)隻(zhi)是(shi)一(yi)個(ge)瞬(shun)間(jian)的(de)非(fei)破(po)壞(huai)性(xing)短(duan)路(lu)。在(zai)最(zui)壞(huai)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia),使(shi)用(yong)抗(kang)輻(fu)射(she)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)可(ke)以(yi)防(fang)止(zhi)此(ci)類(lei)故(gu)障(zhang)機(ji)製(zhi)。例(li)如(ru),抗(kang)輻(fu)射(she)矽(gui)MOSFET最初是在1980年代推出的,使用設計和製造技術來降低對輻射暴露的敏感性。多年來,更穩健的設計、製造技術、篩選和認證已經發展到幾乎可以確保無故障的輻射性能。
最終,是使用抗輻射還是COTS電子設備取決於幾個因素——任務概況、性能參數、功能關鍵性、chengbendengdeng。zaimouxieqingkuangxia,xishengkekaoxinghekangfushenenglikenengshikejieshoudefengxian,yibangzhumanzuyusuanxianzhihuozairongyuhuobutaiguanjiandexitongzhongceshixinjishu。danshidangyouxiankaolvkekaoxingshi,liruduiyugaoduguanjiandegongnenghuochangqi、深空或行星際任務,抗輻射矽是明確的選擇。
簡化升級是關鍵
在(zai)這(zhe)個(ge)充(chong)滿(man)挑(tiao)戰(zhan)的(de)環(huan)境(jing)中(zhong),重(zhong)複(fu)使(shi)用(yong)經(jing)過(guo)驗(yan)證(zheng)的(de)技(ji)術(shu)是(shi)任(ren)務(wu)可(ke)靠(kao)性(xing)的(de)關(guan)鍵(jian)。使(shi)用(yong)經(jing)過(guo)飛(fei)行(xing)驗(yan)證(zheng)的(de)設(she)計(ji)可(ke)保(bao)持(chi)已(yi)證(zheng)明(ming)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)和(he)對(dui)長(chang)期(qi)成(cheng)功(gong)機(ji)會(hui)的(de)期(qi)望(wang)。電(dian)路(lu)板(ban)布(bu)局(ju)和(he)電(dian)路(lu)優(you)化(hua)是(shi)一(yi)項(xiang)主(zhu)要(yao)的(de)設(she)計(ji)、測試和評估投資,尤其是對於高可靠性應用。例如,在花費大量精力優化降壓轉換器的跡線寄生效應後,升級到更先進的下一代Si MOSFET比使用GaN等不同技術開始全新設計要簡單得多。新的尺寸兼容、更高效的 Si MOSFET(如 IR HiRel 的 R9)可以直接用於性能提升,而設計論證和重新認證所需的工作要少得多。
耐輻射 Si MOSFET
IR HiRel 的抗輻射 R9 MOSFET 係列是最新一代 Si 器件,專為應對需要高可靠性、穩健性和可追溯性的航天級電子挑戰而設計。簡單的插入式更換可以重複使用已建立的、經過飛行驗證的設計,以最少的努力提高係統效率,並降低高吞吐量衛星的每比特成本。設計人員受益於R9與各種柵極驅動器的兼容性、對寄生參數的更低敏感性、更高的電流能力以及在線性模式操作中比替代技術更好的 SOA。與上一代抗輻射MOSFET相比,這些矽器件還為空間應用設計人員提供了直接的性能和封裝改進,同時保持了既定和預期的可追溯性和可靠性水平。
概括
選擇正確的組件對於所有太空任務的成功至關重要,但許多因素——如任務概況、預算限製、風險等。隨著行業和技術的發展,設計人員會發現COTShekangfushezujiandeyongtu。raner,muqian,zhiyoukangfusheguiqijianzhanshileshushinianshiyongzhongjingguofeixingyanzhengdechuantong,jiashangwanshandezhilianghekekaoxingbiaozhunyijifengfudejishulijie。ciwai,jiezhukangfushegui,xitongshejirenyuankeyiquebaocileishebeifuheJANS和QPL標準,並且能夠滿足需要這些級別可靠性的任務的TOR要求。為了在空間應用中獲得最高水平的信心和可靠性。
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