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200kHz開關頻率破局！Wolfspeed聯合恩智浦推出牽引逆變器解決續航焦慮

Wolfspeed與恩智浦（NXP）聯合推出業界首款經過全麵驗證的800V牽引逆變器參(can)考(kao)設(she)計(ji)，為(wei)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)行(xing)業(ye)注(zhu)入(ru)關(guan)鍵(jian)技(ji)術(shu)動(dong)能(neng)。麵(mian)對(dui)汽(qi)車(che)行(xing)業(ye)加(jia)速(su)向(xiang)零(ling)排(pai)放(fang)轉(zhuan)型(xing)的(de)需(xu)求(qiu)，該(gai)設(she)計(ji)通(tong)過(guo)集(ji)成(cheng)動(dong)態(tai)柵(zha)極(ji)強(qiang)度(du)調(tiao)節(jie)技(ji)術(shu)與(yu)碳(tan)化(hua)矽(gui)（SiC）功率模塊，直擊效率提升、功能安全及長期可靠性三大核心痛點，助力車企快速開發出性能媲美甚至超越燃油車的差異化電動車型。

2025-07-09
破局電動車續航！羅姆第4代SiC MOSFET驅動助力豐田bZ5性能躍遷

全球知名半導體製造商羅姆（總部位於日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用於豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）麵向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。

2025-06-24
不同拓撲結構中使用氮化镓技術時麵臨的挑戰有何差異？

氮化镓（GaN）器件因其高開關頻率、低導通損耗的特性，正在快速滲透消費電子、汽車電驅和數據中心等領域。然而，不同拓撲結構對GaN器件的需求呈現顯著差異：例如快充領域的LLC諧振拓撲需要高頻率下的電磁幹擾控製，而車載雙向逆變器更關注動態電阻與耐壓性能。本文將深入分析半橋拓撲、雙向逆變拓撲、多電平拓撲及汽車主驅模塊中的氮化镓技術痛點，揭示材料特性與係統設計間的矛盾性關係。

2025-06-10
從光伏到充電樁，線繞電阻破解新能源設備浪湧防護難題

線繞電阻憑借高可靠性、耐脈衝電流及寬溫域性能，成為新能源與交通領域關鍵電子元件。在光伏逆變器中限製直流側電容充電電流，於風電變流器Crowbar電路吸收電網故障能量，為電動汽車BMS提供±0.1%精度的四線製電流檢測，並在快充樁中實現緊急泄放儲能。其抗震設計（10G加速度）、10萬小時壽命及-55℃~175℃耐溫特性，保障極端工況下的係統安全，成為新能源設備抵禦浪湧衝擊、延長服役周期的核心防護器件，助力綠色能源轉型。

2025-05-22
800V牽引逆變器：解鎖電動汽車續航與性能躍升的工程密鑰

在全球電動汽車年銷量突破3000萬輛的產業拐點（據BloombergNEF 2025年數據），續航焦慮與性能衰減仍是製約市場滲透率的核心痛點。作為電驅係統的"心髒"，牽引逆變器正通過材料革命與架構創新，推動電動汽車實現NEDC工況下750km續航與百萬公裏級耐久性的雙重突破。這場由800V高壓平台引領的技術變革，正在重構電動汽車的價值鏈競爭力。

2025-05-12
一文讀懂運動控製驅動器的技術邏輯

電動驅動器是一種通過控製設備來調節電動機操作的係統。驅動器的主要任務是管理電能（以及氣動和氣動）轉換為機械能（線性，旋轉，振蕩或其他類型的運動），並針對特定應用進行了優化。它們由幾個組件組成，包括電動機，伺服電動機，步進電動機，逆變器，傳感器和控製係統。

2025-05-09
金海迪電子攜0.5mm超薄貼片器件亮相深圳電子展定義新能源磁性元件新標杆

2025年4月10日，深圳會展中心9號館內，濰坊金海迪電子有限公司（展位9C515）以全球首發姿態引爆第105屆中國電子展。作為高頻貼片磁性器件領域的隱形冠軍，這家國家級高新技術企業重磅推出厚度僅0.5mm的SMD-8015型超薄貼片電流互感器，其突破性的±0.3%檢測精度和125℃高溫耐受性能，直擊微型逆變器與儲能設備微型化痛點。展台上，由全自動化產線打造的PT-3200係列貼片變壓器同步亮相，以30%的體積壓縮比和醫療級可靠性標準，向全球客商演繹中國精密電子元件的"硬核科技"進階之路。

2025-04-10
為什麼碳化矽Cascode JFET 可以輕鬆實現矽到碳化矽的過渡？

電力電子器件高度依賴於矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化镓高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等(deng)半(ban)導(dao)體(ti)材(cai)料(liao)。雖(sui)然(ran)矽(gui)一(yi)直(zhi)是(shi)傳(chuan)統(tong)的(de)選(xuan)擇(ze)，但(dan)碳(tan)化(hua)矽(gui)器(qi)件(jian)憑(ping)借(jie)其(qi)優(you)異(yi)的(de)性(xing)能(neng)與(yu)可(ke)靠(kao)性(xing)而(er)越(yue)來(lai)越(yue)受(shou)歡(huan)迎(ying)。相(xiang)較(jiao)於(yu)矽(gui)，碳(tan)化(hua)矽(gui)具(ju)備(bei)多(duo)項(xiang)技(ji)術(shu)優(you)勢(shi)（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能係統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。

2025-03-11
傳輸晶體管邏輯簡介

流經通道的電流問題會導致典型 CMOS 功能的一個更微妙但至關重要的方麵。 CMOS 反相器確保輸出節點與電源軌或地具有低電阻連接；反相器總是NMOS導通、PMOS截止或PMOS導通、NMOS截止。這就是為什麼我們可以說 CMOS 電路驅動邏輯低或邏輯高。這也是為什麼圍繞逆變器拓撲構建的邏輯電路如此可靠的“數字”——所有節點都具有明確定義的二進製狀態，因為它們始終具有通向電源電壓或接地的低電阻路徑。

2025-02-11
用第三代 SiC MOSFET設計電源性能和能效表現驚人！

在各種電源應用領域，例如工業電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能係統等，人們不遺餘力地追求更高效率、更小尺寸和更優性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了矽 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基於碳化矽 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。

2025-01-17
第13講：超小型全SiC DIPIPM

三菱電機從1997年開始將DIPIPM產品化，廣泛應用於空調、洗衣機、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機器人等工業設備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結構，由功率芯片和具有驅動及保護功能的控製IC芯片組成。通過優化功率芯片和控製IC，預先調整了開關速度等特性。搭載驅動電路、保護電路、電平轉換電路的HVIC（High Voltage IC），可通過CPU或微機的輸入信號直接控製，通過單電源化和消除光耦來減小電路板尺寸，並實現高可靠性。另外，內置BSD（Bootstrap Diode），可減少外圍元件數量。因此，DIPIPM使逆變器外圍電路的設計變得更加容易，有助於客戶逆變器電路板的小型化和縮短設計時間。

2025-01-09
IGBT 模塊在頗具挑戰性的逆變器應用中提供更高能效

製造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對於保護環境、限製汙染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業紛紛入場，試圖將商用和農業車輛 (CAV) 改造成由電力驅動。

2025-01-08

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