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安森美智能電源產品斬獲中國“2022年Top 10電源產品獎”多項殊榮
領先於智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布其創新的智能電源產品在“2022年Top 10電源產品獎”評選中榮獲多項獎項。其中,APM32係列汽車碳化矽功率模塊獲“2022 Top 10電源產品獎”,汽車主驅碳化矽功率模塊VE-Trac™ Direct SiC獲“最佳應用獎”,高功率圖騰柱PFC控製器NCP1681獲“綠色節能獎”。“Top 10電源產品獎”由21IC中國電子網主辦,備受行業認可,獲得該殊榮的產品代表其在本年度具有極高的產品力和技術創新能力。
2022-12-13
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
富昌電子(Future Electronics)yizhizhiliyuyizhuanyedejishufuwu,weikehudazaogexinghuadejiejuefangan,bingsuoduanchanpinshejizhouqi。zaidisandaibandaotideshijiyingyonglingyu,fuchangdianzijiehezishendejishujileihexiangmujingyan,luobiyuSiC相關設計的係列文章。希望以此給到大家一定的設計參考,並期待與您進一步的交流。
2022-12-13
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橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為:關斷時
具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET,與不具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET產品相比,在橋式結構情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中,我們介紹了LS(低邊)SiC MOSFET導通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關斷時的行為。
2022-12-12
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實現測試測量突破性創新,采用ASIC還是FPGA?
作zuo為wei世shi界jie創chuang新xin的de幕mu後hou英ying雄xiong,特te別bie是shi在zai電dian子zi器qi件jian和he通tong信xin技ji術shu方fang麵mian,工gong程cheng師shi們men要yao開kai發fa測ce試shi設she備bei,驗yan證zheng這zhe些xie新xin技ji術shu,以yi把ba新xin技ji術shu推tui向xiang市shi場chang。這zhe些xie工gong程cheng師shi必bi須xu運yun行xing尖jian端duan技ji術shu,處chu理li預yu測ce行xing業ye和he創chuang新xin未wei來lai的de挑tiao戰zhan。在zai開kai創chuang未wei來lai的de過guo程cheng中zhong,測ce試shi測ce量liang工gong程cheng師shi麵mian臨lin的de基ji礎chu性xing創chuang新xin挑tiao戰zhan之zhi一yi,是shi確que定ding設she計ji中zhong采cai用yong專zhuan用yong集ji成cheng電dian路lu(ASIC)還是現場可編程門陣列(FPGA)。
2022-12-09
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高可靠性電容式MEMS麥克風在車載中的應用
采用MEMS技術製造的電容式矽麥克風在小型化、性能、可靠性、環境耐受性、成本及量產能力上與ECM(Electret Capacitance Microphone)相比具有巨大優勢,一經推出變迅速占領手機、PDA(Personal Digital Assistant)、耳機等消費電子產品市場。
2022-12-09
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聚焦器件可靠性、柵極驅動器創新和總體係統解決方案
碳化矽(SiC)技術能在大幅提高當前電力係統效率的同時降低其尺寸、重量和成本,因此市場需求不斷攀升。但是SiC解決方案並不是矽基解決方案的直接替代品,它們並非完全相同。為了實現SiC技術的願景,開發人員必須從產品質量、供貨情況和服務支持等各個方麵仔細評估多家產品和供應商,並了解如何優化不同SiC功率組件到其最終係統的集成。
2022-12-09
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汽車IC分類一張圖,國際大廠與中國步伐有差異
汽車IC就是車規級產品,滿足汽車質量管理體係,符合可靠性和功能安全要求的集成電路。中國汽車芯片產業創新戰略聯盟(以下簡稱“聯盟”)在2020年發布了《純電動乘用車車規級芯片一般要求》團體標準,將汽車半導體分為10個大類和60個小類,10個大類分別包括控製芯片、存儲芯片、計算芯片、信息安全芯片、驅動芯片、通信芯片、功率芯片、電源芯片、模擬芯片以及傳感器。
2022-12-09
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恒流負載導致的啟動故障
內置折返式限流電路的線性穩壓器IC,在IC啟動前輸出端被施加恒流負載時,可能會出現無法啟動的問題。
2022-12-08
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提高電源轉換器性能的低 RDS(on) SiC FET(SiC FET 架構顯示出多項優勢)
近年來隨著高性能計算需求的持續增長,HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬存儲器)總線接口被應用到越來越多的芯片產品中,然而HBM的layout實現完全不同於傳統的Package/PCB設計,其基於2.5D interposer的設計中,由於interposer各層厚度非常薄且信號線細,使得直流損耗、容性負載、容性/感性耦合等問題嚴重,給串擾和插損指標帶來了非常大的挑戰。
2022-12-08
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複雜電源係統中的明星:數字化多路電源模塊將即將嶄露頭角
近幾年來,板級電源模塊產品呈現爆炸式發展態勢,其集成度高、體積緊湊的優點,吸引了越來越多的終端客戶選擇。而越來越多的應用類型、yuelaiyuefuzadeshiyongchangjing,yeduidianyuanmokuaichanpintichulegenggaodetiaozhan。ruhedadaoxingnengzuiyou?ruhetishengyonghushejitiyan?ruhezengqiangkekaoxing?gezhongjianruidewenti,cushiIC電源廠商不斷追求著控製策略優化、工藝優化、設計結構優化。MPS在電源模塊產品設計方麵有著自己獨到的理解和技術沉澱,並藉此推動電源模塊產品的交付量迅猛增長。
2022-12-07
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適用於下一代大功率應用的XHP2封裝
guidaojiaotongqianyinbianliuqidepingtaihuashejiheyikuozhanxingshiqizhuyaofazhanfangxiangzhiyi,qiduibandaotiqijianyetichulexindexuqiu。yifangmianxuyaobandaotiqijiannengmanzugengkuandedianyadengjihedianliudengji,lingyifangmianyeyaojianrongdianlidianziqijiandexinjishu,biruIGBT5/.XT或SiC MOSFET。zheyangjiyouliyudianlidianzixitongdepingtaihuasheji,yekeyizengjiaxitongdegonglvmidu,jianxiaoxitongdechicunhetiji。yinci,bandaotiqijianxuyaojuyougengdidezasandiangan、更大的電流等級和對稱的結構布局。本文介紹了一種新的用於大功率應用的XHP™ 2 IGBT模塊,包括低雜散電感設計原理、開關特性和采用IGBT5/.XT技術可以延長模塊的使用壽命等關鍵點。
2022-12-05
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用於 EV 充電係統柵極驅動的隔離式 DC/DC 轉換器
電動汽車充電係統正在不斷發展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 係統遷移。像碳化矽這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用,與矽 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而,SiC 更快的開關速率以及更高的電壓會對柵極驅動器電路提出一些獨特的要求。在本文中,我們將重點介紹 Murata 產品經理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關於該公司用於此類柵極驅動應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方麵。
2022-12-05
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