【導讀】功率晶閘管廣泛應用於AC/DC變換器，UPS旁路等場合。本文通過公式計算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算和結溫預估進行說明，給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應用中的損耗計算

，請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計算》。

晶閘管是半控型電力電子器件，可通過門極在晶閘管承受正向陽極電壓時，控製晶閘管導通，當主回路電壓（或電流）減小到接近於零時，晶閘管自行關斷。晶閘管一般處於工頻開關工作，所以在計算其損耗時

，忽略開關損耗，隻計算其導通損耗。

公式計算方法如下：

各參數定義如下：

P_VT是單個晶閘管的損耗

V_T0是閾值電壓 (threshold voltage)

I_TAV是單個晶閘管輸出電流平均值

r_T是斜率電阻 (slope resistance)

F是波形因數 (form factor)

，可由公式2獲得

其中I_TRMS是單個晶閘管輸出電流均方根值
，即有效值
；對於UPS旁路應用中的正弦半波電流，此時 F取值1.571。（參考文後公式4~6）

上圖電路中I₁是該相交流電流有效值，I_TAV是單個晶閘管的電流平均值，U₁為相電壓有效值。

以600kW UPS，輸出電壓400 VAC旁路舉例，分別考慮下述過載規格，125%功率過載10分鍾以及150%功率過載1分鍾，並且以85%輸出電壓作為最惡劣條件。

125%功率過載時，對應的最大相電流有效值為：

根據公式4計算該單個器件的電流平均值為：

選擇TT820N16KOF和TT600N16KOF作為方案備選，它們的參數如下：

由於隻計算單個晶閘管的損耗



，R_thJC取單個晶閘管的結殼熱阻(per arm,θ=180° sin)。將上述參數代入公式1，並假定器件的殼溫T_case=85°C，根據公式3即可計算出器件結溫。

對比這兩個方案的計算結溫，TT820N16KOF的結溫裕量有19，TT600N16KOF隻有2.5。

150%功率過載時
，對應的最大相電流有效值為：

根據公式4計算該單個器件的電流平均值為：

同上述125%功率過載計算方法一樣


，並且由於規格書中的瞬態熱阻在60S時已經穩定，我們可以使用上述表格中的最大R_thJC值來計算結溫。

對比這兩個方案的計算結溫，TT820N16KOF的結溫裕量仍然有10℃，TT600N16KOF已經超過最大結溫上限了。顯然
，TT820N16KOF是最適合600kW UPS的旁路方案。此類壓接型的晶閘管外觀呈現黑色，有著更高的結溫規格以及更強的抗衝擊電流能力，適合UPS旁路應用。

我們再使用IPOSIM來進行仿真
，然後同公式計算結果進行對比。

掃描下方二維碼或點擊文末“閱讀原文”，登陸英飛淩官網上的IPOSIM頁麵，選擇AC/AC Applications。

在器件選型中，選取TT820N16KOF和TT600N16KOF。

在Circuit & Control中輸入上文計算的I₁，這裏I₁=I_out。

在Cooling Condition中設置固定殼溫(Fixed Case Temperature)，最後運行仿真(Run Simulation)。

仿真結果如下。其中P_arm即是上文計算的P_VT，TT係列晶閘管內部是2顆芯片反向並聯，P_tot=P_arm*2。結果也顯示最大結溫T_{vj max}和單個晶閘管電流均方根值I_TRMS。

125%過載結果

150%過載結果

對比公式計算和IPOSIM仿真結果
，基本一致。

當然
，IPOSIM的功能更強大，在Cooling Condition中還可以設置散熱片參數，得到更準確的結溫仿真結果。同時
，使用IPOSIM也更簡單，隻需要填入電流有效值即可，並能同時仿真多個方案進行對比。

以上

，是晶閘管在UPS旁路應用中的損耗評估方法
，請各位參考，謝謝。

附

正弦半波電流的平均值和均方根有效值的計算。

正弦半波電流的有效值

作者：周明

來源：英飛淩

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