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IGBT 還是 SiC ? 英飛淩新型混合功率器件助力新能源汽車實現高性價比電驅
近(jin)幾(ji)年(nian)新(xin)能(neng)源(yuan)車(che)發(fa)展(zhan)迅(xun)猛(meng)，技(ji)術(shu)創(chuang)新(xin)突(tu)飛(fei)猛(meng)進(jin)。如(ru)何(he)設(she)計(ji)更(geng)高(gao)效(xiao)的(de)牽(qian)引(yin)逆(ni)變(bian)器(qi)使(shi)整(zheng)車(che)獲(huo)得(de)更(geng)長(chang)的(de)續(xu)航(hang)裏(li)程(cheng)一(yi)直(zhi)是(shi)研(yan)發(fa)技(ji)術(shu)人(ren)員(yuan)探(tan)討(tao)的(de)最(zui)重(zhong)要(yao)話(hua)題(ti)之(zhi)一(yi)。高(gao)效(xiao)的(de)牽(qian)引(yin)逆(ni)變(bian)器(qi)需(xu)要(yao)在(zai)功(gong)率(lv)、效率和材料利用率之間取得適當的平衡。
2024-09-25
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什麼是IGBT的退飽和（desaturation）？ 什麼情況下IGBT會進入退飽和狀態？
這要從IGBT的平麵結構說起。IGBT和MOSFET有類似的器件結構，MOS中的漏極D相當於IGBT的集電極C，而MOS的源極S相當於IGBT的發射極E，二者都會發生退飽和現象。下圖所示是一個簡化平麵型IGBT剖麵圖，以此來闡述退飽和發生的原因。柵極施加一個大於閾值的正壓VGE，則柵極氧化層下方會出現強反型層，形成導電溝道。
2024-08-30
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第1講：三菱電機功率器件發展史
三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的曆史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力於功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。
2024-08-01
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借助智能功率模塊係列提高白色家電的能效
CIPOS™ Mini IM523係列是一個全新的智能功率模塊（IPM）係列，這些產品采用完全隔離的雙列直插式封裝，通過集成第二代逆導型IGBT，可以實現更高的電流密度和係統能效。IM523zhinenggonglvmokuaijuyouyigedaizijugongnengdejichengshijueyuantishangguizhajiqudongqiheyigekexiangkongzhiqitigongmonifankuixinhaodewendujianceqi，congerzuidaxiandudijianshaoleduiwaibuyuanjiandexuqiu。deyiyuzhexietexing，zhegexindeIPM係列的產品堪稱冰箱和洗衣機等家用電器所使用的變頻係統的完美搭檔。
2024-06-17
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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等deng半ban導dao體ti器qi件jian的de開kai關guan速su度du受shou到dao元yuan件jian本ben身shen的de電dian容rong的de影ying響xiang。為wei了le滿man足zu電dian路lu的de效xiao率lv，設she計ji者zhe需xu要yao知zhi道dao這zhe些xie參can數shu。例li如ru，設she計ji一yi個ge高gao效xiao的de開kai關guan電dian源yuan將jiang要yao求qiu設she計ji者zhe知zhi道dao設she備bei的de電dian容rong，因yin為wei這zhe將jiang影ying響xiang開kai關guan速su度du，從cong而er影ying響xiang效xiao率lv。這zhe些xie信xin息xi通tong常chang在zaiMOSFET的指標說明書中提供。
2024-06-08
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SEMI-e 第六屆深圳國際半導體展，華為 華天 長電 上海華力等頭部企業6月齊聚
6月26-28日，由深圳中新材會展有限公司聯合中國通信工業協會、江蘇省半導體行業協會、浙江省半導體行業協會、深圳市半導體行業協會、成都集成電路行業協會、東莞巿集成電路行業協會舉辦的SEMI-e第六屆深圳國際半導體技術暨應用展覽會（簡稱：SEMI-e）將在深圳會展中心4.6.8號館盛大召開，聚焦半導體行業的各個細分領域，展示以設計、芯片、晶圓製造與封裝，半導體專用設備與零部件，先進材料，第三代半導體/IGBT，汽車半導體/車規級先進封裝技術為主的半導體產業鏈，全麵展示了半導體行業的新技術、新產品、新亮點、新趨勢，構建起了半導體產業交流融合的新生態。展出麵積60,000平方米，800家超高質量展商齊聚，打造華南半導體領域最具有影響力和代表性的行業盛會。
2024-04-30
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優勢對比
眾多終端產品製造商紛紛選擇采用SiC技術替代矽基工藝，來開發基於雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產品。然而，Qorvo研發的SiC“共源共柵結構”FET器件（如圖2所示）使這項技術更進一步。這些器件基於獨特的“共源共柵結構”電路配置，將一個常開型SiC JFET器件與一個矽基MOSFET共同封裝，形成一個集成的常關型SiC FET器件。在接下來的段落中，我們將詳細闡述 Qorvo 研發的 SiC FET（共源共柵結構FET）相較於同類SiC MOSFET的顯著優勢。
2024-04-15
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如何通過SiC增強電池儲能係統？
dianchikeyiyonglaichucuntaiyangnenghefengnengdengkezaishengnengyuanzaigaofengshiduanchanshengdenengliang，zheyangdanghuanjingtiaojianbutaiyouliyufadianshi，jiukeyiliyongzhexiechucundenengliang。benwenhuigulezhuzhaiheshangyongdianchichunengxitong (BESS) 的拓撲結構，然後介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為矽MOSFET或IGBT開關的替代方案，改善BESS的性能。
2024-03-22
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雙脈衝測試（DPT）的方法解析
雙脈衝測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBTzailiangdianpingqiaoshidianluzhongyingyongweili，ruxiatu，tongguotiaojiezhiliumuxiandianyahediyigemaichongchixushijian，keyizaidiyigemaichongjieshuhediergemaichongkaishishibuzhuodaobeiceqijianzairenhesuoxudedianyahedianliutiaojianxiadekaiguanshuntaixingwei。
2024-03-19
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【第三代半導體、汽車半導體等四場熱門盛會6月齊聚深圳，論壇議程搶先看！】
深圳，這座中國科技創新的璀璨明珠，即將在2024年6月26日至28日迎來一場科技盛宴。SEMI-e第六屆深圳國際半導體暨應用展覽會（SEMI-e)即將於深圳國際會展中心（寶安新館）4.6.8號館開啟，並分別舉辦2024中國汽車半導體大會、第五屆第三代半導體產業發展高峰技術論壇以、第六屆深圳半導體產業技術高峰會及第二屆人工智能——算力/算法/存儲大會暨展示會，四場熱門盛會齊聚一堂，聚焦半導體細分領域: 汽車半導體、IGBT、Al算力、算法、存儲、電源及儲能、Mini/Micro-LED 等各種最新應用解決方案。
2024-03-18
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如何測量功率回路中的雜散電感
影響IGBT和SiC MOSFET在係統中的動態特性有兩個非常重要的參數：寄(ji)生(sheng)電(dian)感(gan)和(he)寄(ji)生(sheng)電(dian)容(rong)。而(er)本(ben)文(wen)主(zhu)要(yao)介(jie)紹(shao)功(gong)率(lv)回(hui)路(lu)中(zhong)寄(ji)生(sheng)電(dian)感(gan)的(de)定(ding)義(yi)和(he)測(ce)試(shi)方(fang)法(fa)，包(bao)括(kuo)直(zhi)流(liu)母(mu)線(xian)電(dian)容(rong)的(de)寄(ji)生(sheng)電(dian)感(gan)，直(zhi)流(liu)母(mu)排(pai)寄(ji)生(sheng)電(dian)感(gan)以(yi)及(ji)模(mo)塊(kuai)本(ben)身(shen)的(de)寄(ji)生(sheng)電(dian)感(gan)。
2024-03-12
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下一代隔離式Σ-Δ調製器如何改進係統級電流測量
隔離調製器廣泛用於需要高精度電流測量和電流隔離的電機/逆變器。隨著電機/逆變器係統向高集成度和高效率轉變，SiC和GaN FET由於具有更小尺寸、更高開關頻率和更低發熱量的優勢，而開始取代MOSFET和IGBT。然而，隔離器件需要具有高CMTI能力，另外還需要更高精度的電流測量。下一代隔離調製器大大提高了CMTI能力，並改善了其本身的精度。
2024-03-11
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