致力於提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布推出用於大功率航空交通管製(air traffic control, ATC)
、二次監視無線電 (secondary surveillance radio, SSR)應用的射頻(RF)晶體管係列中的首款產品1011GN-700ELM。SSR用於發送信息至裝備有雷達應答器的飛機並收集信息，允許航空交通控製係統識別
、跟蹤和測量特定飛機的位置。美高森美新型700W峰值1011GN-700ELM器件的工作頻率為1030MHz，並且支持短脈衝和長脈衝擴展長度信息(extended length message, ELM) 。新型晶體管基於碳化矽襯底氮化镓(GaN on SiC) 技術，這項技術特別適合大功率電子應用。

美高森美公司RF集成係統產品部門副總裁David Hall表示：“我們積極推進下一代GaN on SiC功率器件的開發
，把握不斷增長的更高性能航天和軍事應用的機會。通過發布新產品，我們現在提供功率為250、500和700W的高可靠性GaN on SiC晶體管，用於二次監控雷達搜索和跟蹤應用。我們還在研發多個其它GaN on SiC晶體管產品，將於今年稍後時間推出。”

美高森美即將推出的產品包括多個用於L，S和C波段雷達係統的高脈衝功率GaN on SiC晶體管
，還提供一整套GaN微波功率器件，包括S波段雷達型款：2729GN-150，2729GN-270

，2731GN-110M，2731GN-200M，3135GN-100M，3135GN-170M，2735GN-35M和2735GN-100M。正在開發的數款新產品包括用於涵蓋960-1215 MHz的L波段航空電子產品；涵蓋1200-1400MHz的L波段雷達，以及涵蓋2.7-2.9 GHzS波段雷達的較大功率器件。

關於1011GN-700ELM RF晶體管

1011GN-700ELM晶體管具有無與倫比的性能，包括700W峰值功率
，21dB功率增益
，以及1030 Mhz下70% 漏極效率
，以期降低總體漏極電流和熱耗散
，其它的主要產品特性包括：

短脈衝和長脈衝間歇模式: ELM =  2.4 ms, 64%和6.4% LTD
出色的輸出功率: 700W
高功率增益: >21 dB最小值
受控的動態範圍:增量1.0dB，總計15 dB
漏極偏壓 - Vdd: +65V

使用GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實現的係統優勢包括：

采用簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要附加合成的較低功率器件
較高峰值功率和功率增益，用於減少係統功率放大級數和最終功率級合成
單級配對提供帶有餘量的1.3kW功率，四路結合提供4 kW的總體係統功率
65V的高工作電壓，減小電源尺寸和直流電流需求
極高的穩健性，提高係統良率
放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS工藝器件減小50%

封裝和供貨

1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨

，采用100%高溫金(Au)金(jin)屬(shu)化(hua)和(he)焊(han)錫(xi)密(mi)封(feng)引(yin)線(xian)，實(shi)現(xian)長(chang)期(qi)軍(jun)用(yong)可(ke)靠(kao)性(xing)。美(mei)高(gao)森(sen)美(mei)可(ke)借(jie)出(chu)演(yan)示(shi)單(dan)元(yuan)供(gong)客(ke)戶(hu)使(shi)用(yong)數(shu)周(zhou)，但(dan)鑒(jian)於(yu)產(chan)品(pin)成(cheng)本(ben)的(de)緣(yuan)故(gu)
，不(bu)會(hui)提(ti)供(gong)免(mian)費(fei)的(de)樣(yang)品(pin)。

關於美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation) 為通信、國防與安全
、航天
，以及醫療與工業市場提供業界綜合性的半導體與係統解決方案係列，包括混合信號集成電路、係統單芯片(SoC)與專用集成電路(ASICS)

、可編程模擬解決方案、功率管理產品、時鍾與語音處理器件、射頻解決方案、分立組件，以及以太網供電(PoE)IC與中跨(Midspan)產品。美高森美總部設於美國加利福尼亞州Aliso Viejo，全球員工總數約3,000人。