中心議題：

• 靜電釋放的危害和ESD保護的重要性
• 相對於MLV，TVS在ESD保護方麵的比較優勢

解決方案：

• TVS采用矽芯片技術，可以得到比MLV更小的元件封裝尺寸
• TVS有更低的箝製電壓、更低的漏電以及更快的響應速度
• TVS比MLV的壽命長，在整個產品有效期內性能也保持的更好

日常生活中，ESD (Electro-Static Discharge，靜電放電)對於我們來說是一種常見的現象，然而對電子產品而言，ESD往往是致命的——它可能導致元器件內部線路受損，直接影響產品的正常使用壽命
，甚至造成產品的損壞。因此，ESD防護一直以來都是工程師們的工作重點。對於剛開始職業生涯的電子工程師而言，在掌握專業技能之前通常都要接受一些ESD相關知識的培訓，足見ESD防護的地位與重要性。


圖1 電子顯微鏡下IC內部損毀的照片

一般，ESD保護一般通過兩種途徑來實現
，第一種方法是避免ESD的發生
；第二種方法則是通過片內或片外集成內部保護電路或專用ESD保護器件，從而避免ESD發生後將被保護器件損壞。

避免ESD的發生
避免ESD發生的方法多出現於產品交付客戶以前，即研發
、生產等過程。因為在這些階段
，IC、電路板等靜電敏感器件可能裸露在外（如生產工過程中的SMT製程），IC因ESD而損壞的可能遠大於有外殼保護的成品。


表1 幾種不同類型器件的靜電敏感程度

一般而言
，避免ESD的方法可分為以下幾類：

• Surround（包圍）：靜電敏感元器件都以抗靜電材料包裝
  ，或使用有蓋的抗靜電容器儲放；而在靜電敏感區域（如SMT製程）工作的人員，則還要穿著靜電服。
• Ground（接地）：將工作環境中的人員及設備通過不同的地線接地；
• Impound（排除）：排除所有工作區域內的非抗靜電材質
  ；此外
  ，可在對靜電極為敏感工作站位增加離子風扇以中和產品表麵所帶靜電。

　
圖2 使用離子風扇並將靜電桌布接地以避免ESD

另一方麵，濕度亦是一個重要的考量因素。適宜的濕度可降低ESD發生的機率。（見表2）這也是電子製造廠為何多在南方建廠的原因之一。


表2 濕度對於ESD的影響

ESD保護器件與保護電路
雖然上述避免ESD發生的方法有著很理想的效果，不過對於終端用戶顯然不太適合——舉例來說，我們不可能在使用手機之前先戴上靜電手環
，通話結束後將手機放到靜電袋中以避免ESD。事實上

，由於用戶鮮有機會接觸到產品內部的元器件及電路板
，因此也不需要如此嚴格的ESD防護措施，但這並不意味著ESD的問題不存在——首先

，ESD可以輸入/輸出連接器(如USB接口、充電器接口、SIM卡插槽等)為路徑進入電路中的各種元件

；其次
，隨著電子產品，特別是消費電子產品向著輕薄化發展，導致內部IC的外形尺寸不斷減小，其自身ESD防護能力亦不斷減弱。所以，工程師在設計時通常加入ESD保護器件，而很多IC內部也有片上ESD保護電路。


圖3 在用戶端
，ESD可能由電子設備的各種接口進入，並對內部芯片造成損傷

片上ESD保護電路
相信所有人都希望ESD防護能完全地集成到IC芯片內部，因為這樣會節省的板級空間，減少係統成本並降低設計與布線的複雜度。但從目前情況來看
，前景並不樂觀。如今，IC製程工藝的進步成了片上ESD保護的一大難題。一方麵，工藝的進步雖提升IC的性能與集成度並降低功耗與尺寸，但由於柵極氧化層厚度越來越薄
，IC自身的ESD防護能力反而降低。另一方麵，隨著IC尺寸的不斷減小
，由於受到空間的限製
，因此保護能力有限。


圖4 隨著IC麵積的不斷減小，很難在IC中集成ESD保護電路（資料來源：安森美半導體）

ESD保護器件
由於片上ESD保護電路能力有限，為保證整個係統有較好的ESD防護能力，外部ESD保護器件是必不可少的。比較常見的有陶瓷電容、齊納二極管、肖特基二極管、MLV(Multi-Layer Varistor，多層變阻器)和TVS（Transient Voltage Suppresser瞬態電壓抑製器）。

MLV是一種基於ZnO壓敏陶瓷材料，采用特殊的製造和處理工藝而製得的高性能電路保護元件
，其伏安特性符合I=kVa
，能夠為受保護電路提供雙向瞬態過壓保護。MLVdegongzuoyuanlishiliyongyamindianzudefeixianxingtexing，dangguodianyachuxianzaiyamindianzudeliangjijian
，yamindianzukeyijiangdianyaqianweidaoyigexiangduigudingdedianyazhi，congershixianduihoujidianludebaohu。muqian，MLV在很多領域得到了廣泛的應用，如手機、機頂盒
、複印機等等。


圖5 MLV的內部結構示意圖

電子產品輕薄化的發展趨勢使其對ESD防護要求越來越高，MLV漸漸有些力不從心
，TVS二極管則開始嶄露頭角。TVS通(tong)常(chang)並(bing)聯(lian)於(yu)被(bei)保(bao)護(hu)電(dian)路(lu)
，當(dang)瞬(shun)態(tai)電(dian)壓(ya)超(chao)過(guo)電(dian)路(lu)的(de)正(zheng)常(chang)工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)時(shi)，二(er)極(ji)管(guan)發(fa)生(sheng)雪(xue)崩(beng)，為(wei)瞬(shun)態(tai)電(dian)流(liu)提(ti)供(gong)通(tong)路(lu)
，使(shi)內(nei)部(bu)電(dian)路(lu)免(mian)遭(zao)超(chao)額(e)電(dian)壓(ya)的(de)擊(ji)穿(chuan)或(huo)超(chao)額(e)電(dian)流(liu)的(de)過(guo)熱(re)燒(shao)毀(hui)。當(dang)瞬(shun)時(shi)脈(mai)衝(chong)結(jie)束(shu)以(yi)後(hou)
，TVS二極管自動回複高阻狀態

，整個回路進入正常電壓。由於TVS二極管的結麵積較大
，使得它具有泄放瞬態大電流的優點，具有理想的保護作用。 改進後的TVS二極管還具有適應低壓電路（＜5 V）的特點，且封裝集成度高，適用於在印製電路板麵積緊張的情況下使用。

 
圖6 TVS二極管結構與特征電流

與MLV相比

，不難看出TVS有如下優勢：
體積：MLV的性能完全由其內部材質決定
，因此很難在減小尺寸的同時保持或提高性能

，封裝尺寸從0402到1206。而TVS采用矽芯片技術，可以得到比MLV更小的元件封裝尺寸（如圖7所示）。


圖7 TVS元件與0402封裝可變電阻尺寸比較
，藍色為建議焊接麵積 （資料來源：安森美半導體）

性能：TVS有更低的箝製電壓、更低的漏電以及更快的響應速度（如圖8所示）


圖8 TVS有著更低的鉗製電壓

壽命：由於工作原理不同，TVS與MLV的壽命也不盡相同。安森美半導體亞太區市場營銷副總裁麥滿權做了一個形象的比喻：“TVS的de原yuan理li就jiu好hao像xiang太tai極ji，把ba接jie收shou到dao的de能neng量liang快kuai速su的de轉zhuan移yi到dao接jie地di端duan
，所suo以yi它ta的de壽shou命ming幾ji乎hu就jiu是shi無wu限xian的de。而er可ke變bian電dian阻zu就jiu好hao像xiang一yi個ge人ren在zai不bu停ting的de挨ai打da，它ta把ba能neng量liang都dou由you自zi己ji來lai承cheng受shou吸xi收shou，因yin此ci

，壽shou命ming是shi有you限xian的de，而er且qie隨sui使shi用yong時shi間jian的de增zeng加jia，性xing能neng會hui慢man慢man下xia降jiang。”

結語
ESD是一個“看似很小的大問題”，一個產品ESD防護的好壞直接影響到該產品的良品率及壽命。科研人員對ESD防護的研究從未停止過
，相信在不久的未來，會有更好的材料、更新的技術來幫助我們應對ESD所帶來的困擾。