1
、電接口設計中，反射衰減通常在高頻情況下變差
，這是因為帶損耗的傳輸線反射同頻率相關
，這種情況下
，盡量縮短PCB走線就顯得異常重要。

 

2、wenyaerjiguanjiushiyizhongwendingdianlugongzuodianyadeerjiguan，youyuteshudeneibujiegoutedian，shiyongfanxiangjichuandegongzuozhuangtai，zhiyaoxianzhidianliudedaxiao，zhezhongjichuanshifeipohuaixingde。

 

3
、PN結具有一種很好的數學模型：開關模型→二極管誕生了→再來一個PN結
，三極管誕生了。

 

4、高頻電路中，必須考慮PN結電容的影響（正向偏置為擴散電容，反相偏置為勢壘電容）。

 

 

5

、在高密度的場合下，由於收發信號挨在一起
，很容易發生串擾，這在布線時要遵守3W原則
，即相鄰PCB走線的中心線間距要大於PCB線寬的3倍。在插卡設備，接插件連接的位置，要有許多接地針，提供良好的射頻回路。

 

6、雙極型管是電流控製器件
，通過基極較小的電流控製較大的集電極電流；MOS管是電壓控製器件
，通過柵極電壓控製源漏間導通電阻。

 

7、三極管是靠載流子的運動來工作的
，以npn管射極跟隨器為例，當基極加不加電壓時，基區和發射區組成的pn結為阻止多子（基區為空穴，發射區為電子）的擴散運動
，在此pn結處會感應出由發射區指向基區的靜電場（即內建電場）。

 

8
、肖特基二極管（Schottky, SBD）適用於高頻開關電路，正向壓降和反相壓降都很低（0.2V）但是反向擊穿電壓較低，漏電流也較大。

 

9、抖動特性絕大部分取決於輸出芯片的特性，不過
，如果PCB布(bu)線(xian)不(bu)當(dang)
，電(dian)源(yuan)濾(lv)波(bo)不(bu)夠(gou)充(chong)分(fen)
，時(shi)鍾(zhong)參(can)考(kao)源(yuan)太(tai)衝(chong)太(tai)大(da)也(ye)會(hui)增(zeng)加(jia)抖(dou)動(dong)成(cheng)分(fen)。信(xin)號(hao)線(xian)的(de)匹(pi)配(pei)對(dui)抖(dou)動(dong)產(chan)生(sheng)直(zhi)接(jie)的(de)影(ying)響(xiang)。特(te)別(bie)是(shi)芯(xin)片(pian)中(zhong)含(han)有(you)倍(bei)頻(pin)功(gong)能(neng)，本(ben)身(shen)相(xiang)位(wei)噪(zao)聲(sheng)較(jiao)大(da)。

 

10、極型選擇是指BJT是用PNP還是NPNguan，zheyinggaizaiquedingdianyuanxingshishitongshikaolv。youxiesanjiguandewaikeyumougedianjixianglian，duiyuguiguanlaishuowangwangshijidianji。zaixuyaomoujijiedishiyingkaolvzhegeyinsu。

 

11、場效應晶體管與BJT在工作過程中有很大的區別：BJT中的電荷載體是空穴或被擊出的少量的“少子”
，FET中的電荷則是數目相對多幾個數量級的自由電子，“多子”。

 

12
、發射極正偏，集電極反偏是讓BJT工作在放大工作狀態下的前提條件。三種連接方式：共基極，共發射極（最多
，因為電流
，電壓，功率均可以放大）
，共集電極。判別三種組態的方法：共發射極，由基極輸入，集電極輸出；共集電極，由基極輸入，發射極輸出；共基極
，由發射極輸入，集電極輸出。

 

13、三極管主要參數：電流放大係數β，極間反向電流，（集電極最大允許電流
，集電極最大允許耗散功率
，反向擊穿電壓=3個重要極限參數決定BJT工作在安全區域）。

 

14
、因J-FET的Rgs很高，在使用時首先應注意無靜電操作，否則很容易發生柵極擊穿；另外就是在設計電路時應仔細考慮各極限參數
，不能超出範圍。將J-FET當做可變電阻使用時應保證器件有正確的偏置
，不能使之進入恒流區。

 

15、射極偏置電路：用於消除溫度對靜態工作點的影響（雙電源更好）。

 

16、三種BJT放大電路比較：共射級放大電路，電流
、電壓均可以放大。共集電極放大電路：隻放大電流
，跟隨電壓

，輸入R大

，輸出R小，用作輸入級，輸出級。共基極放大電路：隻放大電壓，跟隨電流，高頻特性好。

 

17、去耦電容：輸出信號電容接地
，濾掉信號的高頻雜波。旁路電容：輸入信號電容接地，濾掉信號的高頻雜波。交流信號針對這兩種電容處理為短路。

 

18、MOS-FET在使用中除了正確選擇參數以及正確的計算外，最值得強調的仍然是防靜電操作問題
，在電路調試、焊接、安裝過程中，一定要嚴格按照防靜電程序操作。

 

19、主流是從發射極到集電極的IC，偏流就是從發射極到基極的Ib。相對與主電路而言，為基極提供電流的電路就是所謂的偏置電路。

 

20、場效應管三個鋁電極：柵極g
，源極s
，漏極d。分別對應三極管的基極b
，發射極e，集電極c。<源極需要發射東西嘛，所以對應發射極e，柵極的英文名稱是gate,門一樣的存在


，和基極的作用差不多>其中P型襯底一般與柵極g相連。

 

21、增強型FET必須依靠柵源電壓Vgs才能起作用（開啟電壓Vt），耗盡型FET則不需要柵源電壓，在正的Vds作用下，就有較大的漏極電流流向源極（如果加負的Vgs
，那麼可能出現夾斷，此時的電壓成為夾斷電壓Vp***重要特性***：可以在正負的柵源電壓下工作）

 

22、N溝道的MOS管需要正的Vds（相當於三極管加在集電極的Vcc）和正的Vt（相當於三極管基極和發射極的Vbe），而P溝道的MOS管需要負的Vds和負的Vt。

 

23、VMOSFET有高輸入阻抗


、低驅動電流；開關速度快、高頻特性好

；負電流溫度係數、無熱惡性循環，熱穩定型優良的優點。

 

24、運算放大器應用時，一般應用負反饋電流。

 

25、差分式放大電路：差模信號：兩輸入信號之差。共模信號：兩輸入信號之和除以2。由此：用差模與共模的定義表示兩輸入信號可得到一個重要的數學模型：任意一個輸入信號=共模信號±差模信號/2。

 

26、差(cha)分(fen)式(shi)放(fang)大(da)電(dian)路(lu)隻(zhi)放(fang)大(da)差(cha)模(mo)信(xin)號(hao)
，抑(yi)製(zhi)共(gong)模(mo)信(xin)號(hao)。利(li)用(yong)這(zhe)個(ge)特(te)性(xing)
，可(ke)以(yi)很(hen)好(hao)的(de)抑(yi)製(zhi)溫(wen)度(du)等(deng)外(wai)界(jie)因(yin)素(su)的(de)變(bian)化(hua)對(dui)電(dian)路(lu)性(xing)能(neng)的(de)影(ying)響(xiang)。具(ju)體(ti)的(de)性(xing)能(neng)指(zhi)標(biao)：共模抑製比Kcmr。

 

27、二極管在從正偏轉換到反偏的時候，會出現較大的反向恢複電流從陰極流向陽極
，其反向電流先上升到峰值
，然後下降到零。

 

28
、在理想的情況下，若推挽電路的兩隻晶體管電流、dianyabowanquanduicheng
，zeshuchudianliuzhongjiangmeiyououcixiebochengfen，jituiwandianluyouyizhioucixiebodezuoyong。shijishangyouyuliangguantexingzongyouchayi，dianluyebukenengwanquanduicheng，yincishuchudianliuhaihuiyououcixiebochengfen，weilejianshaofeixianxingshizhen，yinjinliangjingxuanpeiduiguanzi。

 

29、為了獲得大的輸出功率，加在功率晶體管上的電壓
、電流就很大，晶體管工作在大信號狀態下。這樣晶體管的安全工作就成為功率放大器的一個重要問題，一般不以超過管子的極限參數（Icm、BVceo、Pcm）為限度。

 

30、放大電路的幹擾：1

、將電源遠離放大電路2


、輸入級屏蔽3

、直流電源電壓波動（采用穩壓電源，輸入和輸出加上濾波電容）。

 

31、負反饋放大電路的四種組態：電壓串聯負反饋（穩定輸出電壓），電壓並聯負反饋，電流串聯負反饋（穩定輸出電流），電流並聯負反饋。

 

32、電壓

、電流反饋判定方法：輸出短路法，設RL=0，如果反饋信號不存在，為電壓反饋，反之，則為電流反饋。

 

33
、串聯、並聯反饋的判定方法：反饋信號與輸入信號的求和方式，若為電壓形式，則為串聯反饋，若為電流形式，則為並聯反饋。

 

34、對於NPN電路，對於共射組態，可以粗略理解為把VE當作“固定”參考點，通過控製VB來控製VBE（VBE=VB-VE），從而控製IB，並進一步控製IC（從電位更高的地方流進C極
，你也可以把C極看作朝上的進水的漏鬥）。

 

35、對於數字電路來說
，VCC是電路的供電電壓,VDD是芯片的工作電壓(通常Vcc>Vdd)，VSS是接地點
；在場效應管(或COMS器件)中
，VDD為漏極，VSS為源極

，VDD和VSS指的是元件引腳，而不表示供電電壓。

 

36
、示(shi)波(bo)器(qi)探(tan)頭(tou)有(you)一(yi)條(tiao)地(di)線(xian)和(he)一(yi)條(tiao)信(xin)號(hao)線(xian)，地(di)線(xian)就(jiu)是(shi)和(he)示(shi)波(bo)器(qi)輸(shu)入(ru)端(duan)子(zi)外(wai)殼(ke)通(tong)的(de)那(na)一(yi)條(tiao)，一(yi)般(ban)是(shi)夾(jia)子(zi)狀(zhuang)的(de)
，信(xin)號(hao)線(xian)一(yi)般(ban)帶(dai)有(you)一(yi)個(ge)探(tan)頭(tou)鉤(gou)，連(lian)接(jie)的(de)話(hua)你(ni)把(ba)示(shi)波(bo)器(qi)地(di)線(xian)接(jie)到(dao)你(ni)設(she)備(bei)的(de)地(di)

，把(ba)信(xin)號(hao)線(xian)端(duan)子(zi)接(jie)到(dao)你(ni)的(de)信(xin)號(hao)端(duan)
，注(zhu)意(yi)如(ru)果(guo)要(yao)測(ce)量(liang)的(de)信(xin)號(hao)和(he)市(shi)電(dian)沒(mei)有(you)隔(ge)離(li)
，則(ze)不(bu)能(neng)直(zhi)接(jie)測(ce)量(liang)。

 

37、驅動能力不足有兩種情況：一是器件的輸入電阻太小，輸出波形會變形，如TTL電平驅動不了繼電器；ershiqijianshurudianzugouda，danshidabudaoqijiandegonglv，ruxiaogonglvdegongfang，qudongdagonglvdelaba
，labanengxiang，danyinlianghenxiao，qishishishuchudedianyabugouda。

 

38、濾波電路：利用電抗元件的儲能作用
，可以起到很好的濾波作用。電感（串聯，大功率）和電容（並聯，小功率）均可以起到平波的作用。

 

39、開關穩壓電源與線性電源：線性電源，效率低、發熱強、但是輸出很穩定。開關電源
，效率高
、發熱一般
、但輸出紋波大，需要平波。

 

40、由電子電路內因引發的故障類型有：晶體管、電容、電阻等電子元件性能發生改變引發的故障
；電子電路中有關線路接觸不良引發的故障等。由外因引起的電子電路故障類型有：技術人員使用電子電路時未按照說明要求進行操作；維修技術人員維修程序不規範不科學等。

 

 

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