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更高能效、穩定可靠的工業驅動模塊和開箱即用的電機開發套件
功率集成模塊(PIM)被廣泛用於驅動、泵、暖通空調 (HVAC)、能源轉換等各個領域,實現對能源的調製及高效利用。安森美半導體的創新的壓鑄模PIM (TMPIM),集成最佳的IGBT / FRD技術,采用可靠的基板和環氧樹脂壓鑄模技術,比普通的凝膠填充功率模塊提高熱循環使用壽命10倍,提高功率回環使用壽命3倍,有利於逆變器係統實現更高能效、更長的使用壽命及更高可靠性,適用於工業電機驅動、泵、風扇、熱泵、HVAC、伺服控製等多種應用。
2020-12-09
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隔離式柵極驅動器的峰值電流
當考慮使用何種柵極驅動器時,一個常見問題是:qudongqikeyitigongdefengzhidianliushiduoshao?fengzhidianliushizhajiqudongqishujushoucezhongzuizhongyaodecanshuzhiyi。cizhibiaoyibanbeishiweijuedingzhajiqudongqiqudongqiangdudezhongjiyinsu。MOSFET/IGBT的導通、關guan斷duan時shi間jian與yu柵zha極ji驅qu動dong器qi可ke以yi提ti供gong的de電dian流liu有you關guan,但dan並bing不bu能neng說shuo明ming全quan部bu問wen題ti。峰feng值zhi電dian流liu一yi詞ci在zai業ye界jie使shi用yong非fei常chang普pu遍bian,許xu多duo柵zha極ji驅qu動dong器qi數shu據ju手shou冊ce的de標biao題ti中zhong包bao含han這zhe一yi術shu語yu。盡jin管guan如ru此ci,其qi定ding義yi還hai是shi會hui因yin器qi件jian而er異yi。本ben文wen討tao論lun為wei特te定ding應ying用yong選xuan擇ze柵zha極ji驅qu動dong器qi時shi使shi用yong峰feng值zhi電dian流liu作zuo為wei決jue定ding性xing因yin素su的de問wen題ti,並bing比bi較jiao數shu據ju手shou冊ce中zhong一yi些xie較jiao常chang見jian的de峰feng值zhi電dian流liu表biao示shi形xing式shi。本ben文wen對dui標biao題ti中zhong峰feng值zhi電dian流liu數shu值zhi相xiang似si的de柵zha極ji驅qu動dong器qi進jin行xing了le比bi較jiao,並bing對dui柵zha極ji驅qu動dong強qiang度du做zuo了le討tao論lun。
2020-12-02
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雙電壓整流電路設計,IGBT模塊適用於整流電路嗎?
不用兩個整流橋。用一個即可,把2個18伏交流接到整流橋的交流輸入端,把變壓器抽頭0伏接地線(線路板的地線),整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波,電容器2個串聯之後正極接整流橋正極+,電容器負極接整流橋負極-,2個串聯的電容器中間引出一根線接地線,也就是雙18伏交流的抽頭,這樣就可以在直流輸出端得到正負20伏的雙電源了。
2020-11-26
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GaN基電源性能的簡易測試技術
今天,大多數電源路線圖都將GaN晶體管作為一個關鍵平台集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比,GaN晶體管的優點意味著工程師們正在將它們廣泛地設計到他們的係統中。然而,GaN晶體管在開關電源中的這些進步也使得表征這些電源的性能變得越來越具有挑戰性。在半橋上測量高邊VGS是診斷晶體管交叉導通的一種傳統方法,對於基於GaN的設計來說是一項艱巨的任務。典型的解決方案是使用高成本的測量設備,這並不總是產生有用的結果。本文介紹了一種利用GaN晶體管的獨特特性測量交叉導通的簡單而經濟的方法。
2020-11-03
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如何使用Fly-buck為低電壓、低功耗工業應用供電
有些工業應用中包含分支電路,需要小型電源為跨隔離邊界的噪聲敏感型電路供電。在 PLC、數據采集以及測量設備等應用中,該隔離邊界可提供抗噪功能。需要這種隔離式電源的典型分支電路包括隔離式 RS-232 和 RS-485 通信通道、線路驅動器、隔離式放大器、傳感器以及 CAN 收發器。此外,我們在其它應用中也發現了類似的電源需求,它們需要隔離式電源為 IGBT 提供柵極驅動器電源,而且在一些醫療應用中也需要隔離技術來確保安全性。
2020-09-18
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電動汽車空調的一項關鍵技術——IGBT
ROHM的RGS係列是符合AEC-Q101標準、且具有1200V 和650V寬耐壓範圍的IGBT產品。該係列具有更低的傳導損耗,有助於提高應用產品的效率並實現小型化,是電動壓縮機的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-08-10
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門極驅動器方案–––即插即用快速評估和測試
電力電子在當今世界無處不在:半ban導dao體ti的de隱yin藏zang功gong能neng,可ke實shi現xian廣guang泛fan應ying用yong,從cong家jia電dian和he消xiao費fei品pin到dao數shu據ju處chu理li和he無wu線xian網wang絡luo,再zai到dao日ri趨qu電dian子zi化hua的de汽qi車che。電dian力li電dian子zi係xi統tong以yi極ji高gao能neng效xiao在zai交jiao流liu和he直zhi流liu形xing式shi之zhi間jian以yi及ji直zhi流liu電dian壓ya之zhi間jian轉zhuan換huan電dian力li,從cong而er使shi更geng多duo的de電dian能neng流liu向xiang最zui終zhong應ying用yong。電dian源yuan轉zhuan換huan的de主zhu要yao動dong力li是shi開kai關guan:功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導體器件、SiC MOSFET和氮化镓(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。在大多數拓撲中,這些晶體管以kHz至MHz的頻率開和關。
2020-08-10
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一文掌握 GaN 器件的直接驅動配置!
在設計開關模式電源時,主要品質因數(FOM)包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOMshiouhexing,xuyaokaolvzhuduoyinsu。liru,zengjiakaiguanpinlvkejianxiaocixingyuanjiandechicunhechengben,danhuizengjiacixingyuanjiandesunhaohegonglvqijianzhongdekaiguansunhao。youyuGaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢複,因此與MOSFET和IGBT相比,GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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新型功率開關技術和隔離式柵極驅動器不斷變化的格局
基於碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率開關技術的出 現促使性能大幅提升,超越了基於MOSFET和IGBT技術的傳統係 統。更高的開關頻率將減小元件尺寸,從而減小成本、係統尺 寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率 開關還將促使其控製元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本 文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些主要差異,以及柵 極驅動器將如何為這些差異提供支持。
2020-08-04
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如何利用IGBT技術實現反並聯二極管的正確設計?
反並聯二極管的正確設計需要考慮各種因素。其中一些與自身技術相關,其它的與應用相關。但是,正向壓降Vf 、反向恢複電荷Qrr 以及Rth與Zth散熱能力 終將構成一種三角關係。
2020-07-27
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安森美將為丹佛斯提供用於逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)和丹佛斯宣布,公司將為丹佛斯矽動力(Danfoss Silicon Power)供應大功率IGBT和二極管,應用於快速增長的電動汽車市場的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
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集成自舉二極管和快速過流保護的600V三相柵極驅動器加速了三相電機應用
三相電機運行需要三相逆變器,其一般組成為:6個功率晶體管(MOSFETs或IGBTs)、控製晶體管的柵極驅動器(一個或多個)、實現控製算法(速度、轉矩控製等)的控製邏輯電路(微控製器或微處理器)。
2020-06-29
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