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矽基氮化镓在射頻市場的應用日益廣泛
氮化镓技術將繼續在國防和電信市場提供高性能和高效率。射頻應用目前主要是碳化矽基氮化镓（GaN-on-SiC）器件。雖然矽基氮化镓（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化矽基氮化镓的主導地位，但它的出現將影響供應鏈，並可能影響未來的電信技術。
2023-09-21
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長電科技鄭力：高性能先進封裝創新推動微係統集成變革
第24屆電子封裝技術國際會議(ICEPT2023)於近日在新疆召開,來自海內外學術界和產業界超700名專家學者、研究人員、企業人士齊聚一堂,共話先進封裝技術創新、學術交流與國際合作。長電科技董事、首席執行長鄭力出席會議,發表《高性能先進封裝創新推動微係統集成變革》主題演講。
2023-09-21
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AMD蘇姿豐：AI對未來芯片設計十分重要，已列為戰略重點
據wccftech消息，AMD CEO蘇姿豐參加了在上海舉行的2023世界人工智能大會（WAIC），她在大會上表示，人工智能技術是未來芯片開發的發展方向，可以在測試和驗證階段提供幫助。
2023-09-21
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提升直流穩壓電路的效率並降低噪聲
zaigaoxiaolvfeichangzhongyaodechanghe，kaiguanwenyaqishidianyatiaojiedelixiangxuanze。danshi，kaiguanwenyaqirengranhuixiaohaoyixienengliang，erqiekaiguanzaoshengkenengshiyigetiaozhan。liyong Analog Device 的直通特性，用戶可以實現效率的顯著提升和無噪聲運行。負載對電壓波動的承受能力越強，潛在效益越大。
2023-09-20
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使用電荷泵驅動外部負載
CS5521/23、CS5522/24/28 和 CS5525/26 係列 A/D 轉換器包含斬波穩定儀表放大器，用於測量低電平直流信號（±100 mV 或更小）。該放大器設計用於產生非常低的輸入采樣電流（在 -40 至 +85?C 範圍內，ICVF < 300 pA）。當使用高阻抗電路進行輸入保護時，低輸入電流可限度地減少熱電偶測量中可能出現的誤差，如圖 1 所示。
2023-09-20
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IGBT驅動芯片進入可編程時代，英飛淩新品X3有何玄機？
俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅動IC。一顆好的驅動不僅要提供足夠的驅動功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關斷、軟關斷、欠壓保護等，為IGBT的安全運行保駕護航。
2023-09-19
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅動SiC MOSFET
碳化矽（SiC MOSFET）和氮化镓(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動係統的性能提出了更高的要求。英飛淩最新一代增強型EiceDRIVER™ 1ED34X1係列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調的軟關斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。
2023-09-18
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如何在有限空間裏實現高性能？結合最低特定RDS(On)與表麵貼裝技術是個好方法！
SiC FET在共源共柵結構中結合矽基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術的性能優勢，以及成熟矽基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表麵貼裝TOLL封(feng)裝(zhuang)，由(you)此(ci)增(zeng)加(jia)了(le)自(zi)動(dong)裝(zhuang)配(pei)的(de)便(bian)利(li)性(xing)，同(tong)時(shi)減(jian)少(shao)了(le)元(yuan)件(jian)尺(chi)寸(cun)，並(bing)達(da)成(cheng)出(chu)色(se)的(de)熱(re)特(te)性(xing)，在(zai)功(gong)率(lv)轉(zhuan)換(huan)應(ying)用(yong)中(zhong)實(shi)現(xian)了(le)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)最(zui)大(da)化(hua)和(he)係(xi)統(tong)成(cheng)本(ben)最(zui)小(xiao)化(hua)。
2023-09-18
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X-FAB最新的無源器件集成技術擁有改變通信行業遊戲規則的能力
中國北京，2023年9月14日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，新增集成無源器件（IPD）製造能力，進一步增強其在射頻（RF）領域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動的人員可與X-FAB技術人員（位於438C展位）就這一創新進行交流。
2023-09-18
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SiC功率半導體市場，如何才能成為頭部玩家？
在功率電子領域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來衝刺更高的性能，已經是大勢所趨。
2023-09-15
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貿澤和Bourns聯手推出新電子書，介紹無源元件在電子設計中日益重要的作用
2023年9月14日 – 提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與Bourns, Inc.合作發布了一本新電子書，探討無源元件在可再生能源、混動汽車和電動汽車等新興電子應用中的作用。
2023-09-15
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如何選擇和開始使用功率器件驅動器
所有的分立式開關功率器件都需要驅動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物矽場效應晶體管 (MOSFET)、碳化矽 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅動器是係統處理器的低電壓、低電流輸出端與開關器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環境中運行，而後者則在惡劣條件下工作，對電流、電壓和定時有著嚴格的要求。
2023-09-14
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