溫度對輸入偏置電流的影響
發布時間:2020-04-16 來源:Bruce Trump 責任編輯:wenwei
【導讀】之前我們看了CMOS和JFET放大器輸入偏置電流的來源,發現其主要由一個或幾個反向偏置的PN節的漏電流組成。如果沒看過該文章,請點擊這裏查看。文章結尾引出了一個警示,這些漏電流隨著溫度升高而顯著的增大。
PN節的反向偏置漏電流有很強的正溫度係數,每升高10℃,漏電流大約增大一倍。在figure1歸一化曲線中可以看出,這種指數增長使得漏電流快速增加。到125℃時,漏電流相對室溫下增長了約1000倍。

不同的二極管特性使得漏電流增加的速率不一樣,兩倍的漏電流可能在8℃到11℃左右的範圍內發生。這種高溫下的漏電流增長在一些電路中將會是重要問題,也可能是一個選擇在室溫下有著非常低輸入偏置電流的FET或CMOS運放很好的理由。某些情況下,為了實現高溫度下的低IB ,會使用在高溫度下IB沒那麼誇張增長的BJT運放。
一yi般ban我wo們men會hui假jia設she在zai低di溫wen時shi,漏lou電dian流liu也ye繼ji續xu降jiang低di,但dan是shi其qi他ta的de泄xie漏lou源yuan也ye許xu會hui改gai變bian這zhe種zhong趨qu勢shi。這zhe些xie雜za散san泄xie露lu可ke能neng會hui有you不bu同tong的de溫wen度du特te性xing。坦tan率lv說shuo,低di於yu室shi溫wen的de情qing況kuang我wo們men知zhi道dao的de較jiao少shao,因yin為wei我wo們men更geng關guan注zhu在zai室shi溫wen及ji室shi溫wen以yi上shang的de較jiao高gao的de泄xie露lu。我wo們men最zui好hao不bu要yao在zai遠yuan低di於yu室shi溫wen的de情qing況kuang下xia對dui其qi特te性xing太tai自zi信xin。在zai低di溫wen下xia更geng能neng成cheng為wei重zhong要yao問wen題ti的de是shi水shui可ke能neng會hui凝ning結jie,這zhe可ke以yi使shi得de泄xie露lu向xiang上shang猛meng增zeng。
之前討論過CMOSyunfangdeshurupianliuzhuyaolaiziyushurujishangfenbielianjiezaidianyuanguishangdelianggeqianweierjiguandefanxiangxieludianliudechayi。jishiyigewanquanpinghengdeshijie,lianggeyouzhejihuxiangtongxielutexingdeerjiguanzhijiandeloudianliucanyuchazhirengranyouzhexiangtongdezhishuwendubianhua,zhishichushi
值較低。IB 的極性是不確定的,並由於二極管特性的微小不同,淨餘的電流可能會在某個溫度下降到零(對數坐標圖上無法顯示其絕對數值)。
所以,什麼結論?如果在您的FET運(yun)放(fang)電(dian)路(lu)中(zhong)極(ji)低(di)的(de)輸(shu)入(ru)偏(pian)置(zhi)電(dian)流(liu)很(hen)關(guan)鍵(jian),則(ze)認(ren)真(zhen)考(kao)慮(lv)它(ta)隨(sui)溫(wen)度(du)上(shang)升(sheng)而(er)增(zeng)加(jia)的(de)特(te)性(xing)。學(xue)習(xi)全(quan)部(bu)的(de)參(can)數(shu)和(he)典(dian)型(xing)性(xing)能(neng)圖(tu)表(biao)。避(bi)免(mian)敏(min)感(gan)電(dian)路(lu)接(jie)近(jin)熱(re)源(yuan)。如(ru)果(guo)必(bi)要(yao)的(de)話(hua),製(zhi)作(zuo)您(nin)自(zi)己(ji)的(de)測(ce)量(liang)。對(dui)於(yu)真(zhen)正(zheng)關(guan)鍵(jian)的(de)應(ying)用(yong),有(you)特(te)殊(shu)用(yong)途(tu)的(de)超(chao)低(di)輸(shu)入(ru)偏(pian)置(zhi)電(dian)流(liu)的(de)放(fang)大(da)器(qi)。他(ta)們(men)用(yong)富(fu)有(you)創(chuang)造(zao)性(xing)的(de)保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)和(he)獨(du)特(te)的(de)引(yin)腳(jiao)排(pai)布(bu),實(shi)現(xian)室(shi)溫(wen)下(xia)3fA範圍內的IB,低於通用器件3個數量級。例如:
● LMP7721——3fA輸入偏置電流CMOS運算放大器
● INA116——超低輸入偏置電流儀表放大器
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