【導讀】【2023年5月9日 - 德國紐倫堡】當地時間5月9日，全球領先的功率半導體供應商瑞能半導體攜其最新產品亮相在德國紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產品組合包含碳化矽器件，可控矽和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET, IGBT
，保bao護hu器qi件jian以yi及ji功gong率lv模mo塊kuai，豐feng富fu的de產chan品pin矩ju陣zhen彰zhang顯xian了le瑞rui能neng半ban導dao體ti領ling先xian的de產chan品pin實shi力li和he對dui未wei來lai電dian力li電dian子zi行xing業ye可ke持chi續xu發fa展zhan的de思si考kao
，受shou到dao了le與yu會hui者zhe的de高gao度du關guan注zhu。CEO Markus Mosen先生率領公司研發工程師、市場部、銷售部組成的參展團隊出席了活動現場。

PCIM Europe，即 “紐倫堡電力電子係統及元器件展”，是歐洲電力電子及其應用領域、智能運動和電能質量最具影響力的展覽會，也是全球最大的功率半導體展會。

瑞能半導體團隊出席PCIM Europe 2023合影

此次展會，瑞能半導體以“Power efficiency for a cooler planet”為主題，在PCIM Europe的展台呈現了最新技術的現場展示，包括了矽基、碳化矽的功率器件在充電樁、車che載zai充chong電dian器qi的de應ying用yong
，在zai可ke再zai生sheng能neng源yuan市shi場chang的de產chan品pin突tu破po
，並bing通tong過guo一yi係xi列lie的de汽qi車che級ji功gong率lv器qi件jian組zu合he的de展zhan示shi

，顯xian示shi了le公gong司si的de產chan品pin在zai向xiang著zhe創chuang造zao一yi個ge更geng幹gan淨jing，更geng節jie能neng的de應ying用yong方fang向xiang邁mai進jin。

瑞能半導體CEO Markus Mosen先生表示：“jujiaodangxiashichanghuoredekezaishengnengyuanchanye
，ruinengbandaotizuoweizhuoyuedeqijiangongyingshang，yizhidouzaiyituochuangxinheyouhuachanpinshejilaishiyingshichangdebianhua


，manzukehudexuqiu。womenfeichangzhongshizaiPCIM Europeliangxiangdejihui，jinyibuzhanshichuruinengjishudequanxinshijianyingyong。weilai
，womenjianghuichixutuichuyoujingzhenglidechanpin，yikaowomenqiangdadeyanfaheyingyongtuandui，jiangwomendefengfudegonglvchanpinzhengheweixitongjidejiejuefangan，laigeiwomenkehudailaigengdadejiazhi，genghaodefuwu。”

不止於契合新能源汽車主流趨勢的汽車級產品和以耐高溫
、耐高壓等優異特性著稱的碳化矽器件，作為功率半導體的領軍企業，瑞能半導體的多種功率器件組合都有著各自的優勢和特點。

在今年PCIM Europe展台
，瑞能半導體展示的1200V和1700V 碳化矽 MOSFETs就具備業內領先的FOM（RDS(on)*QG）指(zhi)數(shu)，安(an)全(quan)的(de)開(kai)啟(qi)電(dian)壓(ya)以(yi)及(ji)可(ke)靠(kao)的(de)柵(zha)極(ji)氧(yang)化(hua)層(ceng)設(she)計(ji)，同(tong)時(shi)可(ke)以(yi)實(shi)現(xian)更(geng)加(jia)穩(wen)定(ding)的(de)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)高(gao)溫(wen)性(xing)能(neng)。得(de)益(yi)於(yu)更(geng)高(gao)晶(jing)胞(bao)單(dan)位(wei)密(mi)度(du)的(de)先(xian)進(jin)工(gong)藝(yi)和(he)優(you)化(hua)的(de)晶(jing)胞(bao)結(jie)構(gou)
，MOSFET在導通電阻和柵極電荷特性方麵能做到更好的平衡
，降低變換器的損耗和器件溫升，提升變換效率。

第四代的650V快恢複二極管具有耐壓高
，漏電流底，恢複速度快， 抗雪崩能力強等特點，優化的終端設計以及先進的壽命控製技術，能有優秀的EMI性能表現以及國際一流的可靠性，已經被消費和工業類客戶廣泛采用，應用於開關電源

，UPS
，光伏以及儲能等終端應用中。

瑞能半導體的多層外延結構的SJ-MOSFET 具有高耐壓，低內阻
，優異的Rsp(on)等特點，在提升功率密度的前提下，同時可以提供極低的開關損耗和優秀的電磁幹擾能力(EMI), 適合應用於開關電源，通訊電源，光伏於儲能以及汽車充電樁等應用中。

在可控矽產品解決方案的展示中
，瑞能半導體重點突顯了其可控矽平麵設計工藝的優勢
，包括具備最大的150℃的工作結溫，低漏流和優秀的可靠性。特別強調的是，部分封裝通過了UL1557絕緣認證，高達2500V的隔離耐壓能力可以為用戶提供更高的安全保障。

“高效，可靠，創新”一直是瑞能半導體所保持和追求的目標
，我們的發展願景就是成為全球領先的功率半導體中國供應商
，通過為客戶提供各種高度可靠、高性價比和勇於創新的功率半導體器件，讓客戶在具體應用中實現最佳效率。

zaijinnian，ruinengbandaotijiangchixuzhuanzhuchanpintouru，jiasuzhongdianjishuyanfa
，shixianquanqiuyewushangdewendingzengchang。tebieshizaijinglilewaibushichanghedahuanjingbianhuadengduozhongbuquedingxingdekaoyanhou，ruinengbandaotihuiyouhuaqudaobuju

，gengjiajiandingbuyidiyukehu、合(he)作(zuo)夥(huo)伴(ban)攜(xie)手(shou)同(tong)行(xing)
，將(jiang)產(chan)品(pin)和(he)技(ji)術(shu)的(de)維(wei)度(du)做(zuo)深(shen)做(zuo)強(qiang)
，不(bu)斷(duan)加(jia)快(kuai)創(chuang)新(xin)的(de)發(fa)展(zhan)步(bu)伐(fa)，拓(tuo)展(zhan)更(geng)多(duo)的(de)市(shi)場(chang)空(kong)間(jian)
，實(shi)現(xian)業(ye)務(wu)的(de)欣(xin)欣(xin)向(xiang)榮(rong)，共(gong)同(tong)塑(su)造(zao)美(mei)好(hao)的(de)未(wei)來(lai)。

關於瑞能半導體

瑞能半導體專注於功率半導體領域，傳承逾50年的核心技術，全球銷售點遍布大中華區、歐洲
、yataijimeizhou
，chanpinyingyongfugaizhinengjiadian，diandongqiche
，tongxungongyedengxingye，weikehuzaigezixifenxingyetigongkekaozhuanyedejishuzhichi。ruinengbandaotizhangwodulidegonglvbandaotijishu，pingjieyouyidepinzhihexingneng，qichanpinyibeiquanqiuzhongduozhimingqiyeyanzhengbingshiyong。

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