【導讀】NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器
，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化镓（以下簡稱“GaN”） 功率開關。隻有合理設計能夠支持這種功率開關轉換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現實現高電壓、高頻率
、快速dV/dt邊沿速率開關的全部性能優勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路的 PCB 設計要點。

NCP51820 是一款全功能專用驅動器

，為充分發揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關性能而設計。與擊穿電壓額定值相似的矽器件相比
，製造 GaNFET 所使用的芯片尺寸更小。因此
，哪怕與同類最佳的矽 MOSFET 相比，GaNFET 的柵極電荷、輸出電容和動態導通電阻也大大降低。此外
，GaNFET 沒有 PN結，因此漏極-源極上沒有本征寄生體二極管，也就沒有與第三象限操作相關的反向恢複電荷。

GaNFET 非常適用於離線半橋功率拓撲

、無橋 PFC 和單端有源箝位拓撲。這些功率級常常采用零電壓開關 (ZVS)，但也可以在硬開關條件下采用大約 400V 的電壓工作。所有這些改進使得 GaNFET 能夠以 MHz 範圍或接近該範圍的頻率開關，漏源邊沿速率高達 100V/ns。能否實現基於 GaN 的功率級的最優性能

，在很大程度上取決於設計人員對寄生電路元件（如封裝電感、PCB 走線電感
、變壓器電容）以及元器件選擇和布局的理解。雖然矽 MOSFET 功率係統中也存在這些寄生元件
，但在 GaN 功率解決方案中，當受到其中存在的高 dV/dt 和 di/dt 激勵時，會有更明顯的響應，因此會產生問題。

NCP51820 的 MLP 無引線功率封裝（圖 3）以及行業中的各種無引線 GaNFET 功率封裝（圖 1 和圖 2），體現了為充分降低寄生電感所作的設計努力。同樣
，必須特別注意 PCB 設計和元器件布局。為了充分發揮利用 NCP51820 驅動高速半橋功率拓撲中使用的 GaN 功率開關的優勢，有一些重要的 PCB 設計因素需要考慮，本白皮書將重點討論其中的一些重要注意事項。

HEMT GaN 和 NCP51820 封裝說明

大多數 GaNFET 封裝包含一個專用源極開爾文返回引腳，如圖 1 中的“SK”所示，其作用隻是為了將柵極驅動返回電流送回 NCP51820。較高電流的漏源引腳通過多條焊線焊接到多個焊盤，不過為了簡明起見
，圖 1 中的簡化示意圖僅顯示了一條焊線連接。NCP51820 輸出和 GaNFET 柵源開爾文引腳之間的接口必須是直接單點連接，該接口特別重要
，如含有源極開爾文引腳的 GaNFET 部分所述。

但是
，並非所有 GaNFET 都包含一個專用源極開爾文返回引腳



，例如圖 2 所示的示例。對於不含源極開爾文返回引腳的 GaNFET，為 PCB 設計中的柵極驅動部分布線時必須特別注意。對於半橋功率級的開關節點連接，高壓側 GaNFET 的源極直接連接到低壓側 GaNFET 的漏極
，構成一個承載高 di/dt 負載電流的高 dV/dt 節點。不建議直接使用此高壓開關節點的柵極驅動返回引腳，如不含源極開爾文引腳的 GaNFET 部分所述。

圖1. 含有源極開爾文返回引腳的典型 GaN

圖2. 不含源極開爾文返回引腳的典型 GaN

NCP51820 采用 4x4 mm 無引線封裝，所有邏輯電平輸入和編程功能都設置在 IC 右側，與策略性設置在 IC 其餘三側的電源功能分開。基於設計策略安置引腳，以便必要時提供高壓隔離。以下 PCB 布局部分說明，將充分展現 NCP51820 引腳分配的優勢。

圖3. NCP51820 GaN 驅動器引腳分配

PCB 設計策略概要

使用 GaNFET 開始 PCB 設計時，最好根據優先級考慮整個布局，如下所列。

1. 必須采用多層PCB設計，並且按照本文所述適當使用接地/返回平麵。高頻率、高電壓
、高dV/dt和高di/dt都要求采用多層PCB設計方法。為了實現基於GaN的功率級的全部優勢，接地平麵必須采取適當的布線或設計，而廉價的單層PCB設計無法做到。

2. 開始時
，首先將對噪聲最敏感的元器件安置在 NCP51820 附近。VDD、VDDH 和 VDDL 旁路電容以及 VBST 電容
、電阻和二極管應盡可能靠近各自的引腳。

3. 將 DT 電阻直接放在 DT 和 SGND 引腳之間。

4. HO和LO、拉電流和灌電流柵極驅動電阻應盡可能靠近 GaNFET。

5. 將 NCP51820 和關聯的元器件移到盡可能靠近 GaNFET 拉電流和灌電流電阻的位置。

6. 如果可能，安置 GaNFET 時使 HO 和 LO 柵極驅動長度盡可能匹配。為了避免高電流和高 dV/dt 流經過孔
，兩個 GaNFET 最好和 NCP51820 位於 PCB 的同一麵。

7. 應將 HO 和 LO 柵極驅動視為兩個獨立的、相互電隔離的柵極驅動電路。因此
，HO 和 LO 各自都需要專用銅觸點 (copper land) 返回平麵
，這些平麵在第 2 層上，位於第 1 層柵極驅動布線正下方。

電源環路、開關節點、柵極驅動環路的正確布線以及使用平麵，對於順利完成 GaN PCB 設she計ji至zhi關guan重zhong要yao。這zhe部bu分fen內nei容rong如ru有you需xu求qiu，後hou續xu可ke能neng會hui推tui送song新xin的de文wen章zhang配pei合he插cha圖tu對dui每mei一yi項xiang加jia以yi說shuo明ming。對dui於yu柵zha極ji驅qu動dong器qi，正zheng確que的de布bu線xian和he噪zao聲sheng隔ge離li將jiang有you助zhu於yu減jian少shao額e外wai的de寄ji生sheng環huan路lu電dian感gan、噪聲注入、振鈴
、柵極振蕩和意外導通。目的是設計一個精心考慮了適當接地，同時讓受控電流以最小環路距離流經直接通路連接的高頻電源 PCB。

元器件布局和布線

圖 4 突出顯示了 NCP51820 周圍的關鍵元器件布局以及與 HS 和 LS GaNFET 的接口。

圖4. NCP51820 元器件布局

含有源極開爾文引腳的GaNFET

許多 GaNFET 封裝包括一個專用源極開爾文引腳
，用於將柵極驅動返回電流與功率開關節點（高壓側）或電源地（低壓側）出現的較高電流和電壓電平隔離。對於具有專用源極開爾文引腳的 GaNFET
，柵極驅動布線相當簡單。推薦 PCB 布線設計示例如圖 5 所示，可以看到高壓側 GaNFET 柵極驅動返回電流與功率開關節點電流有效分隔。

圖5. 源極開爾文 GaNFET 布線

不含源極開爾文引腳的GaNFET

有些 GaNFET 封裝不含專用源極開爾文引腳，還必須要仔細考慮，將柵極驅動返回電流與功率開關節點（高壓側）或電源地（低壓側）出現的較高電流和電壓電平隔離。對於沒有專用源極開爾文引腳的 GaNFET，應從 GaNFET 源極接出一段額外的銅蝕刻線

，其唯一作用是將柵極驅動返回電流送回 NCP51820。盡管不如專用開爾文引腳連接那麼有效，但這種布線技術仍然可以在柵極驅動電流和功率開關節點之間實現可接受程度的分離。推薦 PCB 布線設計示例如圖 6 所示，可以看到高壓側 GaNFET 柵極驅動返回電流與功率開關節點電流有效分隔。無論何種類型的 GaNFET 封裝，其設計目標都是避免 NCP51820 和支持電路接觸到流過功率級的潛在破壞性開關電壓和電流。

圖6. 無源極開爾文引腳的 GaNFET 布線

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