【導讀】機電式斷路器（EMB）是電路保護的標準器件，卻存在動作速度慢
、易產生電弧等缺陷。為解決以上問題，采用半導體開關的固態斷路器（SSCB）應運而生，其以微秒級關斷速度、無電弧等優勢備受關注。本文對比了 EMB 與 SSCB 的特性，再深入了解 SSCB 的優勢與其工作原理
，接著探討半導體開關分類及技術瓶頸
，為了解 SSCB 提供全麵視角。

斷路器是一種用於保護電路免受過電流、過載及短路損壞的器件。機電式斷路器 (EMB) 作為業界公認的標準器件，包含兩個獨立觸發裝置：一個是雙金屬片，響應速度較慢，由過電流觸發跳閘；另一個則是電磁裝置，響應速度較快
，由短路觸發啟動。EMB 擁有設定好的跳閘電流（通常為固定值）
，具備瞬時跳閘（電磁觸發）和延時跳閘（熱觸發/雙金屬片觸發）兩種特性，可穩妥可靠地應對短路與過載情況。

盡管 EMB 結構簡單、效果可靠

，但依然存在一些缺點。其一便是速度問題，EMB 的de動dong作zuo時shi間jian處chu於yu毫hao秒miao級ji
，在zai此ci期qi間jian故gu障zhang電dian流liu仍reng可ke能neng造zao成cheng設she備bei損sun壞huai
，甚shen至zhi對dui人ren員yuan造zao成cheng傷shang害hai。其qi二er則ze是shi電dian弧hu問wen題ti，當dang觸chu點dian分fen離li時shi會hui產chan生sheng電dian弧hu，必bi須xu安an全quan消xiao散san電dian弧hu能neng量liang，而er這zhe一yi過guo程cheng會hui給gei斷duan路lu器qi帶dai來lai熱re應ying力li與yu機ji械xie應ying力li。

yongbandaotikaiguantidaijixiechudiankechedixiaochudianhu，yinweidianliuqieduanshizaiwulichudianfenliqiantongguodianzifangshiwanchengde。bandaotikaiguannengzaiweimiaojishijianneiguanduan，dafujiangdiduanlufengzhidianliu。ciwai，yujixiebujianbutong，bandaotikaiguanzhuanweigaopincaozuosheji
，qiebuhuisuishijiantuiyierlaohua。zheleicaiyongbandaotikaiguandeqijianbeichengweigutaiduanluqi (SSCB)，通常用於保護直流電路與交流電路。

了解固態斷路器

SSCB 的優勢顯而易見：半導體開關的切換速度更快、可靠性更高

，耐用性更強（無磨損損耗），且qie具ju備bei更geng精jing準zhun的de控kong製zhi能neng力li。在zai發fa生sheng故gu障zhang時shi，更geng快kuai的de斷duan開kai速su度du更geng具ju優you勢shi

，而er半ban導dao體ti開kai關guan的de速su度du是shi機ji械xie開kai關guan的de一yi千qian倍bei以yi上shang。此ci外wai，由you於yu本ben身shen就jiu需xu配pei備bei控kong製zhi電dian子zi元yuan件jian，這zhe類lei斷duan路lu器qi還hai可ke集ji成cheng其qi他ta新xin功gong能neng，例li如ru電dian流liu與yu電dian壓ya監jian控kong

、電流限值調整，以及殘餘電流裝置等其他安全附加功能。

SSCB 的核心是半導體開關
，它取代了傳統的機電式繼電器。SSCB 的工作原理是：監測電路的電流與溫度
，然後將監測數據傳輸至微控製器單元 (MCU)
；MCU 持續監控電流與溫度，以檢測故障，並在微秒級時間內觸發保護性關斷。發生跳閘時，MCU 會向柵極驅動器發送指令
，令開關“關斷”。所有這些過程加起來，耗時遠少於 EMB。

圖1：固態斷路器框圖

為(wei)保(bao)障(zhang)安(an)全(quan)，可(ke)增(zeng)設(she)一(yi)個(ge)可(ke)選(xuan)的(de)機(ji)械(xie)繼(ji)電(dian)器(qi)，在(zai)半(ban)導(dao)體(ti)開(kai)關(guan)關(guan)斷(duan)後(hou)實(shi)現(xian)物(wu)理(li)隔(ge)離(li)。此(ci)舉(ju)能(neng)消(xiao)除(chu)電(dian)弧(hu)，且(qie)繼(ji)電(dian)器(qi)僅(jin)需(xu)處(chu)理(li)微(wei)弱(ruo)的(de)漏(lou)電(dian)流(liu)。由(you)於(yu)繼(ji)電(dian)器(qi)在(zai)半(ban)導(dao)體(ti)開(kai)關(guan)之(zhi)後(hou)動(dong)作(zuo)，工(gong)作(zuo)過(guo)程(cheng)中(zhong)不(bu)會(hui)產(chan)生(sheng)電(dian)弧(hu)，因(yin)此(ci)無(wu)需(xu)具(ju)備(bei)耐(nai)受(shou)短(duan)路(lu)電(dian)流(liu)的(de)額(e)定(ding)能(neng)力(li)。繼(ji)電(dian)器(qi)可(ke)切(qie)斷(duan)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)產(chan)生(sheng)的(de)漏(lou)電(dian)流(liu)，通(tong)常(chang)為(wei)數(shu)百(bai)微(wei)安(an) (µA)。此外，與機械斷路器不同，SSCB 同時連接相線與中性線

，而繼電器能實現設備的完全斷電。

半導體開關分類

用(yong)半(ban)導(dao)體(ti)開(kai)關(guan)替(ti)代(dai)機(ji)械(xie)開(kai)關(guan)的(de)想(xiang)法(fa)早(zao)已(yi)存(cun)在(zai)
，但(dan)長(chang)期(qi)以(yi)來(lai)，半(ban)導(dao)體(ti)技(ji)術(shu)的(de)發(fa)展(zhan)水(shui)平(ping)一(yi)直(zhi)是(shi)製(zhi)約(yue)這(zhe)一(yi)構(gou)想(xiang)落(luo)地(di)的(de)關(guan)鍵(jian)因(yin)素(su)。如(ru)今(jin)，隨(sui)著(zhe)寬(kuan)帶(dai)隙(xi)技(ji)術(shu)的(de)不(bu)斷(duan)進(jin)步(bu)
，適(shi)用(yong)於(yu)低(di)壓(ya)住(zhu)宅(zhai)與(yu)商(shang)業(ye)電(dian)網(wang)的(de)固(gu)態(tai)器(qi)件(jian)已(yi)開(kai)始(shi)逐(zhu)步(bu)湧(yong)現(xian)。

阻礙 SSCB 大規模市場化應用的因素之一是導通電阻。盡管現代半導體開關（尤其是 MOSFET）的導通電阻已處於較低值
，但仍遠高於機械觸點的導通電阻。

過去幾年間
，碳化矽 (SiC) 結型場效應晶體管 (JFET) 已成為推動 SSCB 發展的主流技術。這種器件既充分利用了碳化矽材料的特性

，如高導熱性、更高電壓等級與更低損耗，又融合了 JFET 結構的優勢。在當前市場中，JFET 的單位麵積導通電阻 (RDS(ON)) 最低，而且與 MOSFET 一樣采用電壓控製方式。原因是這種器件采用了結型柵極結構（與 MOSFET 的氧化層柵極不同）
，能提供直接的漏源極電流通路，電荷俘獲效應極小，表麵漏電流也可忽略不計。

圖 2：JFET 結構

但低導通電阻的不足之處在於，JFET juyouchangkaitexing
，tangruozhajixuankonghuowuzhajidianya，qijianjiangchuyuwanquandaotongzhuangtai。zhezhongtexingzaidaduoshuyingyongchangjingyukongzhifanganzhongtongchangshibuliyinsu
，yinweiguzhangfashengshi，qijiandelixiangzhuangtaiyingweiguanduanzhuangtai。

將JFET 與常開型Si MOSFET 串聯，可製成常關型器件。其中，Si MOSFET 起到SiC JFET 使能開關的作用，同時保留JFET 結構的優勢。這種結構被稱為共源共柵結構，用途廣泛，可適用於多種應用場景。共源共柵型 JFET (CJFET) 具備靈活的柵極驅動能力與低開關損耗，但僅能控製低壓 Si MOSFET 的柵極，而且開關速度過快
，不適用於 SSCB。

另一種可用的結構是組合型JFET，同樣在單個封裝內集成了低壓MOSFET 與JFET。不同之處在於
，組合型JFET 允許分別控製MOSFET 與JFET 的柵極，從而能更靈活地調控開關的電壓變化率(dV/dt)。通過對 JFET 柵極施加過驅動電壓

，這種結構還能進一步降低 RDS(ON)。盡管柵極電壓為 0 V 時 JFET 已處於導通狀態，但施加正向柵極電壓可增強溝道導電性
，進而降低 RDS(ON)。具體可參考圖 3。

圖 3：組合型 JFET 輸出特性

如前所述，功耗仍是阻礙 SSCB 進一步推廣的最大限製因素。若要將 SSCB 用yong於yu住zhu宅zhai場chang景jing
，就jiu必bi須xu與yu當dang前qian使shi用yong的de設she備bei保bao持chi向xiang後hou兼jian容rong
，而er現xian有you設she備bei中zhong留liu給gei散san熱re的de空kong間jian十shi分fen有you限xian。機ji械xie斷duan路lu器qi的de電dian流liu通tong路lu電dian阻zu極ji低di
，因yin此ci損sun耗hao也ye非fei常chang小xiao。SSCB 的功耗來源不僅包括 FET 的導通電阻，還包括控製電子元件的功耗；這類功耗大致保持恒定
，且不受負載影響。

由於 JFET 僅(jin)能(neng)阻(zu)斷(duan)從(cong)源(yuan)極(ji)到(dao)漏(lou)極(ji)方(fang)向(xiang)的(de)電(dian)壓(ya)，因(yin)此(ci)當(dang)用(yong)於(yu)交(jiao)流(liu)阻(zu)斷(duan)時(shi)，需(xu)采(cai)用(yong)背(bei)對(dui)背(bei)結(jie)構(gou)。這(zhe)項(xiang)要(yao)求(qiu)會(hui)使(shi)電(dian)路(lu)設(she)計(ji)進(jin)一(yi)步(bu)複(fu)雜(za)化(hua)，因(yin)為(wei)它(ta)會(hui)使(shi)溝(gou)道(dao)電(dian)阻(zu)實(shi)際(ji)增(zeng)加(jia)一(yi)倍(bei)。因(yin)此(ci)，為(wei)降(jiang)低(di)總(zong) RDS(ON)

，通常會采用並聯結構。由此也進一步凸顯了組合型 JFET 作為優選開關的優勢，因為組合型 JFET 不僅支持並聯運行，而且能簡化並聯操作。

當 SSCB fashengguzhangshi，dianliuhuikaishishangshengbingtongguobandaotiliuxiangfuzai
，zhizhiqijianguanduan。zaiguanduanguochengzhong
，dianyahuijijushenggao，cishiguodianyahuichufadianyaqianweidianlu，baohu MOSFET 免受雪崩擊穿影響。故障電流會繼續通過鉗位電路流向負載
，直至完全關斷。電路中（包括導線和感性負載）存(cun)儲(chu)的(de)電(dian)感(gan)能(neng)量(liang)會(hui)在(zai)鉗(qian)位(wei)電(dian)路(lu)中(zhong)釋(shi)放(fang)。檢(jian)測(ce)速(su)度(du)越(yue)快(kuai)，電(dian)流(liu)上(shang)升(sheng)幅(fu)度(du)越(yue)小(xiao)，所(suo)需(xu)釋(shi)放(fang)的(de)能(neng)量(liang)就(jiu)越(yue)少(shao)
，相(xiang)應(ying)地(di)
，鉗(qian)位(wei)電(dian)路(lu)的(de)體(ti)積(ji)也(ye)可(ke)做(zuo)得(de)更(geng)小(xiao)。

在電壓鉗位應用中，最常用的兩種器件是金屬氧化物壓敏電阻 (MOV) 和瞬態電壓抑製二極管 (TVS)。MOV 具有雙向導通特性，成本更低且功率密度更高，但使用壽命通常較短，同時因其兩電極間存在電容
，電壓調節性能也較差。

另一方麵，TVS 既有單向型也有雙向型
，電容值更低，但對安裝空間要求更高，且大電流型號的成本也更高。

總結

SSCB 在響應速度
、可靠性等方麵遠超傳統 EMB，憑借獨特優勢成為電路保護的重要方向。盡管導通電阻、功耗等問題仍製約其市場化，但碳化矽等技術的發展已帶來突破。隨著半導體技術迭代，SSCB 在優化結構、降低損耗上持續進步，未來有望在交直流電路保護中廣泛應用
，為電路安全提供更高效的保障。