在這些傳感器中
，雖然SQUID可探測極小磁感應強度(fT)，但裝置需要低溫冷卻，並且易受電磁幹擾

，為此需要複雜的外圍設備;磁通門磁力計具有體積大、功耗大、運行範圍小和不能檢測靜態磁場的特性，限製了其應用;霍爾效應傳感器顯示增加靈敏度需靠增加功耗實現;而AMR傳感器則要求沉積磁性材料及自動校正係統，且在幾mT時易出現飽和;由於MEMS技術可以將傳統的磁傳感器小型化

，因此基於MEMS的磁傳感器具有體積小、性能高
、成本低、功耗低、高靈敏和批量生產等優點，其製備材料以Si為主，消除了磁傳感器製備必須采用特殊磁性材料及其對被測磁場的影響。本文對目前基於MEMS的磁傳感器在製備過程中涉及的主要設計
、製作，傳感技術及器件性質進行綜述，並對其未來發展進行展望。

 

1、MEMS磁傳感器設計及製作

 

1.1 MEMS磁傳感器設計

 

為了獲得高性能的MEMS磁傳感器，首先要根據器件的應用對象對器件進行設計，由此確定器件的結構
、使用的材料、應用的工作原理和感應技術等。MEMS設計人員可以根據模擬和建模工具選擇製造傳感器的最佳工藝和材料
，並預測MEMS磁傳感器的性能。同時設計人員必須考慮器件製作過程應遵從的材料生長
、器件製作、信號調製和感應技術的實現等規則，以避免發生影響傳感器性能的錯誤。在開發商用MEMS傳感器時，必須考慮以下幾點：優化器件結構設計;包裝設計；可靠的材料性能和標準製造工藝；合適的設計和仿真工具
；減少電子噪聲和寄生電容；可靠的信號處理係統；可靠的測試。

 

目前常使用的MEMS設計工具包括MEMSCAP

、CoventorWare
、IntelliSuite和Sandia Ultra-planar Multi-level MEMS Technology (SUMMiTV) 。這些設計工具具有創建傳感器版圖和檢查設計規則的模塊，並且可以模擬微加工過程的步驟，有利於減少獲得高性能MEMS磁傳感器的時間。

 

1.2 MEMS磁傳感器製作

 

通常
，MEMScichangchuanganqidezhizaokeyicaiyongtihuobiaomianweijiagonggongyilaishixian。youyuguijuyouhenhaodejixiehedianxuexingzhierbeiyonglaizuoweiqizhuyaojiagongcailiao
，liru，guijuyouzuixiaodejixiezhihouhejiejin1GPa的斷裂應力。此外
，矽在摻雜磷或硼後其電性能可得到明顯的改善。

 

體(ti)微(wei)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)是(shi)采(cai)用(yong)濕(shi)法(fa)和(he)幹(gan)法(fa)蝕(shi)刻(ke)技(ji)術(shu)，通(tong)過(guo)材(cai)料(liao)的(de)各(ge)向(xiang)同(tong)性(xing)和(he)各(ge)向(xiang)異(yi)性(xing)蝕(shi)刻(ke)製(zhi)備(bei)所(suo)需(xu)要(yao)的(de)材(cai)料(liao)結(jie)構(gou)。表(biao)麵(mian)微(wei)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)是(shi)通(tong)過(guo)在(zai)襯(chen)底(di)上(shang)進(jin)行(xing)不(bu)同(tong)材(cai)料(liao)層(ceng)的(de)沉(chen)積(ji)
，圖(tu)案(an)化(hua)和(he)蝕(shi)刻(ke)實(shi)現(xian)對(dui)MEMS器件的製造。通常
，這些層被用作結構和犧牲層。圖1分別給出了通過體加工和表麵微加工工藝製備的磁傳感器的SEM。

 

圖1 體加工和表麵加工獲得的SEM

 

2、傳感技術及MEMS磁傳感器

 

2.1 傳感技術

 

可以采用不同的傳感技術製備MEMS磁傳感器
，例如壓阻式、電(dian)容(rong)和(he)光(guang)學(xue)技(ji)術(shu)。這(zhe)些(xie)技(ji)術(shu)能(neng)夠(gou)將(jiang)磁(ci)場(chang)信(xin)號(hao)分(fen)別(bie)轉(zhuan)換(huan)成(cheng)電(dian)信(xin)號(hao)或(huo)光(guang)信(xin)號(hao)。在(zai)電(dian)信(xin)號(hao)檢(jian)測(ce)中(zhong)，當(dang)電(dian)源(yuan)受(shou)限(xian)或(huo)存(cun)在(zai)強(qiang)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)時(shi)，會(hui)影(ying)響(xiang)其(qi)應(ying)用(yong)。而(er)光(guang)信(xin)號(hao)檢(jian)測(ce)在(zai)強(qiang)電(dian)磁(ci)場(chang)作(zuo)用(yong)及(ji)長(chang)距(ju)離(li)傳(chuan)輸(shu)等(deng)條(tiao)件(jian)下(xia)應(ying)用(yong)比(bi)電(dian)信(xin)號(hao)檢(jian)測(ce)更(geng)有(you)優(you)勢(shi)
，因(yin)此(ci)常(chang)應(ying)用(yong)在(zai)極(ji)端(duan)場(chang)合(he)。此(ci)外(wai)，為(wei)了(le)獲(huo)得(de)高(gao)的(de)分(fen)辨(bian)率(lv)和(he)靈(ling)敏(min)度(du)，MEMS磁傳感器需要配有低電子噪聲和寄生電容的信號調製係統。

 

2.2 各類MEMS磁傳感器

 

V. Kumar等報道通過內部熱壓阻振蕩放大器實現的洛侖茲力諧振MEMS磁力計具有極高的靈敏度。他們采用偏置電流調諧方法，將諧振器的有效品質因子從680提高到1.14x10^6，已證明內部放大係數提高了1620倍。此外，諧振器偏置電流的增加除了改善器件的品質因子外
，也使器件的靈敏度提高了2400倍(從0.9 μV·nT^(-1)到 2.107 mV·nT^(-1)) 。在直流偏置電流為7.245 mA時，獲得最大靈敏度為2.107 mV·nT^(-1)，本底噪聲為2.8 pT·Hz^(-1/2)。

 

E. Mehdizadeh等報道了基於洛倫茲力在低電阻率n型SOI襯底上製造的MEMS磁傳感器，其主元件的SEM和電連接分別如圖2所示。該傳感器利用了雙板矽諧振器(厚度10 μm，其中之一具有10 μm x 200 nm的金線)，其中間設計的2個窄梁與2個Si板連接;當諧振器在平麵振動模式下振蕩時，它會受到周期性的拉伸和壓縮應力
，因此呈現壓阻特性。諧諧振器的品質因子在大氣壓下被放大(從1140到16900) 。此外，該傳感器可通過增加諧振器振動幅度來提高其靈敏度。在空氣中
，當諧振頻率為2. 6 MHz、品質因子為16900時，獲得傳感器靈敏度為262 mV/T。

 

圖2 壓阻式MEMS磁傳感器主元件的SEM和電連接

 

A. L. Herrera-May等製備了具有簡單諧振器和線性電響應的MEMS磁傳感器。它由穿孔板(472μm x 300 μm x 15 μm)
、4 個彎曲梁(18 μm x 15 μm x 15 μm) 
、2 個支撐梁(60 μm x 36 μm x 15 μm)和4個p型壓敏電阻構成的惠斯登電橋形成，見圖3。在SOI襯底上采用標準的體微加工工藝製造器件
，通過調整激勵電流控製器件的動態範圍使其保持線性電響應，獲得器件品質因子為419. 6、靈敏度為230 mV·T、分辨率為2. 5 μT
，功耗為12 mW。該傳感器適合應用於非破壞性的磁性測試及鐵磁材料缺陷和腐蝕的檢測。

 

圖3 MEMS磁傳感器主要部分的頂視圖和4個壓敏電阻組成的惠斯登電橋

 

Langfelder等製備了具有電容讀出的MEMS磁場傳感器
，該傳感器可檢測與諧振結構表麵垂直方向(z軸) 的磁場。它由一組固定定子和兩根細梁懸掛的梭子組成，形成2個差分平行板敏感電容器C1和C2，見圖4。具有傳感器共振頻率的梁，在通有電流時與磁場相互作用
，從而使2gexiliangshoudaoluolunzilizuoyong。zhegelichuizhiyucichanghejiaoliudianliusuogouchengdepingmian，daozhilianghepingxingbanchanshengweiyi
，gaiweiyikeyitongguochafendianrongdebianhualaijiance。chuanganqizaifengzhiqudongdianliuwei250 μA時的總靈敏度為150 μV·μT^(-1)、理論噪聲為557. 2 μV·Hz^(-1/2)、分辨率為520 nT·mA^(-1)·Hz^(-1/2)
、品質因子約328
、共振頻率為28.3 kHz。

 

圖4 由平行板、固定定子和2根細梁支撐的梭子形成的MEMS磁場傳感器的示意圖

 

M. Li等設計了由彎曲梁諧振器(1200 μm x 680 μm x 40 μm)組成的磁場傳感器。彎曲梁諧振器與載有電流的Si梁通過微杠杆機製耦合，諧振器借助彎曲梁的每一側的30個叉指電極實現靜電驅動和電容感應，獲得傳感器的靈敏度為6687 ppm·mA^(-1)·T^(-1)

、品質因子為540、諧振頻率為21.9 kHz (1 ppm = 10^(-6)) 。

 

Aditi等通過采用SOI和玻璃片的陽極鍵合技術製備了MEMS磁場傳感器。該器件製作工藝具有以下優點：低溫(≤400 ℃) 
、可靠
、可重複
、少的光刻步驟及可控電極間距離的能力。獲得傳感器功耗為0.45 mW
，分辨率為215 nT·Hz^(-1/2)。

 

B. Park等設計了由矽諧振器和緊湊型激光定位係統構成的磁場傳感器，如圖5所示。該係統具有光電探測器和激光二極管，用於監測電流偏置的反射鏡角位移。諧振器由塗覆有鋁層(2500 μm x 2500 μm x 0.8 μm)的矽膜(3000 μm x 3000 μm x 12 μm)組成
，膜由兩根扭轉彈簧(2100 μm x 100 μm x 12 μm)支撐
，寬度為30 μm、厚度為0. 8 μm的鋁線沉積在其上。施加的磁場與反向鏡的位移有關，當線圈偏置電流為50 mA時
，獲得傳感器的靈敏度為62 mV·μT^(-1)、共振頻率為364 Hz
、品質因子為116
、53 mHz帶寬的分辨率為0.4 nT
、本底噪聲為1.78 nT·Hz^(-1/2)。

 

圖5 具有光讀出的MEMS磁場傳感器和傳感器工作原理圖

 

M. Lara-Castro等提出在印刷電路板上實現的MEMS磁場傳感器的便攜式信號調製係統
，它配有能夠諧磁場傳感器的2個正弦信號發生器。磁場傳感器由共振矽結構(600 μm x 700 μm x 5 μm) 、1個鋁環(1 μm厚)和4個p型壓敏電阻組成的惠斯登電橋構成。2個信號發生器的頻率穩定度為±100 ppm
，分辨率為1 Hz。該係統中
，磁場與電壓有近似線性關係;大氣壓下靈敏度和分辨率分別為0.32 V/T和35 nT。

 

龍亮等采用MEMS磁扭擺和檢測差分電容構成了MEMS磁傳感器。磁扭擺是通過在雙端固定梁的矽薄膜上製作CoNiMnP永磁薄膜獲得，磁傳感器尺寸為3.7 mm x 2.7 mm x 0.5 mm
，製備的MEMS磁傳感器具有良好的線性，靈敏度為27.7 fF/mT
，最小可分辨磁場大小為36 nT。

 

3、展望

 

目前基於Lorentz力的MEMS諧振式磁傳感器主要通過壓阻、光(guang)學(xue)和(he)電(dian)容(rong)感(gan)測(ce)技(ji)術(shu)來(lai)檢(jian)測(ce)磁(ci)場(chang)。這(zhe)些(xie)技(ji)術(shu)可(ke)為(wei)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)提(ti)供(gong)研(yan)製(zhi)特(te)定(ding)應(ying)用(yong)場(chang)合(he)的(de)最(zui)佳(jia)傳(chuan)感(gan)器(qi)方(fang)法(fa)，例(li)如(ru)，壓(ya)阻(zu)感(gan)測(ce)適(shi)於(yu)采(cai)用(yong)體(ti)微(wei)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)實(shi)現(xian)和(he)簡(jian)單(dan)的(de)信(xin)號(hao)處(chu)理(li)係(xi)統(tong)。但(dan)壓(ya)阻(zu)感(gan)應(ying)存(cun)在(zai)電(dian)壓(ya)偏(pian)移(yi)
，且(qie)電(dian)阻(zu)易(yi)受(shou)溫(wen)度(du)影(ying)響(xiang)，因(yin)此(ci)係(xi)統(tong)中(zhong)需(xu)要(yao)提(ti)供(gong)溫(wen)度(du)補(bu)償(chang)電(dian)路(lu)。電(dian)容(rong)感(gan)測(ce)主(zhu)要(yao)通(tong)過(guo)表(biao)麵(mian)微(wei)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)實(shi)現(xian)，並(bing)將(jiang)所(suo)施(shi)加(jia)的(de)磁(ci)場(chang)轉(zhuan)換(huan)為(wei)電(dian)輸(shu)出(chu)信(xin)號(hao)。該(gai)技(ji)術(shu)具(ju)有(you)很(hen)小(xiao)的(de)溫(wen)度(du)依(yi)賴(lai)性(xing)
，並(bing)允(yun)許(xu)電(dian)子(zi)電(dian)路(lu)與(yu)磁(ci)傳(chuan)感(gan)器(qi)製(zhi)作(zuo)在(zai)同(tong)一(yi)芯(xin)片(pian)上(shang)。通(tong)常(chang)
，電(dian)容(rong)感(gan)應(ying)的(de)傳(chuan)感(gan)器(qi)在(zai)大(da)氣(qi)壓(ya)下(xia)具(ju)有(you)高(gao)的(de)空(kong)氣(qi)阻(zu)尼(ni)，為(wei)避(bi)免(mian)它(ta)的(de)影(ying)響(xiang)需(xu)要(yao)對(dui)器(qi)件(jian)進(jin)行(xing)真(zhen)空(kong)封(feng)裝(zhuang)才(cai)能(neng)提(ti)高(gao)其(qi)靈(ling)敏(min)度(du)。利(li)用(yong)光(guang)學(xue)敏(min)感(gan)技(ji)術(shu)製(zhi)備(bei)的(de)傳(chuan)感(gan)器(qi)由(you)於(yu)具(ju)有(you)抗(kang)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)的(de)特(te)性(xing)，因(yin)此(ci)係(xi)統(tong)中(zhong)所(suo)需(xu)要(yao)電(dian)路(lu)比(bi)電(dian)容(rong)和(he)壓(ya)阻(zu)敏(min)感(gan)技(ji)術(shu)的(de)少(shao)，可(ke)在(zai)惡(e)劣(lie)環(huan)境(jing)中(zhong)工(gong)作(zuo)，表(biao)麵(mian)和(he)體(ti)微(wei)加(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)均(jun)適(shi)用(yong)於(yu)這(zhe)種(zhong)傳(chuan)感(gan)技(ji)術(shu)的(de)優(you)點(dian)。然(ran)而(er)，這(zhe)些(xie)感(gan)測(ce)技(ji)術(shu)都(dou)存(cun)在(zai)著(zhe)由(you)於(yu)焦(jiao)耳(er)效(xiao)應(ying)而(er)導(dao)致(zhi)傳(chuan)感(gan)器(qi)結(jie)構(gou)發(fa)熱(re)的(de)問(wen)題(ti)
，這(zhe)會(hui)產(chan)生(sheng)熱(re)應(ying)力(li)和(he)諧(xie)振(zhen)器(qi)的(de)位(wei)移(yi)。為(wei)此(ci)，需(xu)要(yao)進(jin)一(yi)步(bu)對(dui)器(qi)件(jian)散(san)熱(re)
、諧振器機械可控性及真空封裝研究
，以確保獲得更好的MEMS磁傳感器性能。

 

隨著微納米技術的發展、微機械製造技術的成熟
，越來越多的傳感器開始向著集成化、智能化和網絡化方向發展，它們已成為工業生產實現智能製造的重要動力。其智能應用主要在如下幾方麵：

 

(1) 傳感技術。構建傳感器網絡係統，保證對信息進行搜集、整合與傳輸，使工業生產過程得到更有效的控製。

 

(2) 數控生產。總主線模式通過在線診斷，實現對整體工業生產線的儀表控製。

 

(3) 自動生產和機械。利用自動化技術開展機械生產，可顯著提高生產效率和質量。

 

4
、結束語

 

本文綜述了通過體加工和表麵加工方法、利用壓阻、電容和光學技術製備的基於洛倫茲力的MEMS磁傳感器，並介紹了各種結構磁傳感器的靈敏度
、品質因子

、噪聲和探測極限等特性。隨著納米技術、集成化技術以及封裝技術的不斷發展，更多高性能、同時可監測多個物理量的智能傳感器會不斷出現。

 

 

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