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第八屆中國 IC 獨角獸榜單發布
本次評選聚焦集成電路全產業鏈,旨在挖掘具有高成長性和技術突破的創新企業,通過係統化估值與行業賦能,助力中國半導體產業在全球競爭中實現高質量發展。
2025-07-01
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IOTE 2025深圳物聯網展：七大科技領域融合，重塑AIoT產業生態
2025年8月27-29日，深圳國際會展中心（寶安）將迎來IOTE第24屆國際物聯網展的科技盛宴。在全球AIoT技術深度賦能產業轉型的關鍵節點，本屆展會首次構建跨領域協同生態，強勢整合通用人工智能（AGIC）、智慧商顯、電子紙、行業智能解決方案、嵌入式係統、AI玩具及邊緣計算七大前沿領域。通過推動“數據感知 - 智能決策 - 場景落地”全鏈路貫通，展會將加速智能製造迭代升級、助力智慧城市係統優化、重構智慧生活新範式，為500+參展企業搭建技術創新與產業升級的核心樞紐。
2025-07-01
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MHz級電流測量突破：分流電阻電感補償技術解密
在第三代半導體（SiC/GaN）驅動的ns級開關場景中，表麵貼裝分流電阻（SMD CVR）的寄生電感已成為高頻電流測量的首要瓶頸。實測表明：2mΩ/2512封裝電阻在150V/ns瞬態下產生＞38%電壓過衝，導致1MHz頻點測量誤差飆升至8.7%（Vishay WSLP2512測試數據），嚴重製約車載電控、射頻功放等對DC-3MHz帶寬、±1%精度要求的應用。本文提出基於矢量網絡分析儀（VNA）的頻響建模技術，通過精準量化寄生參數（Lp/Cp），並設計臨界阻尼RC補償網絡，將1MHz測量誤差壓縮至＜1%、過衝抑製＞90%，單方案成本＜$0.1，為高可靠性功率係統提供底層保障。
2025-07-01
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一文讀懂SiC Combo JFET技術
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用於需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關係統。得益於碳化矽（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件並聯以高效管理大電流負載的應用場景。
2025-06-26
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離座秒鎖屏！意法半導體新推人體存在檢測技術守護PC智能設備隱私安全
意法半導體（STMicroelectronics）近日發布新一代人體存在檢測（HPD）技術，通過集成FlightSense™飛行時間（ToF）傳感器與AI算法，為筆記本電腦、PC及顯示設備帶來能效與安全性的雙重突破。該方案可降低設備日用電量超20%，同時強化隱私保護與信息安全。其核心功能包括：基於頭部姿態識別的智能屏幕亮度調節、用戶離席自動鎖屏與返座喚醒，以及多人圍觀時的隱私警報。結合Windows Hello生物識別技術，用戶無需手動操作即可完成設備交互，體驗全麵升級。
2025-06-26
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安森美SiC技術賦能AI數據中心，助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐，全球數據中心正麵臨前所未有的能耗挑戰。麵對大模型訓練、實時推理等場景帶來的指數級能耗增長，全球領先的智能電源與感知技術供應商安森美（onsemi）正式推出《AI數據中心係統方案指南》，首次係統性展示其基於尖端碳化矽（SiC）技術的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中心提供從電網接入到芯片供電的完整能效優化路徑。
2025-06-25
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控製回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設計中，控製回路的穩定性是確保電源可靠運行的關鍵。一個設計不當的控製回路可能導致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）xingneng。ciwai，kongzhihuiludexiangyingsuduzhijieyingxiangdaodianyuanduifuzaibianhuaheshurudianyabodongdeshiyingnengli。weilequebaodianyuandewendingxinghegaoxiaoxing，kongzhihuiludefangzhenfenxizhiguanzhongyao。
2025-06-25
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破局電動車續航！羅姆第4代SiC MOSFET驅動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導體製造商羅姆（總部位於日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用於豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）麵向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
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戰略布局再進一步：意法半導體2025股東大會關鍵決議全票通過
意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年(nian)股(gu)東(dong)大(da)會(hui)於(yu)荷(he)蘭(lan)阿(e)姆(mu)斯(si)特(te)丹(dan)圓(yuan)滿(man)落(luo)幕(mu)，大(da)會(hui)全(quan)票(piao)通(tong)過(guo)所(suo)有(you)決(jue)議(yi)案(an)。作(zuo)為(wei)全(quan)球(qiu)多(duo)重(zhong)電(dian)子(zi)應(ying)用(yong)領(ling)域(yu)領(ling)導(dao)者(zhe)，此(ci)次(ci)決(jue)議(yi)將(jiang)為(wei)公(gong)司(si)戰(zhan)略(lve)布(bu)局(ju)注(zhu)入(ru)新(xin)動(dong)能(neng)。
2025-06-20
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從單管到並聯：SiC MOSFET功率擴展實戰指南
在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現並存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活並聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，隻需並聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源係統提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
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破解工業電池充電器難題：升壓or圖騰柱？SiC PFC拓撲選擇策略
工業設備電動化浪潮下，電池充電器麵臨嚴苛挑戰：需兼容120-480V寬壓輸入，在震動/粉塵/溫變等惡劣條件下實現高效供電，同時滿足尺寸重量極限壓縮與無風扇散熱需求。本文聚焦PFC級核心設計，對比升壓與圖騰柱拓撲的實戰優劣，解析SiC MOSFET如何重構工業充電器性能邊界。
2025-06-19
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高結溫IC設計避坑指南：5大核心挑戰與應對策略
在商業、工業及汽車電子領域，高溫環境對集成電路的性能、可靠性和安全性構成嚴峻挑戰。隨著應用場景向極端溫度條件延伸，高結溫引發的漏電增加、壽(shou)命(ming)衰(shuai)減(jian)等(deng)問(wen)題(ti)日(ri)益(yi)凸(tu)顯(xian)，亟(ji)需(xu)通(tong)過(guo)創(chuang)新(xin)設(she)計(ji)技(ji)術(shu)突(tu)破(po)技(ji)術(shu)瓶(ping)頸(jing)。本(ben)文(wen)將(jiang)解(jie)析(xi)高(gao)溫(wen)對(dui)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)的(de)深(shen)層(ceng)影(ying)響(xiang)，揭(jie)示(shi)高(gao)結(jie)溫(wen)帶(dai)來(lai)的(de)五(wu)大(da)核(he)心(xin)挑(tiao)戰(zhan)，並(bing)探(tan)討(tao)針(zhen)對(dui)性(xing)的(de)高(gao)功(gong)率(lv)設(she)計(ji)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)。
2025-06-18
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
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