IDT 的 4H 性能 MEMS 振蕩器擁有一個差分的 LVDS / LVPECL 輸出，和相比同級別產品最低的相位抖動（100 fs @ 1.875 – 20 MHZ和亞 300 fs @ 12 KHZ – 20MHZ），滿足高性能網絡應用對低抖動芯片組的需要。集成的頻率裕量 (frequency margining) 設定功能使客戶在應用操作中能夠將振蕩器頻率微調至 ±1000 ppm
，實現誤碼率最小並便於裕量測試。IDT 的 4H MEMS 振動器適用於多種封裝尺寸，包括更小的 3225(3.2 x 2.5 mm)，以節省密集部署應用中的板空間和成本。IDT 是提供可將 MEMS 振蕩器性能、特性和小封裝尺寸組合在一起的唯一供應商。


IDT 公司副總裁兼計時與同步部門總經理 Christian Kermarrec 表示：“IDT 最新的MEMS 係列構建於標準的 4M 和升級的 4E 振zhen蕩dang器qi係xi列lie基ji礎chu上shang，滿man足zu萬wan兆zhao以yi太tai網wang和he網wang絡luo應ying用yong對dui高gao性xing能neng的de要yao求qiu。作zuo為wei計ji時shi解jie決jue方fang案an的de領ling導dao廠chang商shang
，我wo們men為wei客ke戶hu提ti供gong最zui高gao性xing能neng部bu件jian和he創chuang新xin特te性xing，以yi便bian於yu他ta們men進jin行xing下xia一yi代dai產chan品pin開kai發fa。我wo們men很hen高gao興xing看kan到dao很hen多duo OEM 廠商越過 MEMS 起步型提供商而選擇 IDT，這正是由於 IDT 所能提供的經驗和技術創新。”

HIS 公司 MEMS 與傳感器部門總監和首席分析師 Jérémie Bouchaud 表示：“雲計算和存儲架構正在快速發展，幾乎 50% 的服務器和存儲簇隨著萬兆以太網而出貨。高性能MEMS 振蕩器能使企業級計算和存儲架構的誤碼率更低，並能同時提供更好的可靠性。”

IDT 的集成頻率裕量設定功能使客戶能夠在業界采用一個技術技巧作為“額外 PPM 時鍾”。這一技術時鍾係統處在一個稍微更高的頻率，允許 OEM 廠商降低誤碼率
，並能減少網絡應用的封裝損失。與隻提供固定頻率的競爭性 MEMS 器件不同，IDT 的器件允許數以百計的偏頻，它們會在達到 625 兆赫的任何基礎頻率選擇之後 —— 甚至在最終生產係統中產生。這使得設計人員能夠加快開發進程和優化係統性能。

4H MEMS 振蕩器利用 IDT 專利的壓電 MEMS (pMEMS) 諧振器技術，可提供一個擁有無與倫比性能和可靠性的高頻率源。IDT MEMS 振蕩器提供優於石英 40 倍的可靠性
，無擾動、無零時故障、對電磁幹擾 (EMI) 有更高抖動阻力，並具有出色的抗衝擊和抗振性，這使它們成為傳統的基於石英振蕩器的一個理想的升級解決方案。

IDT 4H 係列是在成功的 4M 和 4E 係列 MEMS 振蕩器基礎上拓展的。作為差分石英振蕩器的嵌入式替代品
，4M 標準振蕩器可提供顯著性能，相位抖動不到 1 皮秒 (ps)。 4E 升級版振蕩器將一個  LVDS 或 LVPECL 輸出和一個同步CMOS 輸出集成到單一封裝中，無需外部晶體和二級振蕩器。此外，4E 振蕩器擁有四個可選的輸出頻率，允許用一個單一的器件替換四個組件，減少材料清單，鞏固庫存。

供貨

IDT 4H MEMS 振蕩器目前處於客戶送樣階段，采用標準的 7.0 x 5.0 mm, 5.0 x 3.2mm 和3.2 x 2.5mm VFQFPN封裝。可用大多數標準頻率。自定義頻率可根據要求進行配置。