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汽車朝向電子化發展帶來龐大的商機
傳統的汽車產業已經逐漸朝向電子化、電氣化發展,除了各式各樣的電動汽車之外(混合動力與純電動車),就算是燃油車也在車身內部與外觀上使用越來越多的電子零組件。本文將為您介紹汽車電子化、電氣化的發展方向,以及由ST(意法半導體)所推出相關產品的功能特性。
2023-03-09
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如何為汽車和工業電源轉換器實施穩健的小型 EMI 控製解決方案
確保設備和用戶的安全對設計人員來說至關重要,而電容器則發揮著關鍵作用。在諸如電動汽車 (EV) 充電器、變頻器 (VFD) 的電磁幹擾 (EMI) 過濾器、LED 驅動器等係統中,以及諸如電容式電源和電源轉換器等高能量密度應用中,元器件尺寸、重量和可靠性同樣具有舉足輕重的作用。
2023-03-08
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電池管理係統創新如何提高電動汽車采用率
要在未來實現全電動化,需要進行電動動力總成係統創新,其中包括BMS、車載充電器和直流/直流轉換器以及牽引逆變器。這些係統的核心是使電氣化成為可能的半導體元件。
2023-03-07
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安森美的碳化矽技術將整合到寶馬集團的下一代電動汽車中
領先於智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON)宣布與寶馬集團(BMW)簽署長期供貨協議(LTSA),將安森美的EliteSiC技術用於這家德國高端汽車製造商的400 V直流母線電動動力傳動係統。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一個全橋功率模塊中,可提供幾百千瓦的功率。
2023-03-07
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用於 GaN HEMT 的超快分立式短路保護
當今的行業需要緊湊且速度更快的電子電路,這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功率應用中實施。實現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。矽基MOSFET具有較低的開關速度和熱效率;因此,如果不增加尺寸並因此影響功率密度,它們就不能用於高功率應用。這就是基於氮化镓 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用於製造高功率密度電子產品的地方,適用於各行各業的不同應用。
2023-03-07
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推動電氣化發展的 4 大電流檢測設計趨勢
在所有描述世界日益電氣化的流行語中,有一個詞十分亮眼:電流檢測。如果電流檢測技術不可靠、不準確且難以用於設計,那麼在太陽能電池陣列、電動汽車 (EV) 充電站或機器人領域令人耳熟能詳的創新幾乎都不可能實現。
2023-03-06
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電動汽車熱潮下的BMS技術,將走向何方?
電池組是電動汽車最重要的部件之一,就成本而言,它幾乎占到車輛成本的40%。電池組包括為電動汽車傳動係統供電的鋰離子電池,以及一種名為電動汽車電池管理係統(BMS)的智能解決方案。
2023-03-02
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如何優化汽車HVAC設計,以在持續增長的HEV和EV市場保持優勢
隨著混合動力汽車 (HEV) 和電動汽車 (EV) 的數量在全球範圍內持續增長,汽車研發人員也在不斷創新以保持優勢。混合動力汽車/電動汽車動力總成係統差異化曆來就是重點關注領域,而現如今,混合動力汽車/電動汽車熱管理或加熱、通風和空調 (HVAC) 係統差異化對於市場佼佼者而言亦是不容忽視的領域。熱管理係統消耗的功率在混合動力汽車/電動汽車中排名第二(僅次於動力總成係統),會直接影響續航裏程。
2023-03-02
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無線電池管理係統與高性能電動汽車的未來
全球汽車行業都將電動汽車視為未來的發展方向,電動汽車的新車型越來越多。高性能汽車製造商也紛紛加入這一趨勢,從內燃機轉向電氣化。
2023-02-28
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800V電動汽車開發:如何選好“料”,烹小鮮?
全球範圍內,電動汽車(EV)行業正處在一個快速成長期。根據麥肯錫的預測,在2021至2030的十年間,全球乘用車的總銷量預計約為8億台,其中電動汽車的銷量將達到約2.2億台,其滲透力可謂勢不可擋。
2023-02-22
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解析電動汽車充電基礎設施及技術的發展趨勢
電動汽車充電基礎設施,通常也被稱為電動汽車供電設備(EVSE),是一個健康的電動汽車生sheng態tai係xi統tong的de核he心xin組zu成cheng部bu分fen,是shi針zhen對dui汽qi車che充chong電dian而er規gui劃hua的de配pei電dian網wang和he專zhuan用yong的de電dian力li基ji礎chu設she施shi。簡jian單dan的de說shuo,就jiu像xiang移yi動dong網wang絡luo基ji礎chu設she施shi是shi支zhi持chi手shou機ji通tong信xin背bei後hou的de一yi套tao完wan整zheng的de通tong訊xun係xi統tong一yi樣yang,電動汽車充電基礎設施就是支持充電樁為汽車充電背後的一套完整的電力供應控製係統。
2023-02-22
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5大重要技巧讓您利用 SiC 實現高能效電力電子產品!
當(dang)您(nin)設(she)計(ji)新(xin)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)時(shi),您(nin)的(de)目(mu)標(biao)任(ren)務(wu)一(yi)年(nian)比(bi)一(yi)年(nian)更(geng)艱(jian)巨(ju)。高(gao)效(xiao)率(lv)是(shi)首(shou)要(yao)要(yao)求(qiu),但(dan)以(yi)更(geng)小(xiao)的(de)尺(chi)寸(cun)和(he)更(geng)低(di)的(de)成(cheng)本(ben)提(ti)供(gong)更(geng)高(gao)的(de)功(gong)率(lv)是(shi)另(ling)一(yi)個(ge)必(bi)須(xu)實(shi)現(xian)的(de)特(te)性(xing)。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創建基於 SiC 半導體的開關電源,其應用領域包括光伏係統、儲能係統、電動汽車 (EV) 充電站等。
2023-02-17
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