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TO-247封裝碳化矽MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性
功率開關器件（如MOSFET, IGBT）廣泛應用於新能源汽車、工業、醫療、交通、消(xiao)費(fei)等(deng)行(xing)業(ye)的(de)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)中(zhong)，直(zhi)接(jie)影(ying)響(xiang)著(zhe)這(zhe)些(xie)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)的(de)成(cheng)本(ben)和(he)效(xiao)率(lv)。因(yin)此(ci)，實(shi)現(xian)更(geng)低(di)的(de)開(kai)關(guan)損(sun)耗(hao)和(he)更(geng)低(di)的(de)導(dao)通(tong)損(sun)耗(hao)一(yi)直(zhi)是(shi)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)行(xing)業(ye)的(de)不(bu)懈(xie)追(zhui)求(qiu)。
2022-09-15
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180係列
變頻器是各行業中至關重要的節能設備，ABB傳動一直致力於用先進的產品和技術，創新的解決方案為客戶創造價值，提高生產效能水平，助力變頻器產業升級。
2022-09-14
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如何抑製IGBT集電極過壓尖峰
在過去的文章中，我們曾經討論過IGBT在關斷的時候，集電極會產生電壓過衝的問題（回顧：IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什麼？）。
2022-08-18
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SiC模塊開啟電機驅動器更高功率密度
牽引驅動器是電動汽車（EV）幾乎所有能量的消耗源。因此，驅動係統必須盡可能提高效率，同時以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動汽車的續航能力。隨著行業利用雙驅動裝置提高牽引力，同時借助 800 V 架構降低了損耗，該行業還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實現遠超矽（Si）基技術（如 IGBT）能力的功率密度。
2022-08-02
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IGBT安全工作區（SOA）知多少
失效器件送到原廠做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深層原因與整機的應用環境和係統設計是密切相關的。
2022-07-21
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采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
變頻器在設計上不斷的推陳出新，為了提高功率密度並降低成本，工程師更是絞盡腦汁。IGBT（絕緣柵型雙極性晶體管）在變頻器裏屬於關鍵器件，其選型和損耗直接關係散熱器的大小，也直接影響著係統的性能、成本和尺寸。
2022-07-12
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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態測量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方麵的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流係統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
2022-06-21
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PIM模塊中整流橋的損耗計算
在通用變頻器或伺服驅動器的設計中，經常會用到英飛淩的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+刹車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據後麵逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由於其多數都是連接電網工作於工頻50或60Hz工況，芯片結溫波動很小，因此其通常不會是IGBT PIM模塊是否適用的瓶頸，所以一般在器件選型時也不會特意去計算或仿真PIMmokuaizhongzhengliuqiaobufendesunhao。danyouxiekehudejixingyaomanzuyixieteshugongkuang，huoxuyaokaolvmokuaidezhengtisunhaolaizuoxitongderesheji，zheshijiuxuyaojisuanzhengliuqiaodesunhao。ermuqianwomenzaixianfangzhengongjuIPOSIM並不支持，所以在此介紹一種變通的計算方法，以備您不時之需。
2022-06-17
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功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
IGBT主要用於電機驅動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是係統可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現。
2022-06-17
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規範。本文願就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
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保護IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標誌。然而，越熟悉越容易大意。從統計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
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魚與熊掌皆可得？當SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有兩麵：SiC MOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升係統效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控製領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。
2022-06-07
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