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Vishay發布新係列SMD MLCC，用於安全認證應用
Vishay發布用於安全認證應用的新係列SMD MLCC，器件采用C0G(NPO)和X7R電介 質，提供X1/Y2和X2安全分級。適用於EMI和交流線路濾波，電源和電池充電器中的雷擊 和電壓浪湧保護，以及傳真機和電話機、調製解調器和路由器等。
2013-09-26
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占位麵積僅2mmx2mm，TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET
Vishay新款超小外形尺寸TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻，器件采用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝，致力於便攜式電子產品節省空間及提高效率。
2013-09-09
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Vishay新款TMBS®整流器，用於商業應用的低外形SMPD封裝
Vishay發布16個新款45V、50V、60V、100V和120V整流器件，針對商業應用的低外形SMPD封裝。器件的低正向壓降減少了功率損耗，且器件非常適合自動配置，可進一步提高效率。
2013-09-09
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最低正向壓降的肖特基整流器問世
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款高電流密度的50V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器---V10PN50和V15PN50。這兩款器件是業內首批在10A和15A下的典型正向壓降低至0.40V和0.41V，兼具優化的漏電流的器件，采用薄形TO-277A(SMPC)封裝，可用於智能手機和平板電腦的充電器。
2013-09-04
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Vishay新款SMD MLCC，針對高頻RF應用
Vishay發布新款SMD MLCC，針對高頻RF應用，提供可靠的性能。該器件具有超過2000的超高Q值和低至0.01Ω的ESR，電壓等級高達1500V，可用於電信、醫療、國防和工業設備。
2013-08-28
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Vishay發布高頻RF應用新款SMD MLCC，Q值超2000
日前，Vishay 宣布推出針對高頻RF應用高功率表麵貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)，新款QUAD HIFREQ係列產品具有超過2000的超高Q值和低至0.01Ω的ESR，電壓等級高達1500V，適用於電信、醫療、國防和工業設備。
2013-08-28
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Vishay推出手勢遙控應用高功率高速紅外發射器
日前，Vishay 宣布推出用於手勢遙控應用的新款高功率高速940nm紅外發射器VSLB9530S。該器件在100mA電流下的發射功率達40mW，在垂直方向和水平方向的半強角分別達到±18°和±36°，采用TELUX封裝，且開關速度很快，時間僅15ns。
2013-08-28
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Vishay發布醫療設備用TANTAMOUNT固鉭片式電容
日前，Vishay宣布推出新係列TANTAMOUNT表麵貼裝固鉭模壓片式電容器TM3係列，新款可靠的模塑電容器采用穩固的陽極設計、威布爾分級和Hi-Rel篩選，可在各種家用和醫用非生命支持醫療監護和診斷設備中提供更好的性能和可靠性。
2013-08-22
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Vishay新增12款±35°半靈敏度角新款高速表麵貼裝光探測器
Vishay日前宣布推出采用微型鷗翼、倒鷗翼和側視型封裝及寬視角半球形透鏡的新款高速光探測器。對於需要成對發射器-探測器的應用，新增二極管可以匹配Vishay的新款±25°和±28°發射器。其中，VEMD2xx3(SL) PIN光電二極管半靈敏度角為±35°，典型輸出電流為10μA，具有1nA的極低暗電流；VEMT2xx3(SL)光電晶體管的典型輸出電流為2.7mA。
2013-08-12
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Vishay推出高2.1mm的新款10mm標準SMD 7段LED數碼管
Vishay發布高2.1mm的新款10mm標準SMD 7段LED數碼管——VDMx10x0和VDMx10A1係列。該器件采用發光均勻、無汙點的數碼管和灰色封裝表麵，有紅橙黃綠4種顏色，發光強度達2750μcd，可用於多種應用。
2013-08-07
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Vishay新款TMBS整流器在3A下正向壓降僅0.34V
日前，Vishay宣布推出12款電流等級從6A至20A的新型45V、60V和100V的TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器。新的整流器在3A下的正向電壓降隻有0.34V，采用表麵貼裝TO-252(DPAK)封裝，非常適合商業應用。
2013-08-02
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Vishay發布軍工和航天應用液鉭高能電容器，業界容量最高
Vishay 日前宣布發布新款液鉭高能電容器---HE4，這款器件在+25℃和1kHz條件下的最大ESR隻有0.025Ω，在市場上類似器件當中容量最高，容量為1100µF～72000µF。HE4的製造工藝使其可以承受高應力和惡劣的環境，采用可在軍工和航天應用中提高可靠性和性能的特殊殼體設計。
2013-07-26
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