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貿澤電子新品推薦：2023年第一季度推出逾15,000個新物料
2023年4月25日 – 業界知名的全球授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics)，專注於快速引進新產品與技術，幫助客戶設計出先進產品，並加快產品上市速度，實現從設計鏈到供應鏈™的全程優勢。貿澤受到1200多(duo)家(jia)半(ban)導(dao)體(ti)和(he)電(dian)子(zi)元(yuan)件(jian)製(zhi)造(zao)商(shang)的(de)信(xin)任(ren)，幫(bang)助(zhu)他(ta)們(men)將(jiang)產(chan)品(pin)分(fen)銷(xiao)到(dao)全(quan)球(qiu)市(shi)場(chang)。貿(mao)澤(ze)旨(zhi)在(zai)為(wei)客(ke)戶(hu)提(ti)供(gong)全(quan)麵(mian)認(ren)證(zheng)的(de)原(yuan)廠(chang)產(chan)品(pin)，並(bing)提(ti)供(gong)全(quan)方(fang)位(wei)的(de)製(zhi)造(zao)商(shang)可(ke)追(zhui)溯(su)性(xing)。
2023-05-03
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安森美和極氪簽署碳化矽功率器件長期供應協議
2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）宣布雙方簽署長期供應協議（LTSA）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化矽（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續航裏程。
2023-05-03
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安森美向海拉交付第10億顆感應傳感器IC
智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布，已向海拉（HELLA）交付第10億顆感應傳感器接口集成電路（IC），海拉是一家國際汽車零部件供應商，也是佛瑞亞（FORVIA）集團旗下公司。這顆由安森美設計的IC被用於海拉的汽車線控係統非接觸型感應位置傳感器（CIPOS®）技術。在長達25年的合作中，兩家公司開發的創新設計縮小了海拉模塊和安森美IC的尺寸，以更好地適配對模塊外形尺寸有著高要求的應用。
2023-05-03
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總結肖特基勢壘二極管對寬帶隙材料的利用
由於碳化矽 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等寬帶隙材料具有優於矽 (Si) 的固有材料特性，因此工業界采用寬帶隙材料來滿足功率器件應用中的低功耗需求。這種需求導致了基於 SiC 和 GaN 的 SBD 的製造。
2023-04-29
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如何控製無刷直流電機
無刷直流（BLDC）電機已經廣泛應用於家用電器、gongyeshebeiheqichedenglingyu。xiangduiyuchuantongyoushuadianji，suiranwushuazhiliudianjinenggoutigonggengkekaohemianweihudetidaifangan，danquexuyaogengfuzadedianzishebeilaijinxingqudong。benwenjiangtantaoqudongwushuazhiliudianjideduozhongbutongjishu、傳感器方案以及使用的流行算法。此外，還將介紹一些來自領先供應商的電機驅動器IC以及合適的開發和原型設計資源。
2023-04-28
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獨立式有源EMI濾波器IC如何縮小共模濾波器尺寸
功率密度是汽車車載充電器和服務器電源等高度受限係統環境中的主要指標。務必要減小電磁幹擾 (EMI) 濾波器元件的體積，從而確保解決方案能夠滿足嚴苛的外形尺寸要求。
2023-04-26
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納芯微模擬IC在光伏係統中的一站式解決方案
jinnianlai，kezaishengnengyuanyichengweiquanqiunengyuangemingheyingduiqihoubianhuadezhudaofangxiangheyizhixingdong，guangfuzuoweizhongyaodekezaishengnengyuanfadianjishuzhengzaikuaisufazhan，chengweiqingjie、低碳並具有價格競爭力的能源形式。
2023-04-26
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采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無橋PFC和次級端穩壓LLC電源
節能標準和客戶需求正在推動更高效率和更小尺寸的電源解決方案，對標準ACDC電源進行功率因數校正 (PFC) 的要求日益普遍，通過減少諧波含量引起的電力線損耗，從而降低對交流電網基礎設施的壓力。而設計緊湊高效的 PFC 電源是一個複雜的開發挑戰。
2023-04-26
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560V輸入、無光隔離反激式轉換器
在zai傳chuan統tong的de隔ge離li式shi高gao壓ya反fan激ji式shi轉zhuan換huan器qi中zhong，使shi用yong光guang耦ou合he器qi將jiang穩wen壓ya信xin息xi從cong副fu邊bian基ji準zhun電dian壓ya源yuan電dian路lu傳chuan輸shu到dao初chu級ji側ce，從cong而er實shi現xian嚴yan格ge的de穩wen壓ya。問wen題ti在zai於yu，光guang耦ou合he器qi大da大da增zeng加jia了le隔ge離li設she計ji的de複fu雜za性xing：存在傳播延遲、老化和增益變化，所有這些都使電源環路補償複雜化，並可能降低可靠性。此外，在啟動期間，需要泄放電阻或高壓啟動電路來初始為IC上電。除非在啟動元件上增加額外的高壓MOSFET，否則泄放電阻器是造成不受歡迎的功率損耗的來源。
2023-04-25
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Auto Accessories以及BMS的保護設計
隨著汽車功能的豐富，USB2.0/3.0、電源輸入口、按鍵、SD卡槽等被廣泛應用。由於以下幾點，ESD、突入電流、拋負載以及負載短路等成為了硬件設計人員關注要點。例如，幹燥季節，靜電通過這些接口破壞IC或設備中的任何其他ESD敏感器件；設備電源的開關，汽車啟停以及人員的誤操作等產生的突入電流對電路構成威脅，導致某些部件故障的發生等。另外，針對BMS係統，電路過電流、鋰電池過電流和電路EFT/尖峰均可能會損壞電路中的電子器件。
2023-04-24
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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現有局麵。讓我們一起來了解超共源共柵的曆史，並探討如何將其重新用於優化現代設計。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方麵的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短(duan)路(lu)特(te)性(xing)以(yi)及(ji)體(ti)二(er)極(ji)管(guan)的(de)魯(lu)棒(bang)性(xing)。直(zhi)接(jie)翻(fan)譯(yi)不(bu)免(mian)晦(hui)澀(se)難(nan)懂(dong)，不(bu)如(ru)加(jia)入(ru)自(zi)己(ji)的(de)理(li)解(jie)，重(zhong)新(xin)梳(shu)理(li)一(yi)遍(bian)，希(xi)望(wang)能(neng)給(gei)大(da)家(jia)帶(dai)來(lai)更(geng)多(duo)有(you)價(jia)值(zhi)的(de)信(xin)息(xi)。今(jin)天(tian)我(wo)們(men)著(zhe)重(zhong)看(kan)下(xia)第(di)一(yi)部(bu)分(fen)——短溝道效應。
2023-04-24
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