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打破陳規——將SiC FET作為斷路器
由於低損耗和低於其他選擇的成本，機械斷路器一直以來都是成功之選。但是現在，寬帶隙半導體讓固態斷路器更具吸引力。
2022-03-19
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貿澤與Molex攜手推出全新電子書，介紹醫療設備創新設計
2022年3月18日 – 專注於推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 分銷商™貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Molex攜手推出全新電子書《Improving Lives with Digital Healthcare》（通過數字醫療改善生活），探索連接與醫療設備設計交叉領域的創新解決方案和應用。本書中，來自Molex和貿澤的行業專家通過多篇深度好文，探討了新一代的數字醫療解決方案，包括機器人手術、醫療可穿戴設備、腦機接口，以及采用沉浸式技術的醫療培訓。
2022-03-18
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ADI公司啟動ADI Catalyst項目並向歐洲業務投資1億歐元
中國，北京 – 2022年3月10日 – 全球領先的高性能半導體公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布將在未來三年內向ADI Catalyst創新合作加速器投資1億歐元。ADI Catalyst位於愛爾蘭利默裏克Raheen商業園區，占地10萬平方英尺。到2025年，該投資將為愛爾蘭市場新增250個工作崗位，這也體現了ADI在歐洲持續投入的承諾。
2022-03-16
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使用最新的SiC FET技術提升車載充電器性能
碳化矽FET已經在車載充電器（OBC）電路領域確立了自身地位，尤其是在電池工作電壓超過500V的de情qing況kuang下xia。這zhe些xie器qi件jian的de低di功gong率lv損sun耗hao使shi得de穿chuan孔kong封feng裝zhuang和he表biao麵mian安an裝zhuang式shi封feng裝zhuang都dou可ke以yi用yong於yu此ci應ying用yong。我wo們men調tiao查zha了le這zhe些xie封feng裝zhuang選xuan項xiang的de相xiang對dui熱re性xing能neng，並bing證zheng實shi了leTO247-4L和D2PAK-7L選項可用於6.6 kW和22 kW充電器。
2022-03-15
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第4代SiC MOSFET為何備受青睞？
近年來，為了實現“碳中和”等減輕環境負荷的目標，需要進一步普及下一代電動汽車（xEV），從而推動了更高效、更小型、更輕量的電動係統的開發。尤其是在電動汽車（EV）領域，為了延長續航裏程並減小車載電池的尺寸，提高發揮驅動核心作用的電控係統的效率已成為一個重要課題。SiC（碳化矽）作為新一代寬禁帶半導體材料，具備高電壓、大電流、高溫、高頻率和低損耗等獨特優勢。因此，業內對碳化矽功率元器件在電動汽車上的應用寄予厚望。
2022-03-14
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HT7181 3.7V/7.4V升16V內置MOS大功率升壓IC解決方案
DC-DC升sheng壓ya電dian路lu在zai電dian子zi電dian路lu中zhong是shi很hen常chang見jian的de，無wu論lun是shi匹pi配pei不bu同tong器qi件jian的de工gong作zuo電dian壓ya需xu要yao還hai是shi為wei了le提ti高gao足zu夠gou的de輸shu出chu功gong率lv，都dou必bi須xu用yong到dao升sheng壓ya電dian路lu。特te別bie是shi便bian攜xie式shi的de電dian子zi產chan品pin，電dian源yuan是shi電dian池chi供gong電dian，如ru單dan雙shuang節jie鋰li電dian、三節鋰電或鉛酸電池12V。通過DC-DC升壓電路，升壓後給其他電路供電。
2022-03-14
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貿澤電子配送中心配備超大規模垂直升降機模塊
2022年3月9日 – 提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 持續加投其全球配送中心的先進自動化設備，進一步提升訂單處理能力、準確性和速度，幫助客戶進一步縮短產品上市時間。
2022-03-11
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貿澤2022 Empowering Innovation Together計劃起航推出關於RISC-V的新播客
2022年3月11日 – 貿澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together™（共求創新）計劃的2022係列專題。今年的係列總共有六期，每一期重點討論一項在主要行業轉型中發揮關鍵作用的前沿技術。2022係列將提供各種及時而有見地的內容，如播客、視頻、文章、博客和信息圖，重點關注私人5G網絡、自主移動機器人等技術趨勢。
2022-03-11
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充分挖掘SiC FET的性能
xingnengshiyigezhuguanshuyu，takeyiyongxuduonixihuandefangshihengliang，danshizaigonglvzhuanhuanjie，taguijieweilianggexianghuyilaidezhuyaozhi，jixiaolvhechengben。xianzai，zuoweibandaotikaiguancailiao，guizaidaodianhedongtaisunhaoxingnengfangmianyijingdaodalejixian，zheyijingshiyigechangshile，yinciyuelaiyueduoderenkaolvcaiyongtanhuaguihedanhuajiakuandaixijishulaishixiangenghaodexingneng。zheliangzhongcailiaojuyougenghaodejiezhijichuantexing，congerkeyidazaogengbo、摻雜更重、導通電阻更低的阻擋層，同時，更小的晶粒體積還可降低器件電容，從而降低動態損耗。
2022-03-10
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如何使用LTspice對複雜電路的統計容差分析進行建模
LTspice®可用於對複雜電路進行統計容差分析。本文介紹在LTspice中使用蒙特卡羅和高斯分布進行容差分析和最差情況分析的方法。為了證實該方法的有效性，我們在LTspicezhongduidianyatiaojieshilidianlujinxingjianmo，tongguoneibujizhundianyahefankuidianzuyanshimengtekaluohegaosifenbujishu。ranhou，jiangdechudefangzhenjieguoyuzuichaqingkuangfenxifangzhenjieguojinxingbijiao。qizhongbaokuo4個附錄。附錄A提供了有關微調基準電壓源分布的見解。附錄B提供了LTspice中的高斯分布分析。附錄C提供了LTspice定義的蒙特卡羅分布的圖形視圖。附錄D提供關於編輯LTspice原理圖和提取仿真數據的說明。
2022-03-09
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圖騰柱PFC在SiC FET的輔助下日漸成熟
在寬帶隙半導體的輔助下，圖騰柱功率因數校正技術日漸成熟，與損耗很低的SiC FET搭配使用後，發揮了全部潛力。
2022-03-07
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用SiC FET固態斷路器取代機械斷路器可行嗎？
機械斷路器損耗低，但是速度慢而且會磨損。采用SiC FET的固態斷路器可以解決這些問題且其損耗開始降低。
2022-03-06
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