看完(2)的小夥伴們，有木有發現匹配最好的串聯端接電阻的阻值不是50ohm，而是30ohm，如下圖。這是為什麼呢？

duigaosushuzidianlushejiyouyidinglejiederenjiuzhidao，qishiqudongqibenshenyouneizu
，zuochuanlianduanjiepipeishi，chuanliandianzudezuzhihequdongneizujiaqilaidazhidengyuchuanshuxianzukangjiukeyile，jiR_D+R_T≈Z_0 。

 

這個時候，有童鞋可能就要跳起來了，MR''S，你說的倒是容易，我也知道驅動內阻R_D 加串聯電阻等於傳輸線阻抗這個公式

，大家都知道，so easy啊
，問題在於，傳輸線阻抗可以很輕鬆的在datasheet找到，可是驅動器內阻上哪兒去找
， datasheet上又沒有？

 

下圖是一個簡單的驅動電路。

當驅動器持續輸出高電平時

，PMOS管導通，NMOS關閉
，電流流經PMOS輸出，這個時候電流感受到的驅動內阻RD是PMOS管的導通電阻R_P；反之，當電流持續輸出低電平時
，電流感受到的驅動內阻RD就是NMOS管的導通電阻RN 。一般情況下，PMOS管的導通電阻R_P 比NMOS管的導通電阻R_N 要大，這是它們的工藝所決定的，從上一篇(2)中，我們可以知道，輸出高電平時,其RC時間常數會大
，上升沿更緩。有時候，我們看到信號的上升沿比下降沿要更緩一些，就是這個原因啦。

 

下麵
，我們來看一下怎樣得到驅動內阻的阻值
？先使用仿真工具搭建兩個簡單的電路
，如下：

以Xilinx V7芯片DDR2驅動為例
，在圖a的驅動端中加入上升沿驅動(PMOS導通)
，通過50ohm電阻下拉到地
，通過電阻分壓的原理，即V_meas=50/(50+R_P )×VCC

，可以求的R_P的值。

在圖b中驅動端加入下降沿驅動(NMOS導通)
，通過50ohm電阻上拉到VCC，通過電阻分壓的原理，即V_meas=R_N/(50+R_N )×VCC，可以求得R_N的值。下圖是仿真得到的波形：

通過計算可以得到
，R_P=12.1 ohm

，R_N=10.8 ohm，兩個阻抗值相差不大
，選取任何一個值來計算端接電阻，都可以。通過這樣簡單的仿真，我們就可以獲得驅動器的驅動內阻啦。

 

有時候，我們還會遇到這兩個值差別比較大的情況，比如R_P=20ohm

，R_N=10ohm，那這個時候我們要怎麼選擇呢？如果選擇R_P來計算匹配電阻，則匹配電阻R_T=30 ohm
，高電平匹配很好，低電平時，匹配電阻就偏小
，信號傳輸到傳輸線端時會出現正反射
，過衝較大；如果選擇R_N來計算匹配電阻，則R_T=40ohm，低電平匹配很好，高電平時
，匹配電阻就偏大，信號傳輸到傳輸線時出現負反射

，上升沿會出現台階，另外

，上升沿還會因為R_T的增大而變緩。所以
，這兩種選擇有利有弊，遇到這種情況時
，就需要設計者酌(zi)情(qiu)考(duo)量(fu)啦。

 

不過我可以給大家泄露一個天機，假如你遇到了這種情況，你可以悄悄的來找高速先生幫你評估。