高速成像技術是太赫茲（THz）技術應用領域的重要研究方向之一，它在材料分析、高能物理過程分析
、生物醫學成像、人ren體ti安an檢jian等deng方fang麵mian具ju有you重zhong要yao的de應ying用yong價jia值zhi。然ran而er低di溫wen匹pi配pei讀du出chu電dian路lu的de缺que乏fa，使shi得de快kuai速su響xiang應ying光guang子zi型xing焦jiao平ping麵mian陣zhen列lie探tan測ce器qi的de設she計ji十shi分fen困kun難nan，進jin而er造zao成chengTHz高速與實時成像技術的研究進展緩慢。

 

為解決這一難題，中國科學院上海微係統與信息技術研究所研究員曹俊誠領銜的研究團隊采用分子束外延技術堆疊生長THz量子阱探測器（THzQWP）和發光二極管（LED）的方法，製備了可無像素成像的THz頻率上轉換成像芯片（THzQWP－LED，如圖1）。該芯片的峰值探測頻率為5．2 THz，等效噪聲功率達5．2pW/Hz0．5，等效成像像素為240×240。目前已完成該芯片與THz量子級聯激光器（THzQCL）聯動成像實驗
，實現了對THzQCL光斑幾十微米量級衍射條紋的實時成像（如圖2），並在500 ns內完成了對THz QCL光斑的單幀高速成像（等同於兩百萬幀／s的成像速度）。相關研究成果發表在《科學報告》（Scientific Reports 6， 25383， 2016）上。

　　

上述成像芯片的成功研製是THz高速成像技術的重要進展
，對該頻段內高速、高能物理過程、材料分析以及生物醫學成像等技術的發展具有重要意義。