LTPoE++ 降低了PoE係統與類似解決方案相關的技術複雜性。即插即用功能、易於實現和安全可靠的電源是LTPoE++的其他特性。此外，LTPoE++還可與IEEE的標準PoE規範互操作和向後兼容。但是，由於係統損耗和電纜損耗，實際可用功率略低於指定的PD功率，PoE+和PoE++也是如此。

 

PoE組件

 

通過以太網電纜給設備供電主要需要兩個組件：受電設備和供電設備(PSE)。

 

圖1. 顯示PoE係統的主要組件的方框圖。

 

PSE負責像電源一樣供電，而PD接收並使用功率（負載）。PSE設備在通電時有一個簽名過程，以保護不兼容設備在連接時不受損壞。這涉及先檢查PD的簽名電阻。僅當此值正確時(25kΩ)， 才會為PD供電。如果PSE檢測到PD
，會先開始分類
；即確定連接設備的電源要求。為此，PSE將施加規定電壓並測量產生的電流。然後根據電流電平將PD分配至一個功率等級。如果一切正常
，將供應全部電壓和電流。一旦為PD供電
，PD就要負責將–48 V的PoE電壓轉換為適合終端設備的電源電壓。在典型的PD設計中，使用一個附加DC-DC轉換器（二極管橋控製器）。該DC-DC轉換器負責調整或覆蓋PD提供的組件的電源要求。更新的IC已經能夠將接口和DC-DC轉換器集成到一個低功率等級的組件中
，這就簡化了設計。

 

根據IEEE 802.3 PoE規範，PD必須通過其以太網輸入接受任何極性的直流工作電壓

，因此PD的輸入前端需要兩個二極管橋。因此，不管使用什麼線對，PD也都可以使用反極性工作。

 

PD實現變得簡單

 

在ADI的LT4276中，存在符合LTPoE++-, PoE+-和PoE標準、具有集成隔離式開關穩壓器的PD控製器。它可以同時用於正激和反激拓撲
，以及2 W至90 W的功率等級。與較低功率等級的傳統PD控製器不同（它也有集成功率MOSFET）
，LT4276提供驅動外部MOSFET的選項。通過這種方式
，PD減少了損耗，提高了效率。

 

由於IEEE 802.3以太網規範要求從設備外殼的接地處進行電氣隔離，LTC4290/LTC4271 隔離式控製器芯片組適合用作PSE。LTC4271代表非隔離側PSE主機的數字接口，而LTC4290在隔離側提供以太網接口。這兩個組件通過簡單的以太網變送器連接。通過這種可靠的PSE芯片組設計，可避免使用產生隔離電源的附加組件。

 

如果用理想二極管替換PD側全橋整流器的兩個二極管，可提高整個PoE係統的功率和效率。因此，就像對待典型二極管一樣使用和控製MOSFET。通過這種方式
，由於低通道電阻(RDS(ON))。正向電壓大幅降低。將LT4321理想二極管電橋控製器和LT4295 PD控製器結合，可以全橋配置控製四個MOSFET（參見圖3）。

 

 

圖2. PoE電路示例。

 

 

圖3. 傳統二極管整流與通過二極管電橋控製器驅動。

 

借助PoE，可在為以太網設備供電的同時通過RJ45電纜進行實際數據傳輸。ADI開發了自己的專有標準LTPoE++，該標準支持高達90W的功率，與傳統PoE標準並行。LTPoE++提供的可靠
、端到端、高功率PoE解決方案簡化了電源和設計。

 

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