全球約30%的發電量用於驅動工業應用中的電機。按絕對值計算，預計到2040nian，shijiegongyebumendenengyuanxiaohaoliangjiangfanyifan。suizherenmenduinengyuanchengbenheyouxianziyuanzaihuanjinghecaizhengfangmianderenshidetigao，tigaoyongdianqudongdiandongjixiaolvdebiyaoxingbiandegengjiatuchu。

 

低壓驅動器的要求

 

在低壓市場(標準型和緊湊型)中
，應用可分為輕型或重型。與驅動器觀點的主要區別在於，輕型電機和控製裝置通常必須在加速期間(如泵和風扇應用)維持110%的逆變器輸出電流過驅動(圖1)。重型電機和控製裝置通常需要設計成能夠承受高達150%額定逆變器電流的過驅動。這種較高的過載電流是由於傳送帶的加速階段造成的。

 

圖1:過載能力定義為在110%(輕型/正常負載)和150%(重載)之間加速運行期間高於額定電流的時間。

 

用於驅動器的IGBT7

 

電機驅動係統的獨特性和特殊性為IGBT的設計提供了新的途徑。有了正確的IGBT技術，就有可能創造出更適合滿足這些需求的模塊。這是英飛淩采用的最新一代IGBT技術，即IGBT7。在芯片層麵，IGBT7采用了微模式溝槽(MPT)
，其結構有助於顯著降低正向電壓並提高漂移區的電導率。對於中等開關頻率的應用，如電機驅動

，IGBT7比前幾代產品顯著降低了損耗。

 

IGBT7比上一代(IGBT4)提供的另一個改進是自由輪二極管，它也針對驅動應用進行了優化。此外，發射極控製二極管EC7的正向壓降現在比EC4二極管的正向壓降低100毫伏，具有改進的反向恢複軟性。

 

伺服驅動用SiC mosfet

 

suizhezidonghuachengdudetigao，duisifudianjidexuqiuyexiangyingzengjia。tamenjiangjingqueyundongkongzhiyugaoniujushuipingxiangjiehedenenglishiqifeichangshihezidonghuahejiqirenjishu。

 

英飛淩利用其製造專業知識和長期經驗，開發了一種SiC溝槽技術，其性能高於IGBT，但具有相當的魯棒性

，例如短路時間為2µs甚至3µs。英飛淩mosfet還解決了SiC器件固有的一些潛在問題，例如不需要的電容性開啟。此外，工業標準的TO247-3封裝中提供了sic mosfet，現在在TO247-4封裝中有更好的開關性能。除了這些TO封裝外，SiC MOSFET還提供Easy 1B和Easy 2B封裝。

 

1200伏冷卻係統™ 與相應的IGBT替代品相比，MOSFET提供了高達80%的開關損耗
，其額外的優點是損耗與溫度無關。然而，與IGBT7一樣，開關動作(dv/dt)也可以通過柵極電阻進行控製，從而提供更大的設計靈活性。

 

圖2:SiC MOSFET簡化了電機中的逆變器集成

 

因此，使用Cool SiC的驅動器解決方案™ MOSFET技術可以實現高達50%的損耗降低(假設dv/dt類似)
，基於較低的恢複、開啟、關閉和開啟狀態損耗。Cool SiC公司™ MOSFET的傳導損耗也比IGBT低
，特別是在輕負載條件下。

 

除了整體效率更高和損耗更低之外
，由SiC技(ji)術(shu)實(shi)現(xian)的(de)更(geng)高(gao)的(de)開(kai)關(guan)頻(pin)率(lv)對(dui)動(dong)態(tai)控(kong)製(zhi)環(huan)境(jing)中(zhong)的(de)外(wai)部(bu)和(he)集(ji)成(cheng)伺(si)服(fu)驅(qu)動(dong)器(qi)都(dou)有(you)直(zhi)接(jie)的(de)好(hao)處(chu)。因(yin)為(wei)在(zai)不(bu)斷(duan)變(bian)化(hua)的(de)電(dian)機(ji)負(fu)載(zai)條(tiao)件(jian)下(xia)
，電(dian)機(ji)電(dian)流(liu)的(de)響(xiang)應(ying)更(geng)快(kuai)。

 

在將整流器
、斬波器和逆變器集成到單個模塊中時

，在功率密度和開關效率方麵具有優勢，電機驅動器還需要閉環係統才能正確有效地工作。

 

更(geng)具(ju)體(ti)地(di)說(shuo)，無(wu)論(lun)使(shi)用(yong)何(he)種(zhong)開(kai)關(guan)技(ji)術(shu)，都(dou)必(bi)須(xu)有(you)正(zheng)確(que)的(de)門(men)驅(qu)動(dong)器(qi)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)。柵(zha)極(ji)驅(qu)動(dong)器(qi)需(xu)要(yao)將(jiang)用(yong)於(yu)開(kai)關(guan)設(she)備(bei)開(kai)關(guan)的(de)低(di)壓(ya)控(kong)製(zhi)信(xin)號(hao)轉(zhuan)換(huan)為(wei)開(kai)關(guan)本(ben)身(shen)所(suo)需(xu)的(de)高(gao)壓(ya)驅(qu)動(dong)信(xin)號(hao)。通(tong)常(chang)，控(kong)製(zhi)信(xin)號(hao)將(jiang)來(lai)自(zi)主(zhu)機(ji)處(chu)理(li)器(qi)。由(you)於(yu)每(mei)種(zhong)開(kai)關(guan)技(ji)術(shu)在(zai)輸(shu)入(ru)電(dian)容(rong)和(he)驅(qu)動(dong)電(dian)平(ping)方(fang)麵(mian)都(dou)有(you)其(qi)獨(du)特(te)的(de)特(te)性(xing)，因(yin)此(ci)與(yu)合(he)適(shi)的(de)柵(zha)極(ji)驅(qu)動(dong)器(qi)相(xiang)匹(pi)配(pei)是(shi)至(zhi)關(guan)重(zhong)要(yao)的(de)。作(zuo)為(wei)目(mu)前(qian)使(shi)用(yong)的(de)所(suo)有(you)電(dian)源(yuan)技(ji)術(shu)的(de)開(kai)發(fa)商(shang)和(he)供(gong)應(ying)商(shang)，英(ying)飛(fei)淩(ling)為(wei)其(qi)Si-mosfet
、Si-igbt
、SiC-mosfet和GaN-HEMTs提供優化的柵極驅動器。

 

kongzhihuiludezuihouyigetongyangzhongyaodebufenshichuanganqi
，tazaidianjihekongzhiqizhijiantigongbufenfankui。tongchangshiyongdianliuchuanganqilaidadaozheyimude。yingfeilingyijingkaifachuyizhonghuoerxiaoyingjiejuefangan，xiaochuleduitiecijizhongqidexuyao
，shiqigengjiandan，qinruxinggengxiao。zheshitachengweiwanquanjichengsifudianjidelixiangxuanze。

 

森西夫號™ 電流傳感器的範圍，如TLI4971，是(shi)差(cha)動(dong)霍(huo)爾(er)電(dian)流(liu)傳(chuan)感(gan)器(qi)，提(ti)供(gong)高(gao)磁(ci)場(chang)範(fan)圍(wei)和(he)低(di)偏(pian)移(yi)值(zhi)。此(ci)外(wai)
，它(ta)們(men)沒(mei)有(you)磁(ci)滯(zhi)現(xian)象(xiang)，並(bing)且(qie)具(ju)有(you)良(liang)好(hao)的(de)雜(za)散(san)場(chang)抗(kang)擾(rao)性(xing)。由(you)於(yu)采(cai)用(yong)了(le)無(wu)核(he)概(gai)念(nian)，它(ta)們(men)體(ti)積(ji)小(xiao)巧(qiao)，支(zhi)持(chi)高(gao)度(du)集(ji)成(cheng)，而(er)超(chao)低(di)功(gong)耗(hao)和(he)功(gong)能(neng)隔(ge)離(li)使(shi)它(ta)們(men)非(fei)常(chang)靈(ling)活(huo)和(he)可(ke)靠(kao)。

 

 

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