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Power Integrations供應Qspeed係列二極管用於功率因數校正電路
Power Integrations公司日前宣布可立即供應先進的Qspeed係列二極管。Qspeed二極管采用獨特的矽基工藝，兼具一個極低的反向恢複電荷(Qrr)和一個極軟恢複波形。這些先進特性能夠幫助設計師優化其電源轉換電路的效率和EMI性能。Qspeed二極管非常適用於連續導通模式(CCM)升壓式功率因數校正(PFC)電路，並在硬開關應用中用作輸出二極管。在PFC電路中，Qspeed二極管可以提供與碳化矽(SiC)二極管一樣的整體開關性能，但成本更低。
2011-02-22
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具磁性執行器的射頻遙控10無線電開關用於工業自動化
雖然射頻遙控10“無線立方”方位開關仍然在市場上很新，事實已經證明了它的一些不同應用。事實上他們的共同點是開關設備被安裝在了非常易於使用的位置。射頻遙控10yuxianshiyonglezhezhongleixingshiyinwei，diyi，zheshifeichangjincoude，dier，tashifeichangnaiyongde，disan，tabuxuyaodianlanshiyinweiyouzhixingqichufadexinhaozaidaodajieshoushebeishangshitongguowuxianchuanshude。
2011-02-22
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DG408：Vishay推出高可靠性模擬複用器應用於國防領域
日前，長期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立IC器件的供應商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出8通道單端模擬複用器高可靠性DG408，擴充其按照MIL-PRF-38535規範進行篩選的模擬開關和複用器係列。
2011-02-18
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可飽和電感特性及開關噪聲抑製作用
可飽和電感是一種磁滯回線矩形比高、起始磁導率高、矯頑力小、具有明顯磁飽和點的電感，在電子電路中常被當作可控延時開關元件來使用。本文介紹了可飽和電感的基本物理特性和可飽和電感的開關噪聲抑製作用，重點分析了磁放大器穩壓電路的工作原理...
2011-02-18
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開關電源EMI設計經驗小結
開關電源的 EMI幹擾源集中體現在功率開關管、整流二極管、高頻變壓器等，外部環境對開關電源的幹擾主要來自電網的抖動、雷擊、外界輻射等。
2011-02-18
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美研發新晶體管 開關頻率提高1千倍
美國科學家使用世界上最纖薄的材料——石墨烯研製出一種晶體管，新晶體管擁有創紀錄的開關性能，將開關頻率提高了1000多倍，這使得其可以廣泛應用於未來的電子設備和計算機中，使其功能更強，性能更優異。
2011-02-15
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VSLY5850：Vishay發布具有極高輻射強度的紅外發射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出采用拋物線型透鏡實現±3°極窄半強角的新款850nm紅外發射器--- VSLY5850，擴充其光電子產品組合。基於獨特的表麵發射器芯片技術，VSLY5850在100mA驅動電流下可提供高達600mW/sr的輻射強度、55mW的光功率和10ns的開關時間。
2011-02-14
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GTO的過電流保護
GTO主要應用於大容量的斬波器、逆變器及開關電路中，其中最引人關注的問題是由於各種原因造成的短路過電流現象;因此它嚴重地威脅著器件乃至整機設備的安全。為此，必須研究過電流產生的原因及如何在電流情況下采取措施保護GTO，使其免遭損壞。
2011-02-07
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優化高電壓IGBT在高效率太陽能逆變器中的應用
多年來的調查和分析顯示，IGBT比bi其qi他ta功gong率lv晶jing體ti管guan有you更geng多duo優you點dian，當dang中zhong包bao括kuo更geng高gao電dian流liu能neng力li，利li用yong電dian壓ya而er非fei電dian流liu來lai進jin行xing柵zha極ji控kong製zhi，以yi及ji能neng夠gou與yu一yi個ge超chao快kuai速su恢hui複fu二er極ji管guan協xie同tong封feng裝zhuang來lai加jia快kuai關guan斷duan速su度du。此ci外wai，工gong藝yi技ji術shu及ji器qi件jian結jie構gou的de精jing細xi改gai進jin也ye使shiIGBT的開關xingnengdedaoxiangdangdegaishan。qitayoudianhaibaokuogenghaodetongtaixingneng，yijiyongyougaodunaiyongxinghekuananquangongzuoqu。zaikaolvzhexiezhiliangzhihou，zhezhonggonglvnibianqishejijiuhuixuanyonggaodianyaIGBT，作為功率開關的必然之選。
2011-02-06
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多槽矩陣開關
BRIC是一種高密度開關矩陣，能夠占據4或8口的PXI的所有插槽。BRIC采用模塊化結構，這樣可以建立不同規模的矩陣，並且可以由用戶自己定義X軸和Y軸上的節點數量。本文講述多槽矩陣開關的組成與使用
2011-02-04
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“無線”功率開關
現(xian)在(zai)，電(dian)子(zi)化(hua)汽(qi)車(che)設(she)計(ji)的(de)首(shou)要(yao)目(mu)標(biao)已(yi)經(jing)有(you)所(suo)不(bu)同(tong)。雖(sui)然(ran)豪(hao)華(hua)設(she)備(bei)和(he)更(geng)好(hao)的(de)駕(jia)駛(shi)功(gong)能(neng)對(dui)汽(qi)車(che)來(lai)說(shuo)仍(reng)然(ran)重(zhong)要(yao)，但(dan)現(xian)在(zai)以(yi)至(zhi)可(ke)見(jian)的(de)未(wei)來(lai)，當(dang)代(dai)汽(qi)車(che)所(suo)采(cai)用(yong)的(de)大(da)部(bu)分(fen)電(dian)子(zi)係(xi)統(tong)，也(ye)是(shi)以(yi)減(jian)少(shao)排(pai)放(fang)、提高燃料效率，並且降低車內係統的電力消耗為推動力。本文為你講述“無線”功率開關
2011-01-31
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飛兆推出UniFET™ II MOSFET消費產品功率轉換器
開關電源的設計人員需要能夠耐受反向電流尖刺並降低開關損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術知識，開發出經優化的功率MOSFET產品UniFET™ II MOSFET，新產品具有更佳的體二極管和更低的開關損耗，並可在二極管恢複dv/dt模式下耐受雙倍電流應力。
2011-01-27
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