【導讀】負反饋什麼時候會變成正反饋？當控製工程師想要實現不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設計人員提供理想性能和多種器件選擇，同時支持更高的設計靈活性，從而實現成本效益最優的功率設計。

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發布，該公司於 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領先的碳化矽 (SiC) 功率半導體製造商，它的加入促使 Qorvo 將業務擴展到電動汽車 (EV)、工業電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源等快速增長的市場。

反饋是件好事，控製工程師希望收到負反饋
，以及良好的增益和相位裕度，而商人則更喜歡正反饋，比如：客戶要求 750V 級 UnitedSiC 第 4 代 SiC FET 有更多的選項。UnitedSiC 的 18 毫歐和 60 毫hao歐ou器qi件jian在zai市shi場chang占zhan據ju領ling先xian地di位wei
，但dan在zai有you些xie應ying用yong中zhong，更geng低di電dian阻zu部bu件jian和he更geng高gao中zhong間jian值zhi更geng有you優you勢shi。這zhe取qu決jue於yu具ju體ti應ying用yong和he預yu算suan，導dao通tong電dian阻zu非fei常chang低di的de單dan個ge高gao端duan SiC FET 占zhan用yong空kong間jian非fei常chang小xiao，裝zhuang配pei起qi來lai也ye較jiao簡jian單dan，但dan將jiang低di成cheng本ben部bu件jian並bing聯lian也ye能neng得de到dao相xiang同tong的de導dao通tong電dian阻zu，且qie通tong常chang也ye同tong樣yang有you效xiao，尤you其qi是shi有you一yi些xie散san熱re空kong間jian時shi。然ran而er，這zhe需xu要yao將jiang器qi件jian並bing聯lian，並bing需xu要yao更geng多duo的de設she計ji工gong作zuo。

第 4 代 SiC FET 係列增添了更多部件

為實現這一靈活性

，UnitedSiC 推出了導通電阻為 23、33 和 44 毫歐的第 4 代 750V SiC FET，以及 6、9 和 11 毫歐部件

，這是在已推出的 18 和 60 毫(hao)歐(ou)器(qi)件(jian)的(de)基(ji)礎(chu)上(shang)做(zuo)出(chu)的(de)一(yi)次(ci)重(zhong)大(da)改(gai)進(jin)。如(ru)今(jin)，客(ke)戶(hu)可(ke)以(yi)根(gen)據(ju)其(qi)特(te)定(ding)的(de)熱(re)力(li)工(gong)況(kuang)和(he)運(yun)行(xing)條(tiao)件(jian)進(jin)行(xing)混(hun)合(he)搭(da)配(pei)，以(yi)實(shi)現(xian)價(jia)格(ge)和(he)性(xing)能(neng)的(de)最(zui)佳(jia)組(zu)合(he)，或(huo)許(xu)還(hai)可(ke)以(yi)根(gen)據(ju)應(ying)用(yong)需(xu)求(qiu)或(huo)多(duo)或(huo)少(shao)地(di)並(bing)聯(lian)一(yi)些(xie)低(di)成(cheng)本(ben)部(bu)件(jian)，使(shi)其(qi)適(shi)用(yong)於(yu)不(bu)同(tong)設(she)計(ji)
，從(cong)而(er)享(xiang)受(shou)這(zhe)些(xie)低(di)成(cheng)本(ben)部(bu)件(jian)的(de)批(pi)發(fa)價(jia)格(ge)。

並聯 SiC FET 很hen容rong易yi
，而er且qie柵zha極ji驅qu動dong功gong率lv非fei常chang低di，使shi得de並bing聯lian產chan生sheng的de額e外wai功gong率lv通tong常chang都dou無wu關guan緊jin要yao。由you於yu這zhe些xie器qi件jian的de導dao通tong電dian阻zu具ju有you正zheng溫wen度du係xi數shu，所suo以yi自zi然ran能neng實shi現xian均jun流liu，此ci外wai還hai有you一yi個ge額e外wai的de相xiang關guan優you勢shi，即ji與yu單dan個ge 9 毫歐器件相比，兩個並聯的 18 毫hao歐ou器qi件jian的de總zong傳chuan導dao損sun耗hao更geng低di。這zhe是shi因yin為wei與yu單dan個ge器qi件jian相xiang比bi，這zhe兩liang個ge器qi件jian各ge流liu過guo一yi半ban的de電dian流liu，產chan生sheng的de功gong率lv也ye隻zhi有you一yi半ban，每mei個ge器qi件jian的de溫wen升sheng也ye更geng低di
，而er且qie導dao通tong電dian阻zu的de增zeng幅fu也ye會hui按an比bi例li減jian少shao。此ci外wai
，隨sui著zhe結jie溫wen的de降jiang低di

，可ke靠kao性xing也ye自zi然ran會hui提ti高gao
，從cong而er為wei已yi經jing很hen高gao的de SiC 最大值提供更多的裕量。UnitedSiC 基於網絡的 FET-Jet 計算器現已推出第 2 個版本，可用於查看任意數量的並聯 SiC FET 在各種應用和運行條件下的效果，並提供了一些實際損耗和溫升的數據。

圖 1：競爭激烈環境下 UnitedSiC 全新 750V SiC FET 係列新增產品

第 4 代 SiC FET 仍為行業領先技術

該係列的新增產品與舊有產品一樣具有出色的品質因數

，並采用了同樣先進的第4 代製造工藝
，比如：可減少基材傳導損耗的晶圓減薄技術，以及可實現最低結-殼熱阻和相應低結溫的銀燒結晶粒貼裝技術。這些部件采用 TO-247 3 引腳封裝，且在需要采用源極開爾文連接時，還可以使用 4 引腳封裝。圖1 總結了與SiC MOSFET 競爭產品相比，新型 750V SiC FET 的優勢，並且不要忘了， SiC MOSFET的 額定電壓僅為 650V。

UnitedSiC 750V SiC FET 係列提供更靈活廣泛的部件選擇，可用於許多應用。而且符合 AEC-Q101 汽車級認證要求，因此可用於牽引逆變器
、車載和非車載充電器、DC/DC 轉換器以及無線充電，以實現比 650V 額定部件更高的效率和電壓裕度。在 AC 和 DC 固態斷路器應用中，低傳導損耗對提高效率和縮小尺寸至關重要，因此超低導通電阻具有重要價值。一般來說
，在工業和 IT 功率轉換產品中，第 4 代 SiC FET 還可以提高硬開關和軟開關拓撲結構的性能。

請您繼續提供反饋，UnitedSiC 已根據您的需求優化了環路補償，以實現快速響應，提供更多的選項。

來源：Qorvo Power

作者：UnitedSiC現Qorvo

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