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通過LTC4217提高熱插拔性能並節省設計時間

LTC4217 rechabakongzhiqiyiyizhongshoukongfangshidakaiheguanbidianlubandedianyuandianya，congeryunxugaidianlubananquandicharuhebachudaidianbeiban。haobuqiguai，zhetongchangshirechabakongzhiqisuozuodeshiqing，dan LTC4217 具有一種特性，使其優於其他熱插拔控製器。它通過將控製器、MOSFET 和檢測電阻器集成到單個 IC 中，簡化了熱插拔係統的設計。

2023-05-11
倒計時6天｜專業買家就緒，超強采購力引爆“芯”機遇！

SEMI-e深圳國際半導體展將於5月16-18日在深圳國際會展中心（寶安新館）14號館和16號館盛大開幕！本屆展會推出電子元器件、IC設計&芯片、晶圓製造及封裝、Mini/Micro-LED、半導體設備、半導體材料、第三代半導體七大特色展區。探索行業發展最新趨勢，鏈接商務資源，促進產業鏈供應鏈良性互動，助力企業贏得新發展。

2023-05-10
SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

碳化矽（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。

2023-05-10
MP5493：電表PMIC界新來的“五好學生”

數字化與信息化是時代發展的趨勢，不知不覺中，具有高精度、寬量程、遠(yuan)程(cheng)抄(chao)表(biao)等(deng)特(te)點(dian)的(de)智(zhi)能(neng)電(dian)表(biao)已(yi)經(jing)走(zou)進(jin)千(qian)家(jia)萬(wan)戶(hu)，成(cheng)為(wei)現(xian)代(dai)電(dian)網(wang)不(bu)可(ke)或(huo)缺(que)的(de)一(yi)部(bu)分(fen)。智(zhi)能(neng)電(dian)表(biao)需(xu)要(yao)將(jiang)數(shu)據(ju)實(shi)時(shi)上(shang)傳(chuan)，在(zai)供(gong)電(dian)電(dian)壓(ya)突(tu)發(fa)斷(duan)電(dian)的(de)情(qing)況(kuang)下(xia)，需(xu)要(yao)依(yi)靠(kao)後(hou)備(bei)電(dian)源(yuan)將(jiang)數(shu)據(ju)保(bao)存(cun)並(bing)上(shang)傳(chuan)服(fu)務(wu)器(qi)。因(yin)此(ci)，智(zhi)能(neng)電(dian)表(biao)供(gong)電(dian)方(fang)案(an)的(de)特(te)點(dian)之(zhi)一(yi)是(shi)需(xu)要(yao)設(she)計(ji)後(hou)備(bei)電(dian)源(yuan)。

2023-05-09
如何解決超薄筆記本電腦的音頻挑戰？

在(zai)工(gong)作(zuo)環(huan)境(jing)中(zhong)，人(ren)們(men)使(shi)用(yong)筆(bi)記(ji)本(ben)電(dian)腦(nao)的(de)方(fang)式(shi)不(bu)斷(duan)發(fa)生(sheng)意(yi)想(xiang)不(bu)到(dao)的(de)變(bian)化(hua)。疫(yi)情(qing)使(shi)得(de)遠(yuan)程(cheng)辦(ban)公(gong)已(yi)成(cheng)為(wei)一(yi)種(zhong)常(chang)態(tai)化(hua)。而(er)在(zai)各(ge)種(zhong)遠(yuan)程(cheng)位(wei)置(zhi)的(de)混(hun)合(he)辦(ban)公(gong)環(huan)境(jing)這(zhe)一(yi)趨(qu)勢(shi)則(ze)推(tui)動(dong)了(le)對(dui)便(bian)攜(xie)性(xing)和(he)更(geng)佳(jia)音(yin)頻(pin)體(ti)驗(yan)的(de)更(geng)高(gao)偏(pian)好(hao)。根(gen)據(ju) IDC PCD Tracker Historical 2022年第三季度報告（圖1所示），行業正在加速采用超薄筆記本電腦。

2023-05-09
貿澤電子隆重推出新一期EIT計劃，重點介紹綠色能源儲能係統

2023年5月9日 – 提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together™（共求創新，EIT）計劃2023全新內容係列。本年度第一期EIT的主題是綠色能源儲能係統，重點關注儲能係統的需求、潛力和未來，以及這些係統所需要的眾多元件和電池化學成分。

2023-05-09
ADC參數如何以及為何變化的四個影響因素

影響ADC性能的第一個挑戰是集成。MCU將緊挨著設計完美的ADC。快速開關MCU會將開關噪聲和接地反彈引入ADC電dian路lu。向xiang任ren何he有you經jing驗yan的de模mo擬ni設she計ji師shi詢xun問wen影ying響xiang板ban級ji模mo擬ni性xing能neng的de電dian路lu布bu局ju問wen題ti，他ta會hui告gao訴su你ni任ren何he莎sha士shi比bi亞ya戲xi劇ju相xiang媲pi美mei的de悲bei劇ju故gu事shi。現xian在zai想xiang象xiang一yi下xia，電dian路lu板ban尺chi寸cun減jian小xiao到daoIC的麵積，問題變得難以解決。時鍾同步和管理技術可用於將這些影響降至最低，但外設和異步事件的相互作用仍會影響ADC性能。

2023-05-08
什麼是PLC？看完就明白

PLC（Programmable Logic Controller，可編程控製邏輯控製器）以微處理器為基礎，融合計算機技術、自動化技術和通訊技術的新型工業控製裝置，實現工業自動化控製中的聯網通訊、人機交互、過程控製、邏輯編程等功能，具有操作簡單、可靠穩定等特點。

2023-05-08
揭秘碳化矽芯片的設計和製造

眾所周知，對於碳化矽MOSFET(SiC MOSFET)來(lai)說(shuo)，高(gao)質(zhi)量(liang)的(de)襯(chen)底(di)可(ke)以(yi)從(cong)外(wai)部(bu)購(gou)買(mai)得(de)到(dao)，高(gao)質(zhi)量(liang)的(de)外(wai)延(yan)片(pian)也(ye)可(ke)以(yi)從(cong)外(wai)部(bu)購(gou)買(mai)到(dao)，可(ke)是(shi)這(zhe)隻(zhi)是(shi)具(ju)備(bei)了(le)獲(huo)得(de)一(yi)個(ge)碳(tan)化(hua)矽(gui)器(qi)件(jian)的(de)良(liang)好(hao)基(ji)礎(chu)，高(gao)性(xing)能(neng)的(de)碳(tan)化(hua)矽(gui)器(qi)件(jian)對(dui)於(yu)器(qi)件(jian)的(de)設(she)計(ji)和(he)製(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)有(you)著(zhe)極(ji)高(gao)的(de)要(yao)求(qiu)，接(jie)下(xia)來(lai)我(wo)們(men)來(lai)看(kan)看(kan)安(an)森(sen)美(mei)(onsemi)在SiC MOSFET器件設計和製造上都獲得了哪些進展和成果。

2023-05-06
如何快速調試英飛淩LED驅動芯片LITIX TLD6098-X係列的設計

TLD6098-2ES是寬電壓輸入雙通道多拓撲DC/DC控製器，兩個通道上的電流或者電壓可以通過不同的拓撲實現閉環控製，作為一級恒壓源或者恒流源。目前TLD6098可以支持的拓撲有：對地升壓、SEPIC、反激、對電池升壓、降壓。

2023-05-06
多電壓SoC電源設計技術

最小化功耗是促進IC設計現代發展的主要因素，特別是在消費電子領域。設備的加熱，打開/關閉手持設備功能所需的時間，電池壽命等仍在改革中。因此，采用芯片設計的最佳實踐來幫助降低SoC（片上係統）和其他IC（集成電路）的功耗變得非常重要。

2023-05-06
什麼是寬禁帶半導體？

禁帶寬度和電場強度越高，器件越不容易被擊穿，耐壓可以更高；熱導率和熔點越高，器件越容易散熱，也更容易耐高溫；電子遷移率越高，器件的開關速度也就越快，因此可以做高頻器件。不難看出，SiC和GaN器件在高溫、高壓、高頻應用領域的顯著優勢。

2023-05-05

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