SiC在新能源產業中的技術應用,相關芯片方案推薦
發布時間:2023-08-29 責任編輯:admin
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采用大電流直流快充方案時,大電流會導致充電槍、汽車電池、線纜等汽車核心部件產生很高的熱損耗,且提升的效率有限。那麼高壓快充方案是被大多數汽車企業采用的方案。理想狀態下:電(dian)流(liu)保(bao)持(chi)不(bu)變(bian),電(dian)功(gong)率(lv)會(hui)隨(sui)著(zhe)電(dian)壓(ya)的(de)增(zeng)加(jia)而(er)增(zeng)加(jia)。那(na)麼(me)回(hui)歸(gui)現(xian)實(shi),即(ji)便(bian)是(shi)存(cun)在(zai)部(bu)分(fen)損(sun)耗(hao),但(dan)是(shi)電(dian)功(gong)率(lv)仍(reng)會(hui)隨(sui)著(zhe)電(dian)壓(ya)的(de)增(zeng)加(jia)而(er)增(zeng)加(jia),充(chong)電(dian)速(su)度(du)也(ye)會(hui)提(ti)升(sheng),並(bing)且(qie)可(ke)以(yi)有(you)效(xiao)地(di)降(jiang)低(di)發(fa)熱(re)現(xian)象(xiang)。
目前,800V高壓快充平台已經開始成為主流新能源車企的共識。800V高壓快充平台的優勢體現在同等功率、電流減半。 2019年,保時捷推出純電超跑,將400V電壓平台提升到800V。2022年,極狐阿爾法、小鵬等部分車型逐漸加入到800V高壓快充平台中來,2023年加入到800V高壓平台的汽車車型也越來越多。
在新能源汽車市場大力推進適應高壓快充技術的高壓平台上,碳化矽功率器件是關鍵的一部分。碳化矽MOSFET逐漸取代傳統矽基IGBT,成為必然趨勢。碳化矽是半導體材料第三代的產物,碳化矽這種優異性能的材料,在電源係統中發揮著重要的作用。
碳化矽具有優異的導熱性能、具有較高的耐壓性能,與傳統的矽基材料相比,具有高電壓、大電流、高溫、低損耗等獨特的優勢。由於碳化矽的高硬度、高熔點、化學穩定等優點,在多個領域都有廣泛的應用。
(1)新能源汽車:主要應用於新能源車的電驅電控係統,碳化矽功率器件可以提供更高的功率密度和效率,從而提高電池續航裏程和減少能源消耗。
(2)電力電子領域:碳化矽功率器件在電力電子領域的應用也非常廣泛,包括電機驅動、太陽能逆變器、風能轉換器、高速列車等。碳化矽基碳化矽器件主要應用領域有電動汽車/充電樁、光伏新能源等。
(3)光伏發電:光伏逆變器龍頭企業已采用碳化矽 MOSFET 功率器件替代矽器件。根據中商情報網數據,使用碳化矽功率器件可使轉換效率從 96%提高至 99%以上,能量損耗降低 50%以上,設備循環壽命提升50倍,從而帶來成本低、效能高的好處。
(4)化工領域:具有良好的耐高溫、耐磨損、耐酸堿性,可以作為耐腐蝕設備、油氣管道和化工反應器等材料。
(5)射頻器件:射頻器件是在無線通信領域負責信號轉換的部件,如功率放大器、射頻開關、濾波器、低噪聲放大器等。相較於傳統的矽基 LDMOS 器件,其可以更好地適應 5G 通信基站、雷達應用等領域低能耗、高效率要求。
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相關芯片推薦如下:
HPM6200是先楫半導體針對新能源、儲能、高性能控製等應用市場推出的全新一代RISC-V內核芯片,HPM6200 100ps的高分辨率PWM、16bit ADC以及可編程邏輯陣列PLA,可以為新型的電源係統建設帶來諸多可能。其中,100ps高精度PWM可以提高電源變換器的效率、功率密度及性價比;可單芯片實現多種電源拓撲和單芯片實現多軸電機控製;16位ADC可提高電流、電壓等信號的采樣精度;PLA可實現豐富、多邏輯的保護,並能獨立於CPU運行,大大提高了產品的穩定性。

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