SiC撞見UPS,挑戰性能、能效、尺寸、成本設計
發布時間:2022-07-22 來源:安森美 責任編輯:wenwei
【導讀】隨著雲計算、超大規模數據中心、5G應用和大型設備的不斷發展,市場對不間斷電源(UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發展,設計人員麵臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控製難度之間權衡取舍的挑戰,安森美(onsemi)基於新一代半導體材料碳化矽(SiC)的方案,有助於變革性地優化UPS設計。
安森美是領先的智能電源方案供應商之一,也是全球少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商,提供先進的SiC、SiC/Si混合和IGBT模塊技術,以及廣泛的分立器件、門極驅動器等周邊器件,滿足低、中、高功率UPSshejidegezhongyaoqiu,jiazhijishutuanduideyingyongzhiyuan,bangzhushejirenyuanjiejueshangshutiaozhan,manzudashujushidaibuduanzengchangdexuqiu。benwenzhongdianjieshaoansenmeiyingyongyuUPS的SiC方案。
圖1:在線式UPS典型框圖(橙色代表安森美能提供的產品)
在線式UPS更適合大功率應用場景
UPS係xi統tong廣guang泛fan用yong於yu保bao護hu從cong電dian信xin和he數shu據ju中zhong心xin到dao各ge種zhong工gong業ye設she施shi等deng各ge種zhong應ying用yong中zhong的de關guan鍵jian組zu件jian的de電dian源yuan,提ti供gong過guo濾lv功gong能neng和he補bu償chang電dian網wang的de短duan期qi停ting電dian,確que保bao可ke靠kao的de電dian壓ya供gong應ying。
按工作原理,UPS分為離線式UPS、在線互動式UPS和在線式UPS。離線式UPS和在線互動式UPS結構簡單、成本低,在輸入沒有異常的情況下,能效高,但存在切換時間長,激活電池供電的情況多,輸出精度低。
所以目前針對數據中心等大功率UPS需求的場所,在線式UPS是最常用的,在線式UPS也稱為雙變換式UPS,無論市電是否正常,負載的全部功率均由逆變器給出,所以沒有間斷,輸出質量高,經過高頻脈寬調製(PWM)後,整體波形總諧波失真(THD)小,頻率波動小,但價格高,控製複雜。
新一代UPS的設計挑戰和考量
為了應對持續增長的電能保護需求,新一代UPS需具有以下特點:
● 超過98%的高能效,高功率密度,功率因數>0.99,無變壓器設計
● 更高的輸出功率:大型數據中心對UPS要求很高,一台3相輸出的UPS的母線電壓是800 V。模塊化UPS可拓展、高冗餘,通過連接多個產品能達到100 kVA更大輸出功率,以應對大型數據中心的需求
● 0切換時間:相較離線式UPS的2到10 ms切換時間,在線式UPS具有0切換時間,以應對各種情況下的緊急問題
● 具有調節輸入電壓和優化輸出電壓的能力,以減少電池的使用頻率,從而增加使用時間,節省成本
● 優秀的散熱能力,減少本身由散熱器帶來的重量和成本,同時有能力在受限的空間裏增加額外的功率模塊
為了實現這些特性,我們需要權衡考慮以下因素:
● 控製總擁有成本(TCO,Total Cost of Ownership),包括生產成本、運輸安裝和後期維護的成本,以及存放設備的空間成本等。需要去考慮如何減小散熱片、電感和電解電容以及風扇所占的空間和重量。
● UPS的可拓展化,模塊化UPSdeyigejudayoushijiushiketuozhan,dangxuyaozengjiarongliangshi,zhixuyaotianjiayigedianyuanmokuai,yigemokuaichicunzhongliangjiaoxiao,jishiyigerenyekeyiwanchenganzhuang,dadajianshaolechengben。
● 采用在線式UPS,在線式UPS相比其它種類的UPS能夠處理更多輸入電能質量問題,減少電池使用頻率,同時其高頻逆變器能夠輸出高質量高效率的正弦信號為負載供電。
● 拓撲對係統性能和能效的影響,3電平拓撲比2dianpingtuopunengxiaogenggao,zaiedinggonglvxia,genggaonengxiaoyiweizhegengxiaodesanreqihegenghaodekekaoxing,zuiguanjiandeshidianpingshudezengjiashidedianyashuchugengjiejinzhengxianbo,danfuzadekongzhisuanfa、更多的器件以及開關管數量增加會導致成本增加,設計人員需要在性能和價格之間權衡取舍。
● 使用SiC作為開關器件。
安森美用於UPS的SiC方案:陣容廣,性能優
由於SiC具有更高的耐壓能力、更低的損耗以及更高的導熱率,可賦能UPS設計更高的功率密度和優化的係統成本,較低的係統損耗和更高的係統能效。安森美在SiC領域有著深厚的曆史積澱,垂直整合模式確保可靠的品質和供應。
圖2:安森美SiC的領先地位
安森美的SiC MOSFET和SiC二極管產品線非常豐富,包含各種電壓等級。SiC MOSFET從650 V到1200 V,並且即將發布1700 V的產品,SiC二極管則是從650 V到1700 V都具備。
對於UPS來說,SiC MOSFET主要選擇Rdson更小的產品。如安森美適用於UPS的1200 V M3S SiC MOSFET比領先行業的競爭對手減少達20%的功率損耗,原因是其使用更大尺寸的晶片(die),從而減少Rdson。
圖3:安森美的SiC方案陣容廣,性能優
安森美目前主推的4-pin SiC MOSFET,相比3-pin的產品,額外的一根開爾文引腳(Kelvin Source)可消除源極引腳上的寄生電感,可提供更快的開關速度,從而降低導通損耗。
隨著UPS的單元功率逐漸增加,也會有更多的設計人員考慮模塊產品,將許多不同功能、大小的晶圓如IGBT、erjiguanfengzhuangzaiyigemokuaili,kejianxiaoyouyudanguanyinjiaodailaidezasandiangan,jiangdiqijianzaikuaisuguanduanshichanshengdedianyayingli,jianshaoshengchanliuchengdegongxu,tigaochanxianxiaolv,jianqingledianqihejiegouyanfashejirenyuandegongzuoliang,bimianleyinweidanguangongyifuzazaochengdechanpinbulianglv,yerangBOM的采購和供應鏈變得簡單,縮短了產品投入市場的時間。
而且從係統集成的角度來分析,模塊的高成本是可以被其他優點攤薄的,例如簡化生產流程和PCBdesheji,gaogonglvmidu,jiaodidesanrexitongchengben,jiandandejueyuanshejideng。youyuzuzhuangmokuaishidejingpiandoulaizitongyipianjingyuanshangxianglindeqijian,jingpiandeyizhixinggenggao,zheyouliyujingpianbinglianjunliu,zengjialexitongdechangqiyunxingkekaoxing。
安森美的半橋1200 V SiC MOSFET 2-PACK模塊,含有2顆1200 V M1 SiC MOSFET,和一顆熱敏測溫電阻, Rdson非常低。它具有2種封裝,F2封裝NXH006P120MNF2的尺寸是F1 封裝NXH010P120MNF1的一倍,更適合大功率的產品。同時,尺寸更大的die能改減少熱阻,增加可經過的電流。
安森美的900 V M2 SiC MOSFET 維也納模塊NXH020U90MNF2由兩個900 V開關和2個1200 V SiC二極管組成,維也納拓撲常用於PFC,相比其它的3電平方案,維也納拓撲具有器件少,控製簡單的特點。
除此之外,安森美的多通道SiC boost模塊係列如下表,可用於電池充放電部分。
不同模塊的損耗對比
我們在一個boost升壓電路對不同模塊進行了對比,SiC MOSFET的導通損耗比IGBT混合模塊低1到2倍,其關斷損耗Eoff低5倍以上。這對提高係統開關頻率,降低損耗意義很大。若在相同的開關頻率下,全SiCmokuaijiaohunhemokuaidewenshenghesunhaogengdi,yunxushiyonggengxiaogengjingjidesanreqi,huozheshuosanretiaojianyiyangshikeyishuchugenggaodegonglv。huanyizhongpinggufangshi,jiashemeilushuchugonglv10 kW,隨著開關頻率的增加,由於較大的開關損耗,IGBT的結溫和損耗遠高於SiC MOSFET,因而全SiC模塊在減小電感值、電感尺寸和重量方麵有巨大優勢。
圖4. 不同模塊的損耗對比
總結
SiC有助於變革性地優化UPS設計,滿足大數據時代UPS小型化、高容量化、高效化的要求。安森美在SiC領域處於領先地位,是世界上少數能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一,為UPS提供多種電壓等級的高能效、高性能SiC MOSFET、SiC二極管、全SiC模塊和混合SiC模塊,配合安森美針對SiC優化的門極驅動器、傳感、隔離和保護IC等周邊器件和應用支援,幫助設計人員在性能、能效、尺寸、成本、控製難度之間做出最佳的權衡取舍。
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