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建議收藏！汽車LED驅動器功率轉換拓撲指南
在很多係統中（包括汽車動力輸出係統中部署的眾多調節器），功率轉換控製器的設計都是一項困難而複雜的工作。本文說明了LED驅動器使用的不同開關拓撲的優勢、權衡取舍和應用，旨在簡化選擇過程。
2022-07-28
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想要一鍵選型？AC/DC小功率電源模塊也有“萬金油”！
不少電子工程師熟悉DC/DC電源或開關電源的選型，卻對小功率的AC/DC電源模塊選型頭痛——既不像DC/DC電源分類明確，又不像開關電源標準通用。在中小型設備裏，常見功率幾十瓦，但處於前端的AC/DC電源需要麵臨的工況、EMC、體積、封裝等問題都不會少。
2022-07-26
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這款負輸出穩壓器，緊湊、高功率、可擴展輸入電壓範圍
正至負DC/DC轉換 (負輸出) 廣泛應用於LCD器件、OLED顯示器、音頻放大器、工業設備、測量工具、測試係統、LED驅動器和電池充電器。在所有這些應用場合中，負輸出轉換器必須緊湊、支持高功率並適應擴展的輸入電壓範圍。LTC7149可滿足所有這些要求。其集成的4A開關和3.4V至60V的寬輸入電壓範圍能滿足且超越大多數嚴苛應用的要求，包括那些在汽車環境中的需求。
2022-07-18
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開關電源的輸出端反灌電壓產生與防護
本文簡述了設備中負載係統或是其他原因產生的倒灌電壓對開關電源的危害，分析了輸出倒灌電壓對開關電源中元器件的應力影響。針對不同原因產生的倒灌電壓對開關電源的影響，給出不同的防護方案，使得開關電源產品即使存在倒灌電壓的情況下，電源和係統仍然可靠工作。
2022-07-18
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開關模式下的電源電流如何檢測？這12個電路&10個知識點講明白了
電(dian)流(liu)檢(jian)測(ce)技(ji)術(shu)在(zai)現(xian)今(jin)的(de)生(sheng)活(huo)與(yu)工(gong)作(zuo)中(zhong)都(dou)有(you)廣(guang)泛(fan)的(de)應(ying)用(yong)，許(xu)多(duo)的(de)係(xi)統(tong)中(zhong)都(dou)需(xu)要(yao)檢(jian)測(ce)流(liu)入(ru)和(he)流(liu)出(chu)的(de)電(dian)流(liu)大(da)小(xiao)，檢(jian)測(ce)電(dian)流(liu)大(da)小(xiao)能(neng)夠(gou)避(bi)免(mian)器(qi)件(jian)出(chu)錯(cuo)。所(suo)以(yi)我(wo)們(men)今(jin)天(tian)的(de)主(zhu)角(jiao)就(jiu)是(shi)“開關模式電源的電流檢測技術”。
2022-07-15
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設備灰塵堆積？噪音大？選對開關電源很關鍵！
相信不少工程師對開關電源產品都不陌生，它可廣泛應用於工業自動化控製、軍工設備、LED照明、工控設備、通訊設備、電力設備、儀器儀表、醫療設備等等。市麵上主流的中大功率開關電源如下圖，特點是帶風扇、裸板中空、外形扁平。
2022-07-15
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靜電放電保護器件種類與特點
靜電放電(ESD)是一種意外的快速高壓瞬態波形，出現在電路內的導體上。ESD引起的高電壓和電流峰值可能導致靜電敏感IC等器件發生故障。人際接觸是ESD的常見來源。即使人與電路沒有直接接觸，電容式檢測開關等器件也可以允許電荷耦合到電導體上。在ESD放電可能導致電路故障的情況下，需要ESD保護。
2022-07-14
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有無驅動器源極引腳的差異及其效果
在上一篇文章中，作為介紹驅動器源極引腳效果的前提，我們了解了在沒有驅動器源極引腳的以往封裝MOSFET（以下稱“以往MOSFET”）中的開關工作期間的電壓。在本文中，我們將一起了解具有驅動器源極引腳的MOSFET的工作情況和驅動器源極引腳的效果。
2022-07-11
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LLC的工作原理（第 I 部分）：電源開關和諧振腔
LLC 諧振變換器因能滿足現代電源設計苛刻的性能要求而成為電力電子領域的熱門話題。 LLC 屬於龐大的諧振變換器拓撲家族係列，而諧振腔是該拓撲係列的基礎特征。諧振腔是一組以特定頻率（稱為諧振頻率）振蕩的電感器和電容器組成的電路。
2022-07-07
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貿澤榮獲2021年度RECOM目錄分銷商獎
2022年7月6日 – 提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 很高興地宣布榮獲RECOM Power Inc.頒發的2021年度目錄分銷商獎。RECOM Power Inc.是一家專門生產AC/DC和DC/DC轉換器及開關穩壓器的電源製造商。在頒獎典禮上，RECOM表彰了貿澤在新產品引入和全球客戶增長方麵的卓越表現。
2022-07-06
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究
米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化矽MOSFET的弱點。為了避免這種效應，硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是，這對於CoolSiC™MOSFET真的是必要的嗎？
2022-07-06
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仿真看世界之SiC單管的開關特性
如下圖1是今年英飛淩新推出的一顆TO-247-3封裝的1200V/45mΩ的SiC MOSFET單管。假定該器件焊到PCB後，其管腳到器件內部芯片柵極、漏極和源極的雜散參數如下圖所示，其中VD1_Q1、VG1_Q1和VS2_Q1表示器件Q1外部管腳測到的信號，VD0_Q1、VG0_Q1和VS0_Q1表示器件Q1內部芯片的信號，芯片Q1內包含寄生電阻Rgint=4Ω。
2022-07-06
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