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讓電動汽車延長5%裏程的SiC主驅逆變器
本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化矽 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 將電動汽車的續航裏程延長多達 5%。另外，文中還討論了為什麼一些原始設備製造商 (OEM) 不願意從矽基絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 過渡到 SiC 器件，以及安森美 (onsemi) 為緩解 OEM 的擔憂同時提升 OEM 對這種成熟的寬禁帶半導體技術的信心所做的努力。
2023-11-12
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通過碳化矽(SiC)增強電池儲能係統
dianchikeyiyonglaichucuntaiyangnenghefengnengdengkezaishengnengyuanzaigaofengshiduanchanshengdenengliang，zheyangdanghuanjingtiaojianbutaiyouliyufadianshi，jiukeyiliyongzhexiechucundenengliang。benwenhuigulezhuzhaiheshangyongdianchichunengxitong (BESS) 的拓撲結構，然後介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為矽MOSFET 或IGBT開關的替代方案，改善 BESS 的性能。
2023-11-10
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充分利用IGBT的關鍵在於要知道何時、何地以及如何使用它們
如今，碳化矽 (SiC)和氮化镓 (GaN) 等寬禁帶半導體風頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業的主角。本文將介紹IGBT在哪些應用中仍能發揮所長，然後快速探討一下這些多用途器件的未來前景。
2023-11-07
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高集成度智能柵極驅動光耦通吃MOSFET和IGBT
光耦也叫光電耦合器，是以光為媒介傳輸電信號的一種電-光-電轉換器件。光耦由發光源和受光器兩部分組成，密閉於同一殼體內，彼此用透明絕緣體隔離。
2023-10-27
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動光耦合器設計
本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用於驅動、開啟和關閉功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路中消耗或損失的功率、發送至功率半導體開關(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動器IC和功率半導體開關之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。
2023-10-25
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低損耗、高結溫！基本半導體混合碳化矽分立器件性能優勢介紹
IGBT分立器件一般由IGBT和續流二極管（FWD）構成，續流二極管按材料可分為矽材料和碳化矽材料，按照器件結構可分為PIN二極管和肖特基勢壘二極管（SBD）。材料與結構兩兩組合就形成了4種結果：矽PIN二極管、碳化矽 PIN二極管、矽肖特基二極管、碳化矽肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點闡述碳化矽肖特基二極管作為續流二極管的混合碳化矽分立器件（後文簡稱為混管）的特性與優點。
2023-10-24
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電動汽車熱和集成挑戰
到(dao)目(mu)前(qian)為(wei)止(zhi)，我(wo)們(men)提(ti)到(dao)的(de)每(mei)一(yi)種(zhong)趨(qu)勢(shi)都(dou)帶(dai)來(lai)了(le)獨(du)特(te)的(de)技(ji)術(shu)挑(tiao)戰(zhan)。對(dui)於(yu)更(geng)高(gao)集(ji)成(cheng)度(du)的(de)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)，主(zhu)要(yao)挑(tiao)戰(zhan)在(zai)於(yu)創(chuang)建(jian)節(jie)能(neng)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)。具(ju)體(ti)來(lai)說(shuo)，隨(sui)著(zhe)高(gao)性(xing)能(neng)組(zu)件(jian)之(zhi)間(jian)的(de)集(ji)成(cheng)變(bian)得(de)更(geng)加(jia)緊(jin)密(mi)，對(dui)熱(re)密(mi)度(du)的(de)擔(dan)憂(you)開(kai)始(shi)威(wei)脅(xie)到(dao)設(she)備(bei)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。控(kong)製(zhi)熱(re)量(liang)需(xu)要(yao)高(gao)能(neng)效(xiao)半(ban)導(dao)體(ti)，將(jiang)少(shao)的(de)功(gong)率(lv)轉(zhuan)化(hua)為(wei)熱(re)量(liang)。因(yin)此(ci)，業(ye)界(jie)正(zheng)在(zai)采(cai)用(yong)SiC MOSFET代替IGBT。高能效半導體使 xBEV 電池無需充電即可使用更長時間，從而延長汽車的行駛裏程。由於行程範圍非常重要，這反過來又提高了電動汽車在市場上的價值。
2023-09-27
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搭載1200V P7芯片的PrimePACK刷新同封裝功率密度
繼英飛淩1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產並取得客戶認可後，英飛淩最新推出了適用於大功率應用場景的1200V IGBT7 P7芯片，並將其應用在PrimePACK™模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。
2023-09-20
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IGBT驅動芯片進入可編程時代，英飛淩新品X3有何玄機？
俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅動IC。一顆好的驅動不僅要提供足夠的驅動功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關斷、軟關斷、欠壓保護等，為IGBT的安全運行保駕護航。
2023-09-19
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如何選擇和開始使用功率器件驅動器
所有的分立式開關功率器件都需要驅動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物矽場效應晶體管 (MOSFET)、碳化矽 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅動器是係統處理器的低電壓、低電流輸出端與開關器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環境中運行，而後者則在惡劣條件下工作，對電流、電壓和定時有著嚴格的要求。
2023-09-14
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具有反向阻斷功能的新型 IGBT
新型 IGBT 已開發出來，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為，並通過典型電路中的個樣本進行了測量。
2023-09-06
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不同殼溫下SOA曲線的計算方法
安全工作區(SOA)定義為IGBT可以預期在沒有自損壞或退化的情況下工作的電流和電壓條件，分為正向偏置和反向偏置安全工作區（FBSOA和RBSOA）。正向偏置安全工作區(FBSOA)定義了IGBT開啟期間的可用電流和電壓條件。反向偏置安全工作區(RBSOA)定義了IGBT關斷期間的可用電流和電壓條件。在實踐中，SOA曲線是工程師的重要參考之一。工程師必須考慮到所有的極限工況，同時保證器件的工作時的參數都在SOA之內。不僅需要在安全工作區域內使用IGBT，而且還需要控製器件的工作溫度。
2023-08-23
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