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通過利用電化學診斷技術分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電係統正在不斷發展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 係統遷移。像碳化矽這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與矽 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而，SiC 更快的開關速率以及更高的電壓會對柵極驅動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產品經理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關於該公司用於此類柵極驅動應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方麵。
2022-12-05
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全SiC MOSFET模塊讓工業設備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化矽（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環境中，優於目前主流應用的矽（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實現係統的低損耗和小型化。
2022-12-02
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如何使用UCC217XX實現高精度的溫度采樣？
UCC217XX-Q1是一係列電流隔離單通道柵極驅動器，可用於驅動碳化矽 MOSFET 和IGBT ，具有高級保護功能，一流的動態性能和穩健性。該係列隔離柵極驅動器的主要特性介紹有：
2022-11-10
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IGBT單管數據手冊參數解析（上）
IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基於英飛淩單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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庖丁解牛看功率器件雙脈衝測試平台
雙脈衝測試是表征功率半導體器件動態特性的重要手段，適用於各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發生在器件研發、器件生產、係統應用等各個環節，測試結果有力地保證了器件的特性和質量、功率變換器的指標和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關鍵時刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設計挑戰
目(mu)前(qian)隨(sui)著(zhe)科(ke)學(xue)技(ji)術(shu)和(he)製(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)的(de)不(bu)斷(duan)發(fa)展(zhan)進(jin)步(bu)，半(ban)導(dao)體(ti)技(ji)術(shu)的(de)發(fa)展(zhan)日(ri)新(xin)月(yue)異(yi)。對(dui)於(yu)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)而(er)言(yan)，其(qi)製(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)也(ye)同(tong)樣(yang)是(shi)從(cong)平(ping)麵(mian)工(gong)藝(yi)演(yan)變(bian)到(dao)溝(gou)槽(cao)工(gong)藝(yi)，功(gong)率(lv)密(mi)度(du)越(yue)來(lai)越(yue)高(gao)。目(mu)前(qian)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)不(bu)僅(jin)是(shi)單(dan)一(yi)的(de)開(kai)關(guan)型(xing)器(qi)件(jian)如(ru)IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅動器和控製電路IC，這zhe樣yang的de功gong率lv半ban導dao體ti器qi件jian具ju有you更geng高gao的de集ji成cheng度du。這zhe種zhong混hun合he集ji成cheng型xing的de功gong率lv半ban導dao體ti器qi件jian其qi封feng裝zhuang結jie構gou和he傳chuan統tong的de單dan一yi功gong率lv半ban導dao體ti器qi件jian有you一yi定ding的de區qu別bie，因yin此ci其qi散san熱re設she計ji和he熱re傳chuan播bo方fang式shi也ye有you別bie於yu傳chuan統tong的de功gong率lv半ban導dao體ti器qi件jian，會hui給gei使shi用yong者zhe帶dai來lai更geng大da的de熱re設she計ji挑tiao戰zhan。
2022-10-28
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IGBT驅動電路中的鉗位電路
在IGBT驅動電路中有時會用到鉗位電路，其主要目的是為了保護IGBT器件，避免運行參數超過集電極或者門極的極限參數，今天我們總結一下Vce以及Vge鉗位電路設計使用注意事項。
2022-10-21
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應用中，特別是對於一些600V小功率的IGBT，業界總是嚐試把驅動級成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅動（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡單並且成本低。
2022-10-19
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IGBT柵極驅動設計，關鍵元件該怎麼選？
ruguoshuorenleishijiedangqianmianlindezuijinpoweijishiruhejiangdieryanghuatanpaifangliang，yijianhuanyijingzaochengdezainanxinghuanjingpohuaiyijirenkousunhai，name，zaidangqiandediqiuwenshiqitipaifangzhong，jiaotongyede“貢獻”最大，傳統上它已被視為重要的汙染源。
2022-10-12
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由於其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪湧。在這裏，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用於一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
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IGBT適用於ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關技術，大家耳熟能詳的有零電壓開通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現在的電源產品中，絕大多數的采用軟開關拓撲的電源產品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導體市場不斷推動IGBT技術實現更高功率密度、魯棒性和性能水平。對於新一代IGBT而言，始終需要能夠輕鬆融入設計並在不同應用中表現良好的產品。IGBT應能助力打造出擁有優化係統成本的可擴展逆變器產品組合。本文通過仿真和應用測試，對英飛淩全新TRENCHSTOP™ 1700V IGBT7技術以及對應的同類最佳900A和750A EconoDUAL™ 3模塊的電氣性能和熱性能，與英飛淩IGBT4技術進行了比較。在1700V IGBT模塊特定應用背景下，考慮到了芯片優化。研究結果表明，采用新型1700V IGBT7/EC7技術的模塊在大量應用中顯著提高了功率密度。
2022-09-21
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