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IGBT驅動電路中柵極電阻Rg的作用及選取方法

現在科技迅速在發展當中，本文我們為大家深入講解IGBT驅動電路中柵極電阻Rg的作用及選取方法與目前國內其他產品相比的優勢，希望對大家有所幫助。

2014-09-22
技術詳解：新一代場截止陽極短路IGBT

本文介紹以類似MOSFET的方式內嵌固有體二極管的最新一代陽極短路IGBT。與最佳競爭產品和前代產品相比，該器件具有Eoff較小的特性。總之，新器件使得FS IGBT更適用於不需要高性能反向並聯二極管的軟開關應用。

2014-08-28
一種可實現IGBT平滑切換的不對稱輸出的方法

IGBT在電力電子領域發揮著至關重要的作用，是不可或缺的組成部分。還廣泛應用於高電壓、大da功gong率lv負fu載zai切qie換huan。在zai這zhe種zhong情qing況kuang下xia，必bi須xu使shi用yong具ju有you良liang好hao絕jue緣yuan性xing能neng的de隔ge離li電dian源yuan轉zhuan換huan器qi，以yi確que保bao綠lv色se能neng源yuan要yao求qiu，能neng夠gou安an全quan可ke靠kao地di為wei我wo們men服fu務wu。那na麼me如ru何he實shi現xianIGBT平滑切換的不對稱輸出呢？本文將為大家講解。

2014-04-15
對於IGBT係統的電路保護新型與傳統型的較量

IGBT作為功率器件廣泛應用於工業控製、電力電子係統等領域。為使我們設計的係統能夠更安全、更可靠的工作，對IGBT的保護顯得尤為重要。那麼新型保護電路與傳統的保護電路又有那些根本上的不同呢？

2014-03-26
IGBT保護電路的主要內容

失效隨著IGBT在國內的迅猛發展，IGBT保護電路在各行業中的應用越來越多，由於IGBT保護電路失效機理很多人不明白它的失效防護，本文對此作一闡述。

2014-03-22
彙總常用IGBT及MOSFET器件隔離驅動技術

MOSFET以及IGBT絕(jue)緣(yuan)柵(zha)雙(shuang)極(ji)性(xing)大(da)功(gong)率(lv)管(guan)等(deng)器(qi)件(jian)的(de)源(yuan)極(ji)和(he)柵(zha)極(ji)之(zhi)間(jian)是(shi)絕(jue)緣(yuan)的(de)二(er)氧(yang)化(hua)矽(gui)結(jie)構(gou)，直(zhi)流(liu)電(dian)不(bu)能(neng)通(tong)過(guo)，因(yin)而(er)低(di)頻(pin)的(de)表(biao)態(tai)驅(qu)動(dong)功(gong)率(lv)接(jie)近(jin)於(yu)零(ling)。但(dan)是(shi)柵(zha)極(ji)和(he)源(yuan)極(ji)之(zhi)間(jian)構(gou)成(cheng)了(le)一(yi)個(ge)柵(zha)極(ji)電(dian)容(rong)Cgs，因而在高頻率的交替開通和需要關斷時需要一定的動態驅動功率。本文彙總了一些常用IGBT及MOSFET器件隔離驅動技術，給大家分享分享！

2014-03-04
頂級分享！讓IGBT跑的更快小竅門！

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方麵的優點。那麼如何讓IGBT性能更好，跑的更快呢？請看本文分享~

2014-02-16
實例解析IGBT對EMC影響的兩大技術問題

在zai電dian子zi元yuan件jian技ji術shu網wang論lun壇tan中zhong，網wang友you碰peng到dao兩liang道dao棘ji手shou的de技ji術shu問wen題ti，曾zeng經jing查zha找zhao很hen多duo技ji術shu資zi料liao都dou無wu法fa解jie決jue，故gu網wang友you將jiang自zi己ji的de疑yi惑huo分fen享xiang在zai論lun壇tan中zhong，期qi望wang個ge中zhong高gao手shou幫bang忙mang解jie答da。此ci問wen題ti均jun是shi跟genEMC有關，是網友在工作中碰到的實際問題。如今小編將問題陳列出來，望廣大EMC高手幫忙解答！

2014-02-12
省電專家：如何降低電磁爐應用中的IGBT損耗

近jin年nian來lai，人ren們men使shi用yong的de電dian器qi產chan品pin數shu量liang不bu斷duan增zeng多duo，致zhi使shi每mei個ge家jia庭ting內nei的de總zong能neng耗hao穩wen步bu上shang升sheng，不bu僅jin大da多duo數shu西xi方fang國guo家jia是shi這zhe樣yang，新xin興xing國guo家jia亦yi是shi如ru此ci。與yu這zhe些xie能neng耗hao相xiang關guan的de成cheng本ben也ye已yi經jing增zeng 加(jia)，因(yin)為(wei)燃(ran)料(liao)資(zi)源(yuan)變(bian)得(de)更(geng)為(wei)緊(jin)缺(que)，公(gong)用(yong)事(shi)業(ye)公(gong)司(si)因(yin)此(ci)而(er)漲(zhang)價(jia)。為(wei)了(le)將(jiang)從(cong)電(dian)網(wang)獲(huo)得(de)的(de)功(gong)率(lv)提(ti)升(sheng)至(zhi)最(zui)高(gao)，並(bing)因(yin)此(ci)使(shi)電(dian)費(fei)賬(zhang)單(dan)支(zhi)出(chu)受(shou)控(kong)及(ji)減(jian)少(shao)碳(tan)排(pai)放(fang)，付(fu)出(chu)更(geng)多(duo)努(nu)力(li)來(lai)為(wei)室(shi) 內環境開發更高能效的電器就至關重要了。

2014-01-21
將應用在電磁感應加熱中的IGBT的功率損耗降到最低

近jin年nian來lai，人ren們men使shi用yong的de電dian器qi產chan品pin數shu量liang不bu斷duan增zeng多duo，致zhi使shi每mei個ge家jia庭ting內nei的de總zong能neng耗hao穩wen步bu上shang升sheng，不bu僅jin大da多duo數shu西xi方fang國guo家jia是shi這zhe樣yang，新xin興xing國guo家jia亦yi是shi如ru此ci。與yu這zhe些xie能neng耗hao相xiang關guan的de成cheng本ben也ye已yi經jing增zeng加(jia)，因(yin)為(wei)燃(ran)料(liao)資(zi)源(yuan)變(bian)得(de)更(geng)為(wei)緊(jin)缺(que)，公(gong)用(yong)事(shi)業(ye)公(gong)司(si)因(yin)此(ci)而(er)漲(zhang)價(jia)。為(wei)了(le)將(jiang)從(cong)電(dian)網(wang)獲(huo)得(de)的(de)功(gong)率(lv)提(ti)升(sheng)至(zhi)最(zui)高(gao)，並(bing)因(yin)此(ci)使(shi)電(dian)費(fei)賬(zhang)單(dan)支(zhi)出(chu)受(shou)控(kong)及(ji)減(jian)少(shao)碳(tan)排(pai)放(fang)，付(fu)出(chu)更(geng)多(duo)努(nu)力(li)來(lai)為(wei)室(shi)內環境開發更高能效的電器就至關重要了。

2013-12-19
安森美半導體IGBT，實現高能效的高性能開關應用

針對不同應用選擇合適的IGBT實現高能效的器件，安森美半導體提供了豐富的分立式IGBT方案，廣泛用於電磁爐、不間斷電源(UPS )、太陽能逆變器和逆變電焊機等領域。

2013-11-21
如何通過光隔離放大器感應電流保護IGBT

IGBT作為變頻器中最昂貴的器件，極易因短路、過載和過電壓等情況而造成損壞，因此需要進行充分的保護。本文將討論在高成本效益前提下，如何通過光隔離放大器來保護IGBT避免受到電流過高和過電壓等情況的影響，並列舉了一些錯誤的IGBT保護情況和問題。

2013-11-07

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